• International journal of advanced smart convergence
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• 제1권1호
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• pp.61-64
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• 2012

The ultraviolet and visible light responsive properties of the amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistor have been investigated. Amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO) thin film transistor operate in the enhancement mode with saturation mobility of $6.99cm^2/Vs$, threshold voltage of 13.5 V, subthreshold slope of 1.58 V/dec and an on/off current ratio of $2.45{\times}10^8$. The transistor was subsequently characterized in respect of visible light and UV illuminations in order to investigate its potential for possible use as a detector. The performance of the transistor is indicates a high-photosensitivity in the off-state with a ratio of photocurrent to dark current of $5.74{\times}10^2$. The obtained results reveal that the amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistor can be used to fabricate UV photodetector operating in the 366 nm.

• 자원리싸이클링
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• 제2권2호
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• pp.22-26
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• 1993

아연 제련잔사로부터 갈륨과 인디움을 동시에 회수하기 위한 연속공정도를 확립하고자 하였다. 갈륨만을 회수하는 알칼리처리법과는 달리 황산침출에 의할 경우 갈륨과 인디움의 동시회수가 가능하며, 2단계 중화를 통하여 용액중의 다량의 철분을 분리제거할 수 있었다. 1차처리하여 얻은 갈륨과 인디움의 침천물은 알칼리 및 산처리에 의해 갈륨과 인디움을 각각 분리회수할 수있었으며, 약산성 용액에서 저농도의 인디움을 회수하고자 할 경우 아연금속분말에 의한 cementation법을 사용하는 것이 효고적이었다.

• 대한화학회지
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• 제36권6호
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• pp.889-893
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• 1992

Ga-Morin 착물에 대한 흡착벗김전압전류법적 연구를 HMDE를 사용하여 0.1M 아세테이트 완충용액에서 연구하였다. HMDE의 수은 표면에 흡착된 착물의 환원피크 전류에 미치는 여러 분석조건들의 영향을 논의하였으며, 여러 양이온 및 계면활성제의 방해효과에 대하여 검토하였다. 본 연구에서의 검출한계는 흡착시간이 60초일 때 1.7nM 이었으며, 4 ${\mu}$g/l의 Ga를 7회 분석하였을 때 상대표준편차 2.8% 이었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제26권2호
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• pp.343-344
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• 2005

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제27권12호
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• pp.1963-1964
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• 2006

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제20권2호
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• pp.237-240
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• 1999

• 자원리싸이클링
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• 제9권3호
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• pp.22-28
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• 2000

아연재련전사로부터 갈륨을 회수하기 위하여 NaOH용액을 사용한 알칼리 침출실험을 수행하였다. 실험결과 아연질산을 NaOH용액으로 알칼리 침출할 경우 주로 침출되는 원소는 Zn, K 및 Si 등이며, Fe를 비롯한 여러 base metal들은 극히 미량만이 침출되기 때문에 용매추출 공정을 통해 용이하게 갈륨을 정제할 수 있다. 한편 알칼리 침출의 특징은 알칼리 농도가 증가할수록 그리고 광액농도가 낮을수록 갈륨의 침출율이 증가하며, 특히 침출에 앞서 아연잔사를 물로 세척하여 용해성 아연화합물을 미리 제거하면 알칼리 소모량을 상당히 줄일 수 있는 것으로 나타났다. 대체로 갈륨의 적정 침출조건은 아연잔사를 물로 세척하여 용해성 아연화합물을 미리 제거하고 광액농도 333g/L NaOH 농도 1~1.25 M/L로 하여 상온$25^{\circ}C$에서 2시간 정도 침출하는 것이 효과적이며, 이 경우 약 80%이상의 갈륨을 회수 할 수있다.

• Journal of Magnetics
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• 제20권1호
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• pp.26-30
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• 2015

The crystallographic and magnetic properties of gallium-substituted cobalt ferrite ($CoGa_xFe_{2-x}O_4$) were investigated. The new material was synthesized using conventional ceramic methods, with gallium substituted for ferrite in the range of x = 0.0 to 1.0, in steps of 0.2. X-ray diffraction and M$\ddot{o}$ssbauer spectroscopy were used to confirm the presence of crystallized particles in the $CoGa_xFe_{2-x}O_4$ ferrite powders. All of the samples exhibited a single phase with a spinel structure, and the lattice parameters decreased as the gallium content increased. The particle size of the samples also decreased as gallium increased. For $x{\leq}0.4$, the M$\ddot{o}$ssbauer spectra of $CoGa_xFe_{2-x}O_4$ could be fitted with two Zeeman sextets, which are the typical spinel ferrite spectra of $Fe^{3+}$ with A- and B-sites. However, for $x{\geq}0.6$, the M$\ddot{o}$ssbauer spectra could be fitted with two Zeeman sextets and one doublet. The variation in the M$\ddot{o}$ssbauer parameters and the absorption area ratio indicated a cation distribution of $(Co_{0.2-0.2x}Ga_xFe_{0.8-0.6x})[Co_{0.8+0.2x}Fe_{1.2-0.4x}]O_4$, and the magnetic behavior of the samples suggested that the increase in gallium content led to a decrease in the saturation magnetization and in the coercivity.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제30권9호
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• pp.1927-1928
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• 2009

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2009년도 창립 20주년기념 특별학술발표회
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• pp.270-271
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• 2009