• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제6권3호
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• pp.25-35
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• 1999

저온동시소성 또는 금속상 저온동시소성 기술은 세라믹 다층멀티칩 기술의 하나로 이 기술을 이용한 모듈은 일반 전기 부품, 고주파 및 자동차 전장에 적용되기 시작하였다. 고온동시소성 기술과 비교하여 저온동시소성 기판의 소성은 그 온도가 $1000^{\circ}C$ 이하에서 이루어지므로 전기전도도가 높은 금, 은, 구리 등의 금속을 이용하여 내부 전극을 형성할 수 있다. 금속상 저온 동시소성 기술은 소성 후의 치수안정성 (x-, y- 방향으로 수축률 0.1 % 이하)의 장점으로 모듈 내부에 수동소자를 내장할 수 있으며, 이러한 장점은 전기적 특성의 향상과 신뢰성 증가를 가져온다. 모듈의 열팽창계수 및 유전율은 조성이나 소성조건을 바꾸어 조정이 가능하다. 본 기술해설에서는 저온동시소성 또는 금속상 저온동시소성 기술에 관한 소개와 장점에 대하여 설명하였다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2002년도 추계기술심포지움논문집
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• pp.159-163
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• 2002

최근 세라믹 칩 부품과 모듈등의 통신 부품에 관한 연구가 활발히 진행되고 있는 가운데 내장형 수동소자를 이용한 세라믹 3차원 모듈 개발에 관한 연구가 많은 연구 그룹에서 진행되고 있다. LTCC 시스템은 가격이 저렴하고 공정이 안정적이고 전기적 특성에서도 손실값이 작은점등의 많은 장점을 가지고 있다. 이러한 전기적 특성은 사용하는 재료의 물성에 직접적인 영향을 받게 된다. 사용 재료는 크게 도체와 유전체로 나뉘어질 수 있으며 특히 도체의 특성이 설계된 패턴에 의한 소자 특성에 큰 영향을 주게 된다. 본 연구에서는 금속 함량과 금속 입자 크기를 변화시킨 도체 페이스트를 직접 제작하고 스트립라인 레조네이터에 적용되었을 때의 6 ㎓ 까지의 고주파 특성을 비교 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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• pp.710-713
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• 2004

The design, simulation, modeling and measurement of a low temperature co-fired ceramic (LTCC) RF switch module for GSM applications is presented in this paper. RF switch module is constructed using a Rx/Tx switching circuit and integrated low pass filter. The low pass filter function was designed to operate in th GSM band. Insertion and return loss of the low pass filter were designed less than 0.3 dB and better than 12.7 dB at 900 MHz. The RF switch module contained 10 embedded passives and 3 surface mount components integrated on $4.6{\times}4.8{\times}1.2$ nm, 6-layer multi-layer integrated circuit. The insertion loss of switch module was measured at 900 MHz was 11 dB.

• 대한기계학회논문집B
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• 제37권1호
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• pp.75-79
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• 2013

반도체 수요의 폭발적인 증가와 기술의 진보로 단위면적당 소자수가 늘어나고 있다. 그에 따라 단위면적당 발열량이 더욱 높아져서 반도체의 수명과 신뢰성 보장을 위한 냉각문제의 해결이 점점 중요해지고 있다. 특히, 집적도를 높이기 위해 소자를 기판에 매립하는 chip-in-board (CIB) 패키지에서는 방열이 더욱 심각한 문제가 된다. 본 논문에서는 각기 다른 재질의 층으로 구성된 열 전달모형을 설정하고, 3 차원 열 전달 해석으로 적절한 경계 조건에 맞추어 계산하였다. 이를 토대로 발열량을 정량적으로 예측하여 실제모델에 적용 될 수 있는 설계자료로 이용하고자 한다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제14권2호
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• pp.41-47
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• 2007

현재 PCB기판내에 소재나 칩부품을 이용하여 커패시터나 저항을 구현하여 내장시키는 임베디드 패시브기술에 대한 연구가 많이 진행되어 지고 있다. 본 연구에서는 커패시터 용량이나 인덕터의 특성이 검증된 칩부품을 기판내 내장시켜 다이플렉서 기판을 제작하였다. $880\;MHz{\sim}960\;MHz(GSM)$영역과 $1.71\;GHz{\sim}1.88\;GHz(DCS)$영역을 나누는 회로를 구성하기 위해 1005크기의 6개 칩을 표면실장 공정과 함몰공정으로 형성시켜 Network Analyzer로 측정하여 비교하였다. chip표면실장으로 구현된 Diplexer는 GSM에서 최대 0.86 dB의 loss, DCS에서 최대 0.68 dB의 loss가 나타났다. 표면실장과 비교하였을 때 함몰공정의 Diplexer는 GSM 대역에서 약 5 dB의 추가 loss가 나타났으며 목표대역에서 0.6 GHz정도 내려갔다. 칩 전극과 기판의 도금 연결부위는 $260^{\circ}C$, 80분의 고온공정 및 $280^{\circ}C$, 10초의 솔더딥핑의 열충격 고온공정에서도 이상이 없었으며 특성의 변화도 거의 관찰되지 않았다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권2호
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• pp.105-109
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• 2005

본 논문은 LTCC 공정에 기반을 둔 GSM/DCS dual band 의 소형화된 antenna switch module을 공정변수 따른 특성의 왜곡을 안정화시키는 연구를 수행하였다. 특히 tape thickness의 변화에 따라 패턴간의 기생 커플링이 주된 변수로 작용한다. 두께 50um인 tape으로 제작된 시편의 사이즈는 $4.5{\times}3.2{\times}0.8 mm^3$이고 insertion loss는 Rx mode와 Tx mode 각각 ldB. 1.2dB 이하이다. 공정상에서 tape thickness의 변화에 따라 개발된 모듈의 특성 안정성을 검증하기 위해 각 블록-다이플렉서,필터, 바이어스 회로-을 probing method을 이용, 측정하였고, 각 블록간의 상호관계는 VSWR을 계산하여 비교하였다. 또한 회로적 관점에서 특성 개선을 위해 바이어스 회로부분의 집중소자형과 분포소자형을 구현하여 서로 비교 분석하였다. 이를 통해 각 블록의 측정과 계산된 VSWR의 데이터는 공정변수에 의해 변화된 전체 module의 특성과 안정성 거동을 파악하는데 좋은 정보를 준다. Tape thickness변화에도 불구하고 다이플렉스의 matching값은 연결되는 바이어스 회로와 LPF의 matching값과 상대 matching이 되면서, 낮은 VSWR을 유지하여 전체 insertion loss가 안정화되는 것을 확인하였다. 더불어 분포소자형 바이어스 회로보다는 집중소자형이 다른 회로블럭과의 관계에서 더 좋은 매칭을 이루어 loss개선에 일조하였다. Tape thickness가 6 um이상의 변화를 가져와도 집중소자형 바이어스 회로는 낮은 손실을 유지하여 더 넓은 안정 범위를 가져오기 때문에 양산에 적합한 구조가 될 수 있다 그리고, probing method에 의한 안정성 특성 추출은 세라믹에 임베디드된 수동회로들의 개발에 충분히 적용될 수 있다.