전이 금속(Ni, Co), 희토류(Ce, Pr, Eu) 및 Al이온 치환 Ba 훼라이트박막을 스퍼터법으로 제조하여, 그 구조, 자기적 및 자기광학적 성질(1.0eV~3.2eV)을 조사하였다. 막 제작시의 투입 rf 전역 밀도를 조절하는 것에의해, 막 중의 결정립의 크기를 수 100 nm-수 nm로 제어하는데 성공했다. Fe를 Al으로 치환하는 것에의해 각형 히스테리시스 루우프를 얻는데 성공했다. Ni이온이 가시역에서 페러데이 회전을 크게 증가시키는 것을 발견했다. Co이온이 근적외선 영역에서 페러데이 회전을 크게 증가시키는것을 확인했다. Ce, Pr, Eu이온데 의한 페러데이 회전의 증가는 관찰되지 않았다. 이들 이온 치환 막의 자기적 및 자기광학적 성질의 기원에 대해 고찰했다.
차세대 화합물 반도체 플랫폼으로 각광을 받고 있는 GaN 전자소자 글로벌 연구개발 동향에 관하여 기술하고자 한다. GaN 전자소자는 와이드 밴드갭(Eg=3.4eV)과 고온 안정성($700^{\circ}C$) 등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF 전력증폭기와 고전력용 전력반도체 응용에 큰 장점을 가진다. GaN 전자소자 기술동향에서는 먼저 미국, 유럽, 일본을 중심으로 한 대형 국책 연구프로젝트 분석을 통한 RF 전력증폭기 연구개발 방향을 살펴보고, 후반부에서는 이동통신 기지국, 선박 및 군용 레이더 트랜시버용 고출력 RF 전력증폭기의 응용 분야에 관하여 알아본다. 이러한 총체적인 동향분석을 통하여 차세대 반도체의 신시장 개척과 선진입을 위한 GaN 전자소자의 연구개발 방향과 조기상용화의 중요성을 함께 생각해보고자 한다.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제14권4호
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pp.342-345
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2014
An active frequency doubler monolithic microwave integrated circuit (MMIC) for E-band transceiver applications is presented in this letter. This MMIC has been fabricated in a commercial $0.1-{\mu}m$ GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) process on a 2-mil thick substrate wafer. The fabricated MMIC chip has been measured to have a high output power performance of over 13 dBm with a high fundamental leakage suppression of more than 38 dBc in the frequency range of 71 to 86 GHz under an input signal condition of 10 dBm. A microstrip coupled line is used at the output circuit of the doubler section to implement impedance matching and simultaneously enhance the fundamental leakage suppression. The fabricated chip is has a size of $2.5mm{\times}1.2mm$.
CuS (copper sulfide) thin films having the same thickness of 100nm were deposited on the glass substrates using by radio frequency (RF) magnetron sputtering method. RF powers were applied as a process variable for the growth of CuS thin films. The structural and optical properties of CuS thin films deposited under different power conditions (40-100W) were studied. XRD analysis revealed that all CuS thin films had hexagonal crystal structure with the preferential growth of (110) planes. As the sputtering power increased, the relative intensity of the peak with respect to the (110) planes decreased. The peaks of the two bands (264cm-1 and 474cm-1) indicated in the Raman spectrum exactly matched the typical spectral values of the covellite (CuS). The size and shape of the grains constituting the surface of the CuS thin films deposited under the power condition ranging from 40W to 80W hardly changed. However, the spacing between crystal grains tended to increase in proportion to the increase in sputtering power. The maximum transmittance of CuS thin films grown at 40W to 80W ranged from 50 % to 51 % based on 580nm wavelength, and showed a relatively small decrease of 48% at 100W. The band gap energy of the CuS thin films decreased from 2.62eV (at 40W) to 2.56eV (at 100W) as the sputtering power increased.
II-VI의 넓은 밴드갭 (3.37 eV)을 가지는 ZnO는 solar cells, transparent conductive electrodes, ultraviolet light emitters, and chemical sensors 등에 응용되고 있다. 특히 고효율 ZnO계 발광 소자 구현을 위하여 MgO (7.7eV), CdO (2.0eV) 등의 고용을 통한 밴드갭을 엔지니어링 하며, 단파장 영역의 광원을 확보하기 위하여 MgO 첨가를 통한 밴드갭 에너지를 증가시키는 방향으로의 연구가 활발하다. 그러나 ZnO의 wurtzite 구조와 MgO의 rocksalt 구조의 상이한 결정구조로 인하여 Mg의 고용한계는 4 at. %, 4.1 eV 알려져 있다. 본 실험에서는 p-type Si (100), c-sapphire (0002)과 GaN 기판 위에 MgO (99.999 %)와 ZnO (99.999 %) 두가지 타겟을 사용하여 RF co-스퍼터링법으로 ZnMgO 박막을 증착 하였다. 이때 ZnO 타겟의 power 밀도는 고정 시키고 MgO 타겟의 power 밀도를 변화 시키며 Mg의 함량을 조절하여 그에 따른 광학적 구조적 특성의 변화를 연구 하였다. 성장된 ZnMgO 박막은 MgO 타겟의 power 밀도가 증가할 때 Mg의 함량이 10 at. %까지 증가 하며, 그에 따른 표면의 거칠기 및 입계 크기가 감소하며, 박막의 성장속도 또한 감소함을 SEM과 AFM을 통하여 알 수 있었다. XRD를 동하여 ZnMgO 박막의 (0002) peak의 위치는 $34.50^{\circ}{\sim}34.7^{\circ}$로 오른쪽으로 이동하며, c-축으로 성장하였음을 알 수 있다. PL과 UV룰 동하여, Mg의 함량이 증가 할수록 박막의 밴드갭 에너지는 3.2 eV에서 4.1 eV 로 증가하였다.
