• 제목/요약/키워드: dual-band VCO

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PBG 구조를 이용한 Dual-band VCO 설계 (Desing of Dual-band VCO Using PBG Structure)

  • 조용기;서철헌
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 통신소사이어티 추계학술대회논문집
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    • pp.64-67
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    • 2003
  • This paper presents the design of dual-band VCO using PBG structure for IEEE 802.11A/B. By adding switch circuit to the single-band VCO, we could achieve a dual-band VCO. The center frequencies of dual-band VCO are 5.93GHz(-13dBm) and 2.37GHz (3.50dBm). The phase noise is improved about l0dB by using PBG Structure.

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발진부 귀환 스위칭회로를 이용한 이동통신 단말기용 듀얼대역 전압제어 발진기 특성에 관한 연구 (A Study on the Dual-band VCO for Mobile Communication Terminal using Oscillation Part Switching Circuit)

  • 오태성;이영훈
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제13권1호
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    • pp.60-67
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    • 2002
  • 본 논문에서는 발진부 귀환경로에 스위칭소자를 이용하여 최소의 소자을 사용한 소형화된 새로운 방식의 이동통신 단말기용 듀얼대역 VCO(Voltage Control Oscillator)를 제안하였다. VCO에 공진기의 Q(Quality factor)값을 정확히 모델링하기 위하여 공진기를 등가 모델하고, 이론 수치 해석하여 최적의 공진기를 설계하였다. 본 논문에서 제안된 방식을 적용하여 GSM(Global System for Mobile), DCS(Digital Cordless System) 대역의 동작 주파수를 갖는 듀얼대역 전압제어 발진기를 설계하였으며, 논문의 객관성을 입증하기 위해 제작 및 실험을 통하여 새로 제안된 방식의 듀얼대역 전압제어 발진기의 실용화가 가능함을 확인하였고, 앞으로 차세대 이동통신 기기의 고주파 부품 등에 응용될 수 있을 것이다.

A 2.4 /5.2-GHz Dual Band CMOS VCO using Balanced Frequency Doubler with Gate Bias Matching Network

  • Choi, Sung-Sun;Yu, Han-Yeol;Kim, Yong-Hoon
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제9권4호
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    • pp.192-197
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    • 2009
  • This paper presents the design and measurement of a 2.4/5.2-GHz dual band VCO with a balanced frequency doubler in $0.18\;{\mu}m$ CMOS process. The topology of a 2.4 GHz VCO is a cross-coupled VCO with a LC tank and the frequency of the VCO is doubled by a frequency balanced doubler for a 5.2 GHz VCO. The gate bias matching network for class B operation in the balanced doubler is adopted to obtain as much power at 2nd harmonic output as possible. The average output powers of the 2.4 GHz and 5.2 GHz VCOs are -12 dBm and -13 dBm, respectively, the doubled VCO has fundamental harmonic suppression of -25 dB. The measured phase noises at 5 MHz frequency offset are -123 dBc /Hz from 2.6 GHz and -118 dBc /Hz from 5.1 GHz. The total size of the dual band VCO is $1.0\;mm{\times}0.9\;mm$ including pads.

주파수 체배기를 이용한 이중대역 무선 송신부 설계 (Design of Dual-Band WLAN Transmitter with Frequency Doubler)

  • 노희정
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제22권6호
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    • pp.116-126
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    • 2008
  • 본 논문에서는 2.4[GHz]와 5[GHz]로 동작하는 Dual-band WLAN 송신기의 설계에 대하여 기술한다. Dual-band WLAN 송신기는 2.4[GHz] 대역과 5[GHz] 대역에서 각각 동작할 수 있도록 설계되었다. 이중대역의 구조를 갖는 송신 부는 2.4[GHz] 과 5[GHz] 주파수에서 동작하는 증폭기와 두 개의 VCO(Voltage Controlled Oscillator)또는 주파수 가변 범위가 매우 넓은 VCO를 사용해야 한다. 이 문제는 크기와 소비전력으로 나타나며, 이를 해결하기 위하여 이중대역 송신 모듈을 제안하였다. 이 송신부는 단일 송신 블럭을 사용하여 입력되는 주파수와 인가하는 바이어스 전압에 따라, IEEE 802.11b/g의 2.4[GHz] 대역신호에 대해서는 증폭기로 동작하고 IEEE로 802.11a의 5.8[GHz] 대역신호는 주파수 체배 방식을 이용하여 출력신호를 얻도록 설계하였다. 출력스펙트럼은 중심주파수에서 각각 +11[GHz], +20[MHz], +30[MHz] offset인 주파수에서 적응형 방식이 아닌 경우와 비교하여 4[dB], 6[dB], 16[dB]의 ACPR특성이 향상되었으며, IEEE 802.11a 무선 랜 송신스펙트럼 마스크 규격을 만족하였다.

