A process has been studied to recover gallium from steelmaking dust which had several hundreds ppm of gallium. Aqueous solution containing 38 mg/l gallium was obtained by leaching of dust with 2.25 mol/l sulfuric acid. The leach liquor contained iron and zinc about 1,000 times greater than gallium. Gallium was then concentrated by ion exchanger of chelating resin with functional group of amino carboxylic acid after reduction of ferric ion to ferrous ion and pH adjustment. Gallium was concentrated to be 13 g/l in the resulting eluate by double ion exchanges. The liquor was further treated to remove impurities by solvent extraction technique empolying TOMAC as extractant. The galluim with 99% purity was finally obtainable.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.236.1-236.1
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2014
Compounds of Ga, such as gallium oxide (Ga2O3) and gallium nitride (GaN), are of interest due to its unique properties in semiconductor application. In particular, GaN has the potentially application for optoelectronic device such as light-emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) [1]. Nanoparticle is an interesting material due to its unique properties compared to the bulk equivalents. In this report, we develop a synthesizing method for gallium nitride nanoparticle using non-thermal plasma. For gallium source, the gallium is heated by thermal conduction of tungsten boat which is heated by eddy current induced from RF current in antenna. Nitrogen source for nanoparticle synthesis are from inductively coupled plasma with N2 gas. The synthesized nano particles are analyzed using field-emission scanning microscope (FESEM), transmission electron microscope (TEM) and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The synthesized particles are investigated and discussed in wide range of experiment conditions such as flow rate, pressure and RF power.
The steps for the generation of very thin GaN films on ultrathin AlN/6H-SiC surface by alternating a pulsative supply (APS) of trimethyl gallium and NH3 gases have been examined by ASED-MO calculations. We postulate that the gallium cul ster was formed with the evaporation of CH4 gases via the decomposition of trimethyl gallium (TMG), dimethyl gallium (DMG), and monomethyl galluim (MMG). During the injection of NH3 gas into the reactor, the atomic hydrogens were produced from the thermal decomposition of NH3 molecule. These hydrogen gases activated the Ga-C bond cleavage. An energetically stable GaN nucleation site was formed via nitrogen incorporation into the layer of gallium cluster. The nitrogen atoms produced from the thermal degradation of NH3 were expected to incorporate into the edge of the gallium cluster since the galliums bind weakly to each other (0.19 eV). The structure was stabilized by 2.08 eV, as an adsorbed N atom incorporated into a tetrahedral site of the Ga cluster. This suggests that the adhesion of the initial layer can be reinforced by the incorporation of nitrogen atom through the formation of large grain boundary GaN crystals at the early stage of GaN film growth.
We present tapered nanostructures fabricated on a selective area of gallium phosphide substrates for advanced optoelectronic device applications. A lithography-free fabrication process was accomplished by dry etching of metal nanoparticles. Thermal dewetting of micro-patterned metal thin films provides etch masks for tapered nanostructures. This simple process also allows the formation of plasmonic surfaces with corrugated shapes. Rigorous coupled-wave analysis calculations provide design guidelines for tapered nanostructures on gallium phosphide substrates.
The purpose of this study was to compare the physical properties between high copper amalgam and gallium restorative material. In this study, the specimens for the 4 experimatal groups (Valiant, Valiant PhD, Gallium Alloy GF II. Gallium Alloy GF II triturated with some addition of alcohol) were prepared in the manner of which stated in ADA specification No.1 for amalgam alloy. And then, measured and compared the value of compressive strength. creep, and dimensional change during hardening of each sample. The results were as follows: 1. In the compressive strength, the Valiant-lathe cut type high copper amalgam-had the highest value of strength(p<0.05), and the Valiant PhD-admixed type high copper amalgam-showed the higher value of strength than the Gallium Alloy GF II(p<0.05) but had no significant difference with Gallium Alloy GF II triturated with some addition of alcohol(p>0.05). 2. In the creep. the Valiant PhD showed the highest value of creep (p<0.05), but there was no significant difference between Gallium Alloy GF II and Valiant(p>0.05). 3. In the dimensional change during hardening, no two groups were significantly different at the 0.050 level. 4. There was no significant difference between Gallium Alloy GF II and the same material which was triturated with some addition of alcohol(p>0.05).
Proceedings of the Korean Society of Machine Tool Engineers Conference
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2004.04a
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pp.504-507
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2004
Previous studies on the liquid Gallium ion sources used an electro-chemically etched tungsten wire with a coil-type heater. Such a structure requires excessive power consumption in the course of heating the liquid metal. In this work, a new structure is proposed that replaces the coil-type heater. It uses a Gallium reservoir made of six pre-etched 250 $\mu\textrm{m}$ tungsten wires that surround the needle electrode. Gallium loading at the reservoir is observed to be much more stable, resulting in an improved beam stability.
Gallium-67 scintigraphy is helpful in the assessment of active extrapulmonary sarcoidosis. Muscular involvement of sarcoidosis is often asymptomatic or nonspecific, and laboratory examinations do not provide convincing evidence of muscular involvement We report a case of muscular sarcoidosis, which was detected by gallium-67 scintigraphy. In a patient who was suffering from fever and arthralgia of knee joint, gallium-67 scintigraphy showed mediastinal and hilar involvement of sarcoidosis with unexpected extensive muscular uptake. Magenetic resonance imaging revealed the detailed depiction of intramuscular infiltration of sarcoid granuloma. Gallium-67 scintigraphy is useful in detecting inflammatory muscular involvement of sarcoidosis as well as other multiorgan involvement.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.23
no.3
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pp.119-123
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2013
Most of the world's solar cells in photovoltaic industry are currently fabricated using crystalline silicon. Czochralski-grown silicon crystals are more expensive than multicrystalline silicon crystals. The future of solar-grade Czochralski-grown silicon crystals crucially depends on whether it is usable for the mass-production of high-efficiency solar cells or not. It is generally believed that the main obstacle for making solar-grade Czochralski-grown silicon crystals a perfect high-efficiency solar cell material is presently light-induced degradation problem. In this work, the substitution of boron with gallium in p-type silicon single crystal is studied as an alternative to reduce the extent of lifetime degradation. The diamond-wire sawing technology is employed to slice the silicon ingot. In this paper, the quality of the diamond wire-sawn gallium-doped silicon wafers is studied from the chemical, electrical and structural points of view. It is found that the characteristic of gallium-doped silicon wafers including texturing behavior and surface metallic impurities are same as that of conventional boron-doped Czochralski crystals.
The synthesis of pure and rare-earth doped gallium oxide (${\beta}-Ga_2O_3$) nanoparticles is reported. The synthesized nanoparticles are characterized with XRD, TEM, and PL analyses. Strong blue emission is observed from un-doped gallium oxide nanoparticles, while nanoparticles doped with $Eu^{3+}$ and $Tb^{3+}$ give strong red and green emissions, respectively. When doped with $Eu^{3+}$ and $Tb^{3+}$ together, gallium oxide nanoparticles emit white light. The CIE coordinate of the emitted light was found to be (0.33, 0.33), which is well within the white light region.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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