This study evaluated the anti-cholinesterases (ChEs) and antioxidant activities of white ginseng (WG) and black ginseng (BG) roots of Panax ginseng (PG), P. quinquefolium (PQ), and P. notoginseng (PN). Ginsenosides $Rg_1$, Re, Rf, $Rb_1$, Rc, $Rb_2$, and Rd were found in white PG, whereas Rf was not found in white PQ and Rf, Rc, and $Rb_2$ were not detected in white PN. The major ginsenoside content in steamed BG including $RK_3$, $Rh_4$, and 20(S)/(R)-$Rg_3$ was equivalent to approximately 70% of the total ginsenoside content. The WG and BG inhibited acetylcholinesteras (AChE) and butyrylcholinesterase (BChE) in a dose dependent manner. The efficacy of BG roots of PG, PQ, and PN on AChE and BChE inhibition was greater than that of the respective WG roots. The total phenolic contents and 2, 2-diphenyl-1-picryl-hydrazyl (DPPH) scavenging activity were increased by heat treatment. Among the three WG and BG, white PG and steamed black PQ have significantly higher contents of phenolic compounds. The best results for the DPPH scavenging activity were obtained with the WG and BG from PG. These results demonstrate that the steamed BG roots of the three studied ginseng species have both high ChEs inhibition capacity and antioxidant activity.
본 논문에서는 항공기 내의 RF 방사 신호로 인하여 비상 유압 경고등이 비정상으로 점등되는 현상에 대한 개선 방안을 연구하였다. RF 방사 신호의 전자파 간섭으로 비행 중에 비상 유압 시스템의 경고등이 점등되면, 비행 임무 및 안전에 영향을 주어 비행 임무의 효율 저해 및 정비 소요가 발생한다. 따라서, 비상 유압 경고등의 비정상 점등에 대해서 원인 분석 및 고장탐구를 수행하였다. RF 방사 신호의 경로에 있는 항공기의 동체 하부 복합체 스트립을 차폐하여 비상유입지시계로 유입되는 RF 방사 신호를 차단하도록 개선하였다. 또한, 지상과 비행 모니터링을 통해 개선 방안을 적용한 결과도 함께 기술하였다.
The $LiNbO_3$ thin films were prepared directly on Si(100) substrates by conventional RF magnetron spurttering system for nonvolatile memory applications. RTA(Rapid Thermal Annealing) treatment was performed for as-deposited films in an oxygen atmosphere at 600 $^{\circ}C$ for 60 s. The rapid thermal annealed films were changed to poly-crystalline ferroelectric nature from amorphous of as-deposition. The resistivity of the ferroelectric $LiNbO_3$ film was increased from a typical value of $1{\sim}2{\times}10^8{\Omega}{\cdot}cm$ before the annealing to about $1{\times}10^{13}{\Omega}{\cdot}cm$ at 500 kV/cm and reduced the interface state density of the $LiNbO_3/Si$ (100) interface to about $1{\times}10^{11}/cm^2{\cdot}eV$. Ferroelectric hysteresis measurements using a Sawyer-Tower circuit yielded remanent polarization ($P_r$) and coercive field ($E_c$) values of about 1.2 ${\mu}C/cm^2$ and 120 kV/cm, respectively.
Circadian rhythmicity (e.g. secretory pattern of hormones) plays an important role in the control of reproductive function. We hypothesized that the alteration of feeding pattern via meal time shift/restriction might disrupt circadian rhythms in energy balance, and induce changes in reproductive activities. To test this hypothesis, we employed simple animal model that not allowing $ad$$libitum$ feeding but daytime only feeding. The animals of $ad$$libitum$ feeding group (Control) have free access to food for 4 weeks. The day feeding (=reverse feeding, RF) animals (RF group) have restricted access to food during daytime (0900-1800) for 4 weeks. After completing the feeding schedules, body weights, testis and epididymis weights of animals from both group were not significantly different. However, the weights of seminal vesicle (control : RF group = $0.233{\pm}0.014g$ : $0.188{\pm}0.009g$, $p$<0.01) and prostate (control : RF group = $0.358{\pm}0.015g$ : $0.259{\pm}0.015g$, $p$<0.001) were significantly lower in RF group animals. The mRNA levels of pituitary common alpha subunit ($C{\alpha}$; control : RF group = $1.0{\pm}0.0699$ AU : $0.1923{\pm}0.0270$ AU, $p$<0.001) and $FSH{\beta}$ (control : RF group = $1.0{\pm}0.1489$ AU : $0.5237{\pm}0.1088$ AU, $p$<0.05) were significantly decreased in RF group. The mRNA levels of ACTH were not significantly different. We were unable to find any prominent difference in the microstructures of epididymis, and there were slight alterations in those of seminal vesicles after 4 weeks of reversed feeding when compared to control samples. The present study demonstrates that the shift and/or restriction of feeding time could alter the pituitary gonadotropin expression and the weights of seminal vesicle and prostate in rats. These data suggest the lowered gonadotropin inputs may decrease androgen secretion form testis, and consequently results in poor response of androgen-dependent tissues such as seminal vesicle and prostate.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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