• ETRI Journal
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• 제30권5호
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• pp.723-728
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• 2008

In this paper, a simple transmission line model for an edge-coupled patch antenna is presented. The coupled section is modeled with a lump network which represents the mutual admittance between patches and from patch to ground. Theoretical analysis of two edge-coupled patch antenna models are compared by simulation and experiment in antennas designed to operate at the 2 GHz band. The proposed model predicts the return loss of the antenna accurately.

• 한국전자파학회논문지
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• 제15권11호
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• pp.1100-1107
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• 2004

본 논문에서는 다단 결합선로 여파기(edge coupled-line filter)의 입출력단을 탭 선로(tapped-line)의 형태로 구현하기 위하여 등가회로 기반의 새로운 설계법을 개발하여 적용하였다. 다단 결합선로 여파기는 입출력단의 선로 간격이 매우 좁아서(수 mil) 제작하기가 힘든 결함이 있는데, 이를 탭 선로로 대체함으로써 제작 시 오차에 덜 민감하고 밀링머신으로 쉽게 제작할 수 있도록 하였다. 또한, 본 논문에서 제안된 간단한 설계법을 사용하면 20 GHz 이하의 주파수 대역에서 20 % 이하의 대역폭 특성을 갖는 탭 선로의 파라미터를 얻을 수 있으며, 이를 바탕으로 정확한 탭 선로 여파기를 설계할 수 있다.

• 한국통신학회논문지
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• 제11권6호
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• pp.388-395
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• 1986

Spectral domain에서 hybrid mode 분석과 Galerkin method를 사용하여 차폐된 단일, 결합 및 edge-offset 마이크로 스트립 구조의 분산특성을 고찰하였다. 진행방향의 스트립 전류에 대한 새로운 2개의 basis function이 제안되었으며 그들을 사용한 수치해의 수렵속도를 비교하였다. 결합 마이크로 스트립의 전류분포는 단일 마이크로 스트입의 전류분포로부터 Fourier변환의 shift theorem을 이용하여 얻었으며 off-centered 스트립의 분산에 대한 영향이 논의되었다. 수치 결과들은 여러가지 구조 parameter 들을 포함하여 다른 유용한 data 들과 비교한 결과 잘 일치함을 알 수 있었다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2003년도 종합학술발표회 논문집 Vol.13 No.1
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• pp.371-375
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• 2003

In this paper, a new design method for coupled-line filters with tapped input/output has been developed. The design equations for this tapped filter have been obtained using a new equivalent circuit model of tapped lines. From an edge coupled-line filter, tapped lines replaces the input/output coupled lines which tend to have very narrow gaps (few mils). Therefore, tapped coupled-line filters tend to be less sensitive to filter fabrication tolerances and to be easily fabricated using milling tools. The new filter design algorithm allows very accurate filter design for frequencies less than 20 GHz and bandwidth less than 20%. Above 20 GHz, the filter performance can be optimized starting from the filter design algorithm in this paper. Simulation problems with 2-D EM tools to characterize filter performance at high frequencies have shown to be solved by providing a channel for the filter to eliminate higher order modes.

• 한국전자파학회논문지
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• 제13권10호
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• pp.1078-1082
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• 2002

두 스텁이 커플된 마이크로스트립 계단 임피던스 저역통과 필터의 전송선로의 폭과 edge 캐패시턴스의 변화에 따른 삽입손실 특성을 연구하였다. 이 구조에서 커플링효과는 전송선로의 폭과 스텁의 갭 간격에 의존하며 적절한 조건에서 3개의 감쇄폴이 생겨 넓은 저지대역을 가진다. 또한, 두 스텁 사이에 존재하는 edge 캐패시턴스는 3개의 감쇄폴을 가지기 위해서 중요한 역할을 한다. 이것을 [S] 파라피터를 구하여 확인했다.

