• 제목/요약/키워드: electroluminescence (EL)

검색결과 210건 처리시간 0.026초

Graphene을 첨가하여 스크린 프린팅으로 제작한 ZnS:Cu,Al 무기 전계발광 소자의 광특성 (Optical Properties of Graphene Doped ZnS:(Cu,Al) Inorganic Electroluminescence Devices by Screen Printing)

  • 조성호;이상남
    • 한국광학회지
    • /
    • 제26권5호
    • /
    • pp.265-268
    • /
    • 2015
  • 본 연구에서는 스크린 인쇄 방법을 이용하여 무기 전계발광 소자를 제작하였다. 발광층은 녹색 형광체인 ZnS : Cu, Al을 사용하고, 전도성 재료로 잘 알려진 graphene를 첨가하여 EL 소자의 발광 휘도 및 효율을 향상시키고자 하였다. Graphene의 농도증가에 따라 PL 휘도는 다소 감소하였으나, EL 발광 효율의 증가를 확인하였으며, 0.6 wt% 첨가에서 가장 높은 휘도를 나타냈다.

전기발광고분자의 양자효율 측정 (Determination of photo- and electroluminescence quantum efficiency of semiconducting polymers)

  • 이광희;박성흠;김진영;진영읍;서홍석
    • 한국광학회지
    • /
    • 제13권2호
    • /
    • pp.128-133
    • /
    • 2002
  • 최근 주목을 받고 있는 고분자 발광다이오드의 개발에 있어서, 발광고분자의 Photoluminescence(PL)와 Electroluminescence (EL) 양자효율 측정은 소자의 성능개선 연구 등에 있어서 가장 핵심적인 요소 중 하나로 여겨진다. 이러한 이유에서 본 연구에서는 잘 알려진 발광고분자인 Poly(2-methoxy-5(-(2-ethyl-hexyloxy)- 1,4-phenylenevinylene) (MEH- PPV)를 이용하여 시편을 제작하고, 적분구 측정법을 이용하여 이의 P교라 EL 양자효율을 구하였다. 그 결과 본 연구진이 개발한 MEH-PPV의 PL 양자효율은 8$\pm$2%로 측정되었는데, 이는 세계적으로 알려져 있는 ~9%의 결과에 거의 접근함을 보였다. 한편, 이 물질을 이용하여 고분자 발광다이오드를 제작한 결과, 이의 EL양자효율은 0.02 1m/W로 측정되었다. 본 연구를 통하여 확립된 발광고분자의 양자효율 측정법은 국내의 유기발광소자 연구에 큰 기여를 하리라 기대된다.

다공성 실리콘을 이용한 LED의 발광 특성에 관한 연구 (A Study on Characteristics of Light Emitting Diode with Porous Silicon)

  • 이성훈;이치우
    • 전기화학회지
    • /
    • 제3권1호
    • /
    • pp.39-43
    • /
    • 2000
  • n형 실리콘으로 제조한 다공성 실리콘을 이용하여 Light-emitting diode(LED)를 제작하고, LED를 구성하는데 있어서 전극 물질들을 변화시켰을 때 나타나는 LED의 전류 대 전압의 특성과 공급되어지는 전류의 세기에 따른 전계 발광 (Electroluminescence: EL) 세기의 변화를 관찰하고, 일정 전위에 대한 EL 세기의 시간 의존도를 여러 전위에 대해서 알아보았다. 또한 전극 물질과 다공성 실리콘층(Porous Silicon Layer: PSL)의 접촉 면적을 넓혀주기 위해서 In을 PSL 위에 전기 화학적으로 전착시켰을 때 나타나는 LED의 전기적 특성과 EL의 특성에 대해 알아보았다.

파장대역폭이 넓은 고휘도 발광소자를 위한 Chirped 양자점 구조의 광/전기 특성 분석 (Optical and Electrical Characteristics of Chirped Quantum Dot Structures for the Superluminescent Diodes with Wide Spectrum Bandwidth)

  • 한일기
    • 한국진공학회지
    • /
    • 제18권5호
    • /
    • pp.365-371
    • /
    • 2009
  • 크기가 다른 양자점 (chirped 양자점) 구조에 대하여 전기발광 (Electroluminescence, EL) 특성과 광발광 (Photoluminescence, PL) 특성을 측정하고 비교 분석하였다. PL 특성에서는 양자점의 기저준위에 의한 피이크가 우세하게 나타난 반면, EL 특성에서는 여기준위에 의한 특성이 우세하게 나타났다. 이와 같은 특성비교로부터 기저준위도 EL 특성에 영향을 미칠 수 있도록 chirped 양자점 구조를 설계하면 파장대역폭이 더욱 넓은 고휘도 발광소자 개발이 가능할 것임을 제안하였다.

