• 제목/요약/키워드: etching rate

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알루미늄용 저기포성 산성탈지제의 제조와 그의 탈지효과 (Preparation and Effects of Low Foaming Acidic Degreasing Agents for Aluminum)

  • 하경진;박홍수;배장순;김영근
    • 한국응용과학기술학회지
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    • 제14권3호
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    • pp.71-77
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    • 1997
  • Low foaming acidic degreasing agent(LFADAs) were prepared by blending sorbitol, n-octanoic acid, MJU-100A, Tetronix T-701, Na-dioctyl sulfosuccinate, Demol C, and phosphoric acid. The physical properties of LFADAs tested with aluminum specimen showed the following results ; when 3wt% LFADA-6 was performed at $70^{\circ}C$, the degreasing rate was 95% which is comparitively good, and the percentage of etching was 0.275% which was found to be less than that of commercialized product. When 20wt% of LFADA-6 was added at $65^{\circ}C$, the percentage of derusting was 92% and the good defoaming effect proved by following low foaming power tests respectively : Ross and Miles, and Ross and Clark methods.

단결정 알루미나의 균열첨단에서 전위거동 (Dislocation Behavior around Crack Tips in Single Crystal Alumina)

  • 김형순
    • 한국재료학회지
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    • 제4권5호
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    • pp.590-599
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    • 1994
  • 취성재료의 균열첨단에서 전위의 이동에 대한 거동을 이해하기 위하여 단결정의 알루미나에 대한 취성-연성 전이(BDT)에 대한 한 연구가 진행되었다. 여러 온도에서, 예비균열된 시편으로 4점 굽힘시험을 이용하여 임계응력확대계수와 항복강도가 측정되었다. 그 결과로, BDT온도는 변형속도와 시편 방향에 따라 달랐다.:(1120)파단면에 대하여 $4.2 \times 10^{-6}$$4.2 \times 10^{-7}s^{-1}$에서 BDT온도는 각각$1034^{\circ}C$, $1150^{\circ}C$이었다. 또한 4점굽힘 시험을 이용하여 연성영역에서 균열첨단으로 부터 방출된 전위의 이동거리과 방향은 에칭 피트법에 의해서 측정되었다. 이중 에칭법을 이용하여 즉정된 사파이어에서 전위의 이동속도는 모델링 연구에 응용되었다.

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아연-이온 전기화학 커패시터의 에너지 저장 성능향상을 위한 다공성 전극 제조 (Fabrication of Porous Electrodes for Zinc-Ion Supercapacitors with Improved Energy Storage Performance)

  • 안건형
    • 한국재료학회지
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    • 제29권8호
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    • pp.505-510
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    • 2019
  • Zn-ion supercapacitors (ZICs) show high energy densities with long cycling life for use in electronic devices. Porous Zn electrodes as anodes for ZICs are fabricated by chemical etching process using optimized conditions. The structures, morphologies, chemical bonding states, porous structure, and electrochemical behavior are examined. The optimized porous Zn electrode shows a root mean square of roughness of 173 nm and high surface area of $153{\mu}m^2$. As a result, ZIC using the optimized porous Zn electrode presents excellent electrochemical performance with high specific capacitance of $399F\;g^{-1}$ at current density of $0.5A\;g^{-1}$, high-rate performance ($79F\;g^{-1}$ at a current density of $10.0A\;g^{-1}$), and outstanding cycling stability (99 % after 1,500 cycles). The development of energy storage performance using synergistic effects of high roughness and high surface area is due to increased electroactive sites by surface functionalization of Zn electrode. Thus, our strategy will lead to a rational design and contribute to next-generation supercapacitors in the near future.

Sensing Characteristics of Uncoated Double Cladding Long-period Fiber Grating Based on Mode Transition and Dual-peak Resonance

  • Zhou, Yuan;Gu, Zheng Tian;Ling, Qiang
    • Current Optics and Photonics
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    • 제5권3호
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    • pp.243-249
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    • 2021
  • In this paper, the sensing characteristics of a double cladding fiber (DCF) long-period fiber grating (LPFG) to the surrounding refractive index (SRI) are studied. The outer cladding of the DCF plays the role of the overlay, thus, the mode transition (MT) phenomenon of DCF can be induced by etching the outer cladding radius instead of coating overlays. The response characteristics of the effective refractive index (ERI) of the cladding mode to the outer cladding radius are analyzed. It is found that in the MT range, the change rate of ERIs of cladding modes is relatively larger than that for other ranges. Further, based on the features of the mode transition region (MTR), the phase-matching curve of the 11th cladding mode is investigated, and the response of the DCF-LPFG to the SRI is characterized by the change of wavelength intervals between the dual peaks under different outer cladding radii. The numerical simulation results show that the SRI sensitivity is greatly improved, which is available to 3484.0 nm/RIU with the fitting degree 0.998 in the SRI range of 1.33-1.37. The proposed DCF-LPFG can provide new theoretical support for designing the DCF-LPFG refractive index sensor with excellent performances of sensitivity, linearity and structure.