• Progress in Superconductivity
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• 제2권2호
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• pp.81-85
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• 2001

Uniformity of critical currents of YBa$_2$Cu$_3$O$_{7}$ step-edge Josephson junctions on SrTiO$_3$(100) substrates have been studied at various step-line angles. 15 identical junctions were made in series on each substrate that has a long straight step-edge line. Step-line angles studied were 0$^{\circ}$, 15$^{\circ}$, 30$^{\circ}$, and 45$^{\circ}$with respect to the crystal major axes of the substrate. Scattering of junction critical currents among the junctions on the same substrate increased with the step-line angle. Current-voltage curves showed standard resistively-shunted-junction (RSJ) characteristics in most of the 0$^{\circ}$junctions. However, the number of junctions showing RSJ behavior decreased with increasing step-line angle. Variations of detailed microstructure of the step-edge among junctions, which are coupled with the d-wave symmetry of YBa$_2$Cu$_3$O$_{7}$, are believed to be the main cause for the nonuniformity in the critical current.ent.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권2호
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• pp.39-44
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• 1994

A theoretical method has been considered for the analysis of a cylindrical edge-slot antenna which belongs to a class of circumferential slot antennas that are suitable for conformal mounting on conducting bodies of revolution. A coupled integral equation is formulated for unknown magnetic currents of both the coaxial aperture and the edge slot, and solved by the moment method. Theoretical values for reflection coefficient obtained based upon the method are compared with our experimental values and other author's results available. There arre good agreement between them.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제42권7호
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• pp.41-48
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• 2005

본 연구에서는 60 GHz 대역의 무선 LAN(Wireless Local Area Network) 시스템에서 Balanced 구조를 갖는 증폭기나 믹서에 응용이 가능한 CPW(Coplanar Waveguide)구조의 Tandem 형 3-dB 방향성 결합기를 설계하고 제작하였다. 이는 기존의 edge-coupled 선로를 이용한 3 dB 결합기가 가지는 제작의 어려움과 방향성의 문제를 개선하기 위해 단일 결합선로를 다단으로 평행하게 연결한 구조이다. 우리는 소자의 크기와 제작의 용이함을 고려해, 결합계수가 -8.34 dB를 갖는 단일 결합선로를 2단으로 평행하게 연결한 구조를 채택하였다. 그리고 기존의 Tandem 결합기 제작에서 사용되어왔던 다층 기판 구조나 본딩 구조가 아닌 에어브리지 구조를 이용하여 단일 평면으로 쉽게 구현할 수 있도록 하였고, V-band(50 $\~$75 GHz)내에서 동작할 수 있도록 기생성분을 줄이고 소자 특성을 유지시켰다. 측정결과 V-band에서 완만한 3.5 $\~$4 dB의 결합도와 87.5$^{\circ}{\pm}1^{\circ}$ 의 위상차를, 60 GHz 에서는 30 dB 이상의 방향성을 확인하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권8호
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• pp.783-788
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• 1996

In this paper, the high-$T_c$ , superconductor (HTS) microstrip patch antenna which is directly coupled to a microstrip transmission line is designed and the numerical solution which evaluate near electromagnetic field of HTS antenna is presented. This solution uses the interpolation function with the vector edge triangular element. The advantage of this element is the elimination of spurious solutions attributed to the lack of enforcement of the divergence condition. The results of this method have a good agreement with $TM_10$ mode in HTS microstrip patch antenna and show that the computation of resonant length considering the fringing capacitance effect at radiating edge are proper.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.458-458
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• 2010

The process window for the etch selectivity of silicon nitride ($Si_3N_4$) layers to extreme ultra-violet (EUV) resist and variation of line edge roughness (LER) of EUV resist were investigated durin getching of $Si_3N_4$/EUV resist structure in a dual-frequency superimposed capacitive coupled plasma (DFS-CCP) etcher by varying the process parameters, such as the $CH_2F_2$ and $N_2$ gas flow rate in $CH_2F_2/N_2$/Ar plasma. The $CH_2F_2$ and $N_2$ flow rate was found to play a critical role in determining the process window for infinite etch selectivity of $Si_3N_4$/EUV resist, due to disproportionate changes in the degree of polymerization on $Si_3N_4$ and EUV resist surfaces. The preferential chemical reaction between hydrogen and carbon in the hydrofluorocarbon ($CH_xF_y$) polymer layer and the nitrogen and oxygen on the $Si_3N_4$, presumably leading to the formation of HCN, CO, and $CO_2$ etch by-products, results in a smaller steady-state hydrofluorocarbon thickness on $Si_3N_4$ and, in turn, in continuous $Si_3N_4$ etching due to enhanced $SiF_4$ formation, while the $CH_xF_y$ layer is deposited on the EUV resist surface. Also critical dimension (and line edge roughness) tend to decrease with increasing $N_2$ flow rate due to decreased degree of polymerization.