• ETRI Journal
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• 제45권1호
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• pp.163-170
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• 2023

We report an electroabsorption modulator (EAM)-integrated distributed Bragg reflector laser diode (DBR-LD) capable of supporting a high data rate and a wide wavelength tuning. The DBR-LD contains two tuning elements, plasma and heater tunings, both of which are implemented in the DBR section, which have blue-shift and red-shift in the Bragg wavelength through a current injection, respectively. The light created from the DBR-LD is intensity-modulated through the EAM voltage, which is integrated monolithically with the DBRLD using a butt-joint coupling method. The fabricated chip shows a threshold current of approximately 8 mA, tuning range of greater than 30 nm, and static extinction ratio of higher than 20 dB while maintaining a side mode suppression ratio of greater than 40 dB under a window of 1550 nm. To evaluate its modulation properties, the chip was bonded onto a mount including a radiofrequency line and a load resistor showing clear eye openings at data rates of 25 Gb/s nonreturn-to-zero and 50 Gb/s pulse amplitude modulation 4-level, respectively.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1999년도 제16회 광학 및 양자전자 학술발표회Proceedings of 16th Optics and Quantum Electronics Conference, 1999
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• pp.102-103
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• 1999

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권5호
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• pp.93-99
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• 1998

The chirping characteristics of InGaAsP electroabsorption modulatiors have been analyzed. The effective .alpha. parameters for large signal modulation were estimated by comparing the pulse shape after fiber transmission with constant chirping assumption.We investigated the structure and the operating condition of the modulator to improve the chirping characteristics. The .alpha. parameters were calculated as the function of wavelength detuning and the bias voltage. To minimize the chirping performance, high bias voltage and a small wavelength detuning and the bias voltage. To minimize the chirping performance, high bias voltage and a small wavelength detuning were preferred. An negative .alpha. value is achieved at the wavelength detuning below 30meV with a proper bias voltage so that pulse compression effect was expected.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2008년도 동계학술발표회 논문집
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• pp.291-292
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• 2008

We fabricated 40Gbps electroabsorption modulator-integrated DFB lasers (EMLs). Adopting traveling-wave (TW) electrode and tilted facet improved high-frequency characteristics of EMLs. The 3dB bandwidth of E/O response for TW-EML was as large as 34 GHz, as compared with 27 GHz for lumped EML. Tilted facet formed by dry etching processes successfully reduced the optical feedback and the resonance in E/O response decreased to as small as 2.8 dB.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제11권3호
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• pp.133-137
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• 2007

We compare electroabsorption modulators (EAMs) with multiple quantum wells (MQWs) based on InGaAs(P)/InP and InGa(Al)As/InAlAs material systems. We carefully choose the quantum-well structures so that the structures based on different material systems have similar band-offset energies and excition-peak wavelengths. Assuming the same light wavelength of $1.55{\mu}m$, we show the transfer functions of EAMs with each quantum-well structure and calculate the escape times of photogenerated charge carriers. As the heavy-hole escape time of the quantum well based on InGaAs(P)/InP is much longer than those of photogenerated charge carriers of InGa(Al)As/InAlAs, the EAM based on the InGa(Al)As/InAlAs material seems to be more suitable for high-optical-power operation.

• 한국광학회지
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• 제10권3호
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• pp.254-258
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• 1999

전계흡수형 반도체 광도파로에서 흡수된 빛에 의해 발생된 광전류는 전파되는 파장에 따라 Fabry-Perot 모드의 간섭패턴을 나타냄을 보이고, 이로부터 인가전압에 따른 흡수계수의 변화를 측정할 수 있는 방법을 제시하였다. 광전류 신호는 파장에 따라 공명 반공명을 반복해서 나타내며 그 진폭은 흡수계수의 크기에 의존하므로 전계에 따른 흡수계수의 변화량을 측정 할 수 있었고, 1.55 $\mu\textrm{m}$ 파장에서 역전압 1.5V 인가시 bulk in GaAsP의 흡수계수 변화는 대략 157cm-1임을 알 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제16회 학술발표회 논문개요집
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• pp.85-85
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• 1998

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1996년도 Advance Program of 13th optics andquantum Electronics conference, 1996제13 회 광학 및 양자전자 학술 발표회 논문 요약집
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• pp.31-31
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• 1996

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1997년도 Advance Program of 14th optics andquantum Electronics conference, 1997제14 회 광학 및 양자전자 학술 발표회 논문 요약집
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• pp.46-46
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• 1997

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권8호
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• pp.580-587
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• 2003

본 논문에서는 진행파형 전계흡수 변조기 (TW-EAM: traveling-wave electroabsorption modulator)의 선형성을 분석하기 위한 새로운 모델을 제시한다. TW-EAM은 소자의 길이, 마이크로파 손실 (microwave loss, ML), 그리고 임피던스 부정합에 의한 내부반사(internal reflection, IR) 등이 소자의 선형성에 영향을 미친다. 소자의 길이의 증가는 혼변조 왜곡 (intermodulation distortion, IMD)이 최소가 되는 전원전압의 크기를 감소시킨다. ML의 증가는 3차 혼변조 왜곡 (third-order IMD, IMD3)의 감소와 동시에 출력신호의 전력도 감소시킨다. IR은 입력주파수의 파장과 소자의 길이에 따라 각기 다른 IMD 특성을 나타낸다. ML 또는 IR에 의한 SFDR (spurious-free dynamic-range)의 변화는 거의 없었으며, TW-EAM의 IR을 이용하면 ML에 의한 신호 전력의 감쇄를 보상해 줄 수 있음도 알 수 있었다. 결과적으로 50 GHz 대역의 RF-광통신용 TW-EAM은 길이가 0.8 mm이고 출력단의 임피던스 부정합을 이용하면서 최소의 손실을 가지는 구조가 적당함을 알 수 있었다.