MEMS 소자는 현재의 전자산업환경에서 여러 요구조건을 만족시킬 수 있는 특징을 갖추고 있으며 이러한 MEMS 소자를 이용한 MEMS 구조물의 packaging 방법에 있어서는 내부 MEMS 소자의 동작을 위한 외부 환경으로부터의 보호를 위하여 Hermetic sealing에 대한 요구를 충분히 만족시켜야 한다. 본 논문에서는 이와 같은 MEMS device의 진공 패키지를 구현함에 있어서 기판내부에 수동소자를 실장할 수 있는 LTCC 기술$^{1)}$ 을 이용하여 진공 패키징하는 방법에 대하여 소개한다. 본 기술을 이용하는 경우 기존의 Hermetic sealing이외에 향후 적층 기판 내부에 수동소자를 내장시켜 배선 길이 및 노이즈 성분을 감소시켜 더욱 전기적 성능을 향상시킬 수 있는 장점이 있게된다. 본 논문에서는 LTCC기판을 이용하여 패키징 시킨 후, 내부 진공도에 영향을 줄 수 있는 계면들에서의 시간에 따른 진공도 변화로부터 leakage rate를 측정 (stacked via : $4.1{\pm}1.11{\times}10^{-12}$/Torr1/sec, LTCC 기판/AgPd/solder/Cu의 여러 가지 계면구조: $3.4{\pm}0.33{\times}10^{-12}$/ Torrl/sec)하여 LTCC 기판의 Hermetic sealing 특성에 관하여 조사하였다. 실제 적용의 한 예로 LTCC 기술을 이용하여 Bolometer를 성공적으로 진공패키징할 수 있었으며 실제 관찰된 이미지를 함께 소개한다.
Journal of information and communication convergence engineering
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제11권1호
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pp.45-49
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2013
A compact radio frequency (RF) bandpass filter (BPF) in low temperature co-fired ceramic (LTCC) is suggested for WiMAX applications. The center frequency ($f_0$) of the BPF is 5.5 GHz and its pass band or 3-dB bandwidth is 700 MHz to cover all the three major bands, low and middle unlicensed national information infrastructure (U-NII; 5.15-5.35 GHz), World Radiocommunication Conference (5.47-5.725 GHz), and upper U-NII/industrial, scientific, and medical (ISM) (5.725-5.85 GHz), for the WiMAX frequency band. A lumped circuit element design-the 5th order capacitively coupled Chebyshev BPF topology-is adopted. In order to design a compact RF BPF, a very thin ($43.18{\mu}m$) ceramic layer is used in LTCC substrate. An interdigital BPF is also designed in silicon substrate to compare the size and performance of the lumped circuit element BPF. Due to the high relative dielectric constant (${\varepsilon}_r$ = 11.9) of the silicon substrate, the quarter-wavelength resonator of the interdigital BPF can be reduced. In comparison to the 5th order interdigital BPF at $f_0$ = 5.5 GHz, the lumped element design is 24% smaller in volume and has 17 and 7 dB better attenuation characteristics at $f_0{\pm}0.75$ GHz.
The design, modeling and measurement of RF switch module for GSM applications is presented in this paper. RF switch module is constructed using a LTCC multi-layer switching circuit and integrated low pass filter. Insertion and return loss of the low pass filter were designed less than 0.3 dB and better than 12.7 dB at 900 MHz. The RF switch module contained 10 embedded passives and 3 surface mount components integrated on $4.6{\times}4.8{\times}1.2$ mm, 6-layer multi-layer integrated circuit. The insertion loss of switch module was measured at 900 MHz was 11 dB.
The design, simulation, modeling and measurement of a RF switch module for GSM applications were presented in this paper. switch module were simulated by ADS and constructed using a LTCC multi-layer switching circuit and integrated low pass filter, designed to operate in the GSM band. Insertion and return losses at 900 MHz of the low pass filters were designed to lower than 0.3 dB and higher than 12.7 dB respectively. The switch module constructed, contained 10 embedded passives and 3 surface mounted components integrated on $4.6{\times}4.8{\times}1.2$ m volume, 6-layer integrated circuit. The insertion loss of switch module at m MHz were around 11 dB.
