We have fabricated the selective emitter solar cell using double textured nanowires structure. The $40{\times}40mm2$-sized silicon substrates were textured to form the pyramid-shaped surface and the nanowires were fabricated by metal assisted chemical etching process using Ag nanoparticles, subsequently. The heavily doped and shallow emitters for selectiv eemitter solar cells were prepared through the thermal $POCl_3$ diffusion and chemical etch-back process, respectively. The front and rear electrodes were prepared following conventional screen printing method and the widths of fingers have been optimized. The selective emitter solar cell using double textured nanowires structure achieved a conversion efficiency of 17.9% with improved absorption and short circuit current density.
한국표면공학회 2011년도 춘계학술대회 및 Fine pattern PCB 표면 처리 기술 워크샵
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pp.113-113
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2011
알루미늄 박막 커패시터 제작을 위해 선택적인 알루미늄 etching과 anodizing을 이용한 유전체($Al_2O_3$) 형성, 전극층 형성을 위한 무전해 Ni-P 도금을 진행하였다. $5{\mu}m$ patterns/$10{\mu}m$ space를 가지는 dot patterns을 알루미늄 기판에 patterning하고, 이를 각각의 전류밀도 조건에서 etching한 후, barrier type anodizing을 진행하였다. 유전체에 전극층은 무전해 Ni-P 도금을 통해 형성하였으며, 이렇게 제작된 알루미늄 박막 커패시터 특성을 평가하였다.
Adhesion strength of electroless-plated Ni, Ni-P and Cu deposites on alumina substrate has been studied. Grain boundary spaces produced on the substrate surface by etching treatment provided anchoring sites for enhancing the adhesion strength. Adhesion strengths of Ni-P and Ni deposit were higher than that of Cu deposit, because of higher initial nucleation rates than the latter. The electroless-plated Ni-P and Ni underlayer improved the adhesion strength of the Cu deposit. In could be attributed to the enhanced adhesion between the substrate and those underlayers as well as the satisfactory adhesion between Cu deposits and those underlayers. Heat treatment was also conducted in order to enhance the adhesion strength of Cu layer. The strength was enhanced by about 19% when the treatment was conducted at $150^{\circ}C$ for 2 hours. The enhancement was attributed to relief of internal stress and release of hydrogen.
PDA, 핸드폰과 같은 포터블 제품의 사용이 급증함에 따른 전자 제품의 사용 환경의 변화는 제품의 솔더 조인트 신뢰성을 더욱 필요로 하게 되었다. 무전해 니켈/금 도금 표면 처리는 솔더링 특성이 우수하고, 표면처리 두께가 균일하며 패키징 공정에서 사용되는 광학설비에서 인식이 잘되기 때문에 미세피치 SMT 디바이스와 BGA 기판에 폭넓게 사용되고 있다. 그러나 무전해 니켈/금 도금 표면과 솔더 계면에서 발생되는 취성 파괴가 문제점으로 지적되고 있다. 솔더의 취성 파괴는 솔더링시 금속간 화합물과 무전해 니켈층 사이에 형성된 P-rich 영역의 갈바닉 니켈 부식에 의한 black pad 현상에 기인한다. 이론적으로 평탄한 무전해 Ni표면은 무전해 금도금 과정 중 도금액의 균일하게 순환되기 때문에 black pad 발생을 억제하는 장점을 가지고 있다. 그러나 이러한 장점에도 불구하고 무전해 Ni층의 표면형상을 어떻게 제어 할지에 대한 연구는 충분히 이루어 지지 않고 있다. 본 연구에서는 Cu 하지층의 표면 형상이 무전해 Ni층의 표면 형상에 미치는 영향에 대하여 분석하였다. 이를 위해 Cu 에칭액과 Cu에칭 처리 횟수를 변화시켜 Cu 하지층의 표면 형상을 다양하게 변화시켰다.
Kim, Hyun-Su;Jin, Chang-Hyun;Park, Sung-Hoon;Kim, Hyoun-Woo;Lee, Chong-Mu
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제33권7호
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pp.2333-2337
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2012
We report the synthesis and thermal annealing of Si-core/ZnO-shell nanorods using a two-step process comprising the metal-assisted electroless etching of Si and the sputter deposition of ZnO. Transmission electron microscopy and X-ray diffraction analysis showed that the cores of the annealed core-shell nanorods were single crystal diamond cubic-type Si, whereas the shells of the annealed core-shell nanorods were single crystal wurtzite-type ZnO. The PL spectra of Si nanorods consisted of a broad red emission band and a weaker blue emission band. The major emission band of Si nanorods was shifted from 700 nm (in the red region) to 440 nm (in the violet region) by ZnO coating. The violet emission of the core-shell nanorods was enhanced in intensity considerably by annealing in an oxidizing atmosphere. The origin of the PL enhancement by annealing is also discussed.