전해응집법에 의한 불화수소 함유 워터젯 플라즈마 폐수처리 (Removal of Hydrogen Fluoride from Waterjet Plasma Wastewater by Electrocoagulation)

  • 이채홍;전영남
    • 대한환경공학회지
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    • 제34권10호
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    • pp.702-708
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    • 2012
  • 사불화탄소($CF_4$)는 반도체 제조공정에서 에칭과 화학기상증착(CVD)에서 사용되어온 가스이다. $CF_4$는 적외선을 강하게 흡수하고 대기 중 잔류시간이 길어서 지구온난화에 영향을 미치기 때문에 고효율의 분해가 필요하다. 또한 불화수소를 포함한 폐수는 지하수 오염의 원인이 된다. 과도한 불소를 포함한 물을 장기간 섭취는 치아와 뼈에 문제를 야기한다. 워터젯 플라즈마를 이용하여 $CF_4$를 분해 후 생성되는 부산물 중 HF에 의하여 폐수가 생성된다. 이 폐수를 알루미늄 전극을 사용한 전해응집을 이용하여 폐수 중 HF를 제거 할 수 있는 시스템을 개발하였다. 실험 변수로는 초기 pH 변화, 반응 시간 변화, 주입유량 변화, 전류 밀도 변화를 실험하였다. 변수 실험을 통하여 초기 pH는 3.5, 반응 시간은 10 min, 주입 유량은 10 mL/min, 전류 밀도는 $159A/m^2$일 때 HF 제거율은 최고 85%까지 도달하였다.

PVT 방법에 의한 링 모양의 SiC 다결정 성장 (Crystal growth of ring-shaped SiC polycrystal via physical vapor transport method)

  • 박진용;김정희;김우연;박미선;장연숙;정은진;강진기;이원재
    • 한국결정성장학회지
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    • 제30권5호
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    • pp.163-167
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    • 2020
  • 본 연구에서는 PVT(Physical Vapor Transport) 방법을 이용하여 반도체 식각 공정용 소재로 사용되는 링 모양의 SiC(Silicon carbide) 다결정을 제조하였다. 흑연 도가니 내부에 원기둥 모양의 흑연 구조물을 배치하여 PVT법에 의한 링 모양의 SiC 다결정을 성장시켰다. 성장된 결정은 Raman 및 UVF(Ultra Violet Fluorescence) 분석을 이용하여 결정의 상분석을 하였고, SEM(Scanning Electron Microscope), EDS(Energy Dispersive Spectroscopy) 분석을 통해 미세조직 및 성분을 확인하였다. PVT 성장 초기의 온도변화를 통하여 SiC 다결정의 결정립 크기와 성장 속도를 조절할 수 있었다.

실용적인 혼합물 성분 공정변수 실험설계 (Practical designs for mixture component-process experiments)

  • 임용빈
    • 품질경영학회지
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    • 제39권3호
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    • pp.400-411
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    • 2011
  • Process variables are factors in an experiment that are not mixture components but could affect the blending properties of the mixture ingredients. For example, the effectiveness of an etching solution which is measured as an etch rate is not only a function of the proportions of the three acids that are combined to form the mixture, but also depends on the temperature of the solution and the agitation rate. Efficient designs for the mixture components-process variables experiments depend on the mixture components-process variables model which is called a combined model. We often use the product model between the canonical polynomial model for the mixture and process variables model as a combined model. In this paper we propose three starting models for the mixture components-process variables experiments. One of the starting model we are considering is the model which includes product terms up to cubic order interactions between mixture effects and the linear & pure quadratic effect of the process variables from the product model. In this paper, we propose a method for finding robust designs and practical designs with respect to D-, G-, and I-optimality for the various starting combined models and then, we find practically efficient and robust designs for estimating the regression coefficients for those models. We find the prediction capability of those recommended designs in the case of three components and three process variables to be good by checking FDS(Fraction of Design Space) plots.