Probeless Estimation of Electroluminescence Intensities Based on Photoluminescence Measurements of GaN-Based Light-Emitting Diodes

  • Kim, Jongseok;Jeong, Hoon;Choi, Won-Jin;Jung, Hyundon
    • Current Optics and Photonics
    • /
    • 제5권2호
    • /
    • pp.173-179
    • /
    • 2021
  • The electroluminescence (EL) intensities of GaN-based light-emitting diodes (LEDs) are estimated based on their photoluminescence (PL) properties. The PL intensity obtained under open-circuit conditions is divided into two parts: the PL intensity under a forward bias lower than the optical turn-on voltage, and the difference between the PL intensities under open-circuit conditions and under forward bias. The luminescence induced by photoexcitation under a constant forward bias lower than the optical turn-on voltage is primarily the PL from the excited area of the LED. In contrast the intensity difference, obtained by subtracting the PL intensity under the forward bias from that under open-circuit conditions, contains the EL induced by the photocarriers generated during photoexcitation. In addition, a reverse photocurrent is generated during photoexcitation under constant forward bias across the LED, and can be correlated with the PL-intensity difference. The relationship between the photocurrent and PL-intensity difference matches well the relationship between the injection current and EL intensity of LEDs. The ratio between the photocurrent generated under a bias and the short-circuit current is related to the ratio between the PL-intensity difference and the PL intensity under open-circuit conditions. A relational expression consisting of the ratios, short-circuit current, and PL under open-circuit conditions is proposed to estimate the EL intensity.

Polycarbazole 유도체의 합성과 EL 특성 (The Synthesis and EL Properties of Polycarbazole Derivatives)

  • 유정이;이태훈;조종래;정수태;손세모
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
    • /
    • pp.1026-1029
    • /
    • 2003
  • Polycarbazole derivatives have been investigated for emitting materials of PLED. We synthesized two polymers containing carbazole chromophor, which are different from bonding position. We investigated the spectra of their absorption, photoluminescence, electroluminescence.

  • PDF

색소 doped 유기EL 소자에 의한 고효율화 (Organic Electroluminescence Device using Dye doped Emitting)

  • 임장순;강성종;노병규;오환술
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
    • /
    • 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(2)
    • /
    • pp.261-264
    • /
    • 2000
  • Organic light emitting diodes(OLEDs) have been expected to find an application as a new type of display since C. W. Tang and VanSlyke first reported on high performance OLEDs. This paper has been stuied a green organic EL device using dye doped emitting layer such as C6(Coumarin 6). In the Alq-based e]ectroluminescence diodes, we applied highly fluorescent molecular(Coumarin 6) and obtained enhancement in the electroluminescence efficiency.

  • PDF

O$_2$ 플라즈마 처리에 의한 ITO 표면개질 변화에 따른 유기 EL 소자 특성 (Modifications of ITO Surfaces in Organic EL Devices by $O_2$ Plasma Treatment)

  • 박상무;김형권;이덕출
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
    • /
    • 제52권6호
    • /
    • pp.261-266
    • /
    • 2003
  • We investigated the effect of oxygen plasma treatment of indium-tin oxide(ITO) surface on the performance of electroluminescence(EL) devices. ITO surface treated oxygen plasma has been analyzed using atomic force microscope(AFM) and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), to investigate the relations between the properties of the ITO surface and the properties of the current-voltage-luminance(I-V-L) characteristics of the fabricated OLED with the structure of ITO(plasma treatment) / TPD / Alq$_3$/ Al. It is found that the oxygen plasma treatment of ITO anode improve the hole injection of the OLED due to the modification of the surface states. The treated ITO anode nay be low voltage with high luminance efficiency.

P3HT와 PVK 블렌드 막에서의 전계 발광 특성 (Electroluminescence Properties from Blend films of poly(3-hexylthiophene) and poly(N-vinylcarvazole))

  • 김대중;김상기;구할본;정운조;박계춘
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
    • /
    • pp.972-975
    • /
    • 2002
  • Electroluminescence(EL) devices based on organic thin layers have attracted lot of interests because of their application as display. One of the problems is red material. It offered a short life and poor emission efficiency to boot. In this study, this problem can be solved by using a multi-layer device structure. Organic electroluminescent devices which are composed of organic thin multi-layer films are fabricated. The basic structure is ITO / Emitting layer / LiP / Al EL device in which Hole transport/Electron blocking PVK layer was blending. We demonstrate the enhancement of eletroluminescence (EL) from blends of poly(3-hexylthiophene) in poly(N-vinylcarvazole). The emitting layer is consisted of a host material(PVK) and a guest emitting material(P3HT). It was showed higher EL intensity and their electro-optical properties were investigated.

  • PDF

PBD를 Hole Blocking Layer로 이용한 적색발광의 EL 소자 제작에 관한 연구 (The study on Red device using PBD as a Hole Blocking Layer)

  • 강민웅;김종성
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
    • /
    • pp.499-501
    • /
    • 2002
  • 본 연구에서는 ETL층으로 널리 알려져 있는 PBD(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl) -1.3,4oxadiazole)를 HBL(Hole-blocking layer) 물질로 이용 하고 Nile red를 사용하여 적색 발광의 EL(electroluminescence) 소자를 제작 평가하였다. 일반적인 유기 EL 소자의 구조인 Anode/HTL(Hole Transport Layer)/ETL(Electron Transport Layer)/Cathode로 이루어져 있다. 여기에 HTL과 ETL사이에 HBL를 추가하여 EL 소자의 성능을 향상 시킬 수 있으면, 이러한 구조의 최종 소자를 제작 EML(emitting layer; Nile red)의 두께 및 임계전압을 달리 하여 소자 의 특성을 평가 연구 하였다.

  • PDF