Single-crystalline silicon nanowire arrays (SiNWAs) using electroless metal-assisted etchings of p-type silicon were successfully fabricated. Ag nanoparticle deposition on silicon wafers in HF solution acted as a localized micro-electrochemical redox reaction process in which both anodic and cathodic process took place simultaneously at the silicon surface to give SiNWAs. The growth effect of SiNWs was investigated by changing of etching times. The morphologies of SiNWAs were obtained by SEM observation. Well-aligned nanowire arrays perpendicular to the surface of the silicon substrate were produced. Optical characteristics of SiNWs were measured by FT-IR spectroscopy and indicated that the surface of SiNWs are terminated with hydrogen. The thicknesses and lengths of SiNWs are typically 150-250 nm and 2 to 5 microns, respectively.
Many fundamental studies have been carried out regarding waste water and hazardous gas treatments technologies using the photolysis effect of $TiO_2$. However, a permanent use of $TiO_2$ particles immobilized using organic or organic-inorganic binders is impossible. In this study, Ni-$TiO_2$ composite coating was produced by electroless plating to trap $TiO_2$ particles in the Ni coating layer. The electroless plating was performed in the bath solutions with three different concentrations of $TiO_2$ particles : 10 g/l, 20 g/l, and 40 g/l. The surface and photolytic characteristics of the coating layer was investigated by the use of SEM, a scratch tester, and an UV-Visible spectrophotometer. The results showed that the amounts of immobilized $TiO_2$ particles and the photolytic rate of the coating increased with the initial content of $TiO_2$ particles in the electroless bath. In addition, the photolytic rate of the Ni-$TiO_2$ composite coating was remarkably promoted by etching process in 10% HCl solution.
Cu circuits were successfully fabricated on flexible PET(polyethylene terephthalate) substrates using wettability difference and electroless plating without an etching process. The wettability of Cu plating solution on PET was controlled by oxygen plasma treatment and $SiO_x$-DLC(silicon oxide containing diamond like carbon) coating by HMDSO(hexamethyldisiloxane) plasma. With an increase of the height of the nanostructures on the PET surface with the oxygen plasma treatment time, the wettability difference between the hydrophilicity and hydrophobicity increased, which allowed the etchless formation of a Cu pattern with high peel strength by selective Cu plating. When the height of the nanostructure was more than 1400 nm (60 min oxygen plasma treatment), the reduction of the critical impalement pressure with the decreasing density of the nanostructure caused the precipitation of copper in the hydrophobic region.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제14권3호
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pp.133-138
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2013
Acrylonitrile-butadiene-styrene (ABS) plastic is a polymer material extensively used in electrical and electronic applications. Nickel (Ni) thin film was deposited on ABS by electroless plating, after its surface was treated and modified with atmospheric plasma generated by means of dielectric barrier discharges (DBDs) in air. The method in this study was developed as a pre-treatment for electroless plating using DBDs, and is a dry process featuring fewer processing steps and more environmentally friendliness than the chemical method. After ABS surfaces were modified, surface morphologies were observed using a scanning electron microscope (SEM) to check for any physical changes of the surfaces. Cross-sectional SEM images were taken to observe the binding characteristics between metallic films and ABS after metal plating. According to the SEM images, the depths of ABS by plasma are shallow compared to those modified by chemically treatment. The static contact angles were measured with deionized (DI) water droplets on the modified surfaces in order to observe for any changes in chemical activities and wettability. The surfaces modified by plasma showed smaller contact angles, and their modified states lasted longer than those modified by chemical etching. Adhesion strengths were measured using 3M tape (3M 810D standard) and by 90° peel-off tests. The peel-off test revealed the stronger adhesion of the Ni films on the plasma-modified surfaces than on the chemically modified surfaces. Thermal shock test was performed by changing the temperature drastically to see if any detachment of Ni film from ABS would occur due to the differences in thermal expansion coefficients between them. Only for the plasma-treated samples showed no separation of the Ni films from the ABS surfaces in tests. The adhesion strengths of metallic films on the ABS processed by the method developed in this study are better than those of the chemically processed films.
In this review paper, we will discuss about the methods of synthesizing Si nanowires by Top-down and Bottom-up. Silicon nanowires have a lot of application on various fields such as Li ion batteries, solar cells, chemical and biological sensors. We will address some of the applications of silicon Nanowires.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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