저탈각 (100) Si 기판의 열산화 및 적층 결함 (Thermal oxidation and oxidation induced stacking faults of tilted angled (100) silicon substrate)

  • 김준우;최두진
    • 한국결정성장학회지
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    • 제6권2호
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    • pp.185-193
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    • 1996
  • (100) Si wafer를 $2.5^{\circ},\;5^{\circ}$ 기울인 뒤, dry $O_{2}$ 분위기에서 산화시킴으로써, 시편들 간의 산화 거동 및 산화에 의한 적층 결함 특성의 차이를 알아보았다. 시편을 $900~1200^{\circ}C$에서 산화시키고 ellipsometer로 두께를 측정한 결과 저탈각 (100) Si이 (100) Si보다 산화 속도가 빨랐으며, $5^{\circ}$ off면이 $2.5^{\circ}$ off면보다 더 빨랐다. 결정방향에 따른 산화속도 차이는 산화 온도가 높아질수록 줄어들었다. 각 시편의 속도 상수에 대한 활성화 에너지는 포물 성장 속도 상수의 경우 (100) Si, $2.5^{\circ}$ off (100) Si, $5^{\circ}$ off Si이 각각 27.3, 25.9, 27.6 kcal/mol이였고, 선형 성장 속도 상수는 58.6, 56.6, 57.4 kcal/mol이였다. 또한, 두 시편에 대해 산화막을 선택 식각하 고 광학 현미경으로 관찰하여, (100) Si에 비해 $5^{\circ}$ off된 면의 산화에 의한 적층 결함 밀도가 훨씬 낮음을 확인하였고, 적층 결함 간의 각도가 달라짐을 확인하였다.

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실리카 도파로(Silica Waveguide) 제작을 위한 Inductively Coupled Plasma에 의한 산화막 식각특성 연구 (The study of oxide etching characteristics using inductively coupled plasma for silica waveguide fabircation)

  • 박상호;권광호;정명영;최태구
    • 한국진공학회지
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    • 제6권3호
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    • pp.287-292
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    • 1997
  • 본 실험은 고밀도 플라즈마원인 inductively coupled plasma(ICP)를 이용하여 실리카 도파로의 코아를 형성하고자 하였다. $CF_4/CHF_3$유량비, bias power 및 source power 등의 변화에 따른 산화막의 식각 특성 즉 식각 속도, 식각 단면 및 식각된 표면의 거칠기 등의 변화를 검토하였다. 또한 single Langmuir probe 및 optical emission spectroscopy(OES)를 이용하여, 식각 변수에 따른 ICP의 플라즈마 특성을 관찰하였다. 이상의 결과를 토대로, $SiO_2-P_2O_5$로 구성된 실리카 도파로의 코아(core)층을 형성하였고, 이때 최적화된 식각 조건 에서 식각 속도는 380nm/min이고, 마스크 층으로 사용된 Al(Si 1%)와 산화막과의 식각 선 택비는 30:1이상이였다. 형성된 실리카 도파로를 scanning electron microscopy(SEM)으로 관찰한 결과, 코아층의 식각 단면이 수직하고 패턴 선폭의 손실이 거의 없음을 확인하였다.

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평면형 유도결합 플라즈마의 특성 및 선택적 산화막 식각 응용에 관한 연구 (A study on the characteristics of planar type inductively coupled plasma and its applications on the selective oxide etching)

  • 양일동;이호준;황기웅
    • 한국진공학회지
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    • 제6권1호
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    • pp.91-96
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    • 1997
  • 평면형 유도 결합 플라즈마의 전기적 특성을 측정하였고 Langmuir probe를 이용하 여 전자의 밀도와 온도를 측정하였다. 코일과 플라즈마를 포함한 총 부하의 저항 성분은 1 에서 4$\Omega$까지 변하였고 인덕턱스는 $1.5\mu$H와 2$\mu$H사이의 값을 가졌다. $10^{11}/\textrm{cm}^3$ 이상의 고밀 도 플라즈마를 발생시켰으며 전자의 온도는 공정 조건에 따라 3에서 5eV까지 변하였다. 산 화막 식각시 선택도를 개선하기 위한 방법으로 바이어스 전압을 변조하는 방법을 모색하였 다. C4F8플라즈마에서 바이어스 변조 방법을 사용하였을 때 선택도는 크게 향상 되었으나 산화막 식각율이 400$\AA$/min 이하였다. 선택도 향상을 위해 수소를 첨가한 실험에서 $C_4F_8$ 플 라즈마에 60% $H_2$를 첨가하였을 때 선택도 50이상, 산화막 식각율 2000$\AA$/min 이상의 결과 를 얻을 수 있었다.

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