This paper presents a semi-lumped balun transformer using conventional PCB process and its design theory and geometry for the maximally flat response and wide bandwidth using magnetically coupled LC resonators. The proposed balun is comprised of two pairs of coupled resonators which share one among three LC resonators. It provides an identical magnitude and phase difference of 180° between two balanced ports with DC isolation and an impedance transformation characteristic. Theoretical design and analysis were performed to optimize the inductance and capacitance values of proposed balun device for obtaining the wide bandwidth and maximally flat response in its pass-band. Three balun transformers with a center frequency of 500 MHz were demonstrated for proving the concept of design proposed. They were fabricated by using lumped chip capacitors and planar inductors embedded into a conventional 4-layered PCB substrate. They exhibited a maximum magnitude difference of 0.8 dB and phase difference within 2.4 degrees.
한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 일렉트렛트 및 응용기술
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pp.23-26
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2002
In ceramic systems using LTCC, many components including embedded passives and TRL's are used for composition of 3-dimensional circuit. So the exact analysis on this components must be performed. As for the TRL's, material properties including electrical conductivity of metal, loss factor and effective dielectric constant of dielectric material and geometrical factors like roughness of surface, vias, dimension of TRL structure have a large effect on the characteristics of transmission lines. Such properties of materials have different values in each system with ideal ones presented in text book. In this research, the effective material properties in each system are examined and the effect of material properties and geometrical factors on the characteristics of TRL's are analyzed and quantified by simulation and measurement.
Kim, Kil-Han;Ahn, Min-Su;Kang, Jung-Han;Yun, Il-Gu
ETRI Journal
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제28권2호
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pp.182-190
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2006
The circuit modeling of interdigitated capacitors fabricated by high-k low-temperature co-fired ceramic (LTCC) sheets was investigated. The s-parameters of each test structure were measured from 50 MHz to 10 GHz, and the modeling was performed using these measured sparameters up to the first resonant frequency. Each test structure was divided into appropriate building blocks. The equivalent circuit of each building block was composed based on the partial element equivalent circuit (PEEC) method. Modeling was executed to optimize the parameters in the equivalent circuit of each building block. The validity of the extracted parameters was verified by the predictive modeling for the test structures with different geometry. After that, Monte Carlo analysis and sensitivity analysis were performed based on the extracted parameters. The modeling methodology can allow a device designer to improve the yield and to save time and cost for the design and manufacturing of devices.
LTCC를 이용하여 2차원, 3차원 회로를 구성하는 경우에 R, L, C의 수동소자 이외에 stripline이나 microstripline인 같은 전송선로들이 첨가되게 된다. 따라서 이러한 전송선로들에 대한 정확한 분석을 필요로 하게 된다. 전송선로의 특성에서 유전체의 유효 유전율과 유전체 손실값, 도체의 유효 전기전 도도와 같은 물성치와 도체 및 유전체 표면의 거칠기, 구조의 크기와 같은 기하학적인 특성들이 영향을 주게 된다. 본 연구에서는 스트립라인 구조을 대상으로 위의 물성치와 구조에 관한 변수들을 정량화 함으로써 stripline구조를 분석하고 그 특성을 정량화하였다.
This paper focuses on the design for Rx/Tx switch module of GSM(global standard mobile) band, characterization of a miniature, low power and dual-band implementation of the front-end switch module with low-pass filer And the effort to make agreement between the simulated design and the measured data for these solutions takes the place through accumulated design and manufacturing data library. We present the design, modeling and measurement of switch module integrating GSM Rx/Tx switching circuit and LPF(low pass filter) on a LTCC(low temperature co-fired ceramic) substrate. For GSM application, insertion and return loss of the low pass filter designed was less than 0.3 dB which was less than 12.7 dB at 900 MHz. The LTCC switch module contained 10 embedded passives and 3 surface mount components integrated on 4.6$\times$4.8$\times$1.2 mm, 6-layer multi-layer integrated circuit. The insertion loss of switch module measured at 900 MHz was 11 dB. In both of the design approach yielded excellent agreement between measured and simulated results.
Modern industry has focused on processing that produce low- loss dielectric substrates used complex micron-sized devices using tick film technologies such as tape casting and slip casting. However, these processes have inherent disadvantages fabricating high density interconnect with embedded passives for high speed communication electronic devices. Here, we have successfully fabricated porous alumina dielectric layer infiltrated with polymer solution by using inkjet printing process. Alumina suspensions were formulated as dielectric ink that were optimized to use in inkjet process. The layer was confirmed by field emission scanning electron microscope (FE-SEM) for measuring microstructure and volume fraction. In addition, the reaction kinetics and electrical properties were characterized by FT-IR and the impedance analyzer. The volume fraction of alumina in porous dielectric alumina layer is around 70% much higher than that in the conventional process. Furthermore, after infiltration on the dielectric layer using polymer resins such as cyanate ester. Excellent Q factors of the dielectric is about 200 when confirmed by impedance analyzer without any high temperature process.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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