Photonic Bandgap 구조를 이용한 저 위상잡음 듀얼밴드 VCO에 관한 연구 (Low-Phase Noise Dual-band VCO Using PBG Structure)

  • 조용기;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제41권2호
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    • pp.53-58
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    • 2004
  • 본 논문에서는 부성저항을 갖는 발진부의 귀환 경로에 PIN 다이오드를 이용한 스위칭 회로를 추가하여 저 위상잡음 듀얼밴드 전압제어 발진기를 구현하였다. PIN 다이오드에 전원이 인가되지 않았을 때는 5㎓ 대역에서 발진이 일어나고, 인가되었을 때는 1.8㎓ 대역에서 발진이 일어난다. VCO의 위상잡음을 향상시키기 위하여 공진기에 PBG(Photonic Bandgap)구조를 접지 면에 적용하였다. 5.25㎓에서 출력 전력은 -9.17㏈m, 위상잡음은 -102㏈c/㎐이고, 1.8㎓에서 출력 전력은 -5.17㏈m, 위상잡음은 -101㏈c/㎐이다.

50%듀티 싸이클 버퍼를 가진 산술 연산 구조의 이중 대역 CMOS 전압 제어 발진기 (A Dual band CMOS Voltage Controlled Oscillator of an arithmetic functionality with a 50% duty cycle buffer)

  • 한윤철;김광일;이상철;변기영;윤광섭
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제41권10호
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    • pp.79-86
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    • 2004
  • 본 논문은 0.35㎛ CMOS 공정을 이용하여 1.070GHz와 2.07GHz의 주파수를 생성해내는 이중 대역 전압 제어 발진기를 제안한다. 50% 듀티 싸이클 회로와 반가산기를 가진 제안된 전압 제어 발진기는 일반적인 전압 제어 발진기의 주파수보다 두 배 높은 주파수를 생성해낼 수 있다 제안된 전압 제어 발진기의 측정 결과는 전압 제어 발진기 이득과 전력 소모가 각각 561MHz/V, 14.6mW로 나타났다. 이중 대역 전압 제어 발진기의 위상 잡음은 각각 1.07GHz와 2.07GHz로부터 2MHz 옵셋 주파수에서 -102.55dBc/Hz와 -95.88dBc/Hz로 측정되었다.

Composite Right/Left-Handed 전송 선로와 Pin Diode를 이용한 조절 가능한 부성 저항을 이용한 이중 대역 전압 제어 발진기 (Dual-Band VCO using Composite Right/Left-Handed Transmission Line and Tunable Negative Resistanc based on Pin Diode)

  • 최재원;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제44권12호
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    • pp.16-21
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    • 2007
  • 본 논문에서는 Composite Right/Left-Handed (CRLH) 전송 선로 (TL)와 pin 다이오드를 이용한 조절 가능한 부성 저항을 이용한 이중 대역 전압 제어 발진기에 대하여 연구하였다. CRLH 전송 선로는 이중 대역 주파수 조절 특성을 갖는 metamaterial 전송 선로를 만들 수 있다. CRLH 전송 선로의 이중 대역 동작은 CRLH 전송 선로의 주파수 오프셋과 위상 기울기에 의해서 얻어지고, 두 개의 동작 주파수들의 주파수 비율은 정수 배가 아닐 수 있다. 전압 제어 발진기의 각각의 주파수 대역은 독립적으로 동작해야 하므로 pin 다이오드를 이용한 조설 가능한 부성 저항을 사용하였다. 정전압을 pin 다이오드에 인가하였을 때, 전압 제어 발진기의 위상 잡음은 주파수 조절 범위 $2.423\sim2.597$ GHz에서 $-108.34\sim-106.67$ dBc/Hz @ 100 kHz이며, 역전압을 pin diode에 인가하였을 때는, 전압 제어 발진기의 위상 잡음이 주파수 조절 범위 $5.137\sim5.354$ GHz에서 $-114.16\sim-113.33$ dBc/Hz @ 100 kHz이다.

DECT 단말기용 Switchable VCO 설계 및 제작 (Design and Fabrication of Switchable VCO for DECT Handset)

  • 김상태;황수설;류준규;홍성용;이재명
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제11권4호
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    • pp.634-641
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    • 2000
  • DECT 단말기용 Switchable veo를 설계 및 제작하였다. 이중모드 단말기에서는 하나의 veo가 송.수신모 드의 규격을 만족하도록 두 개의 다른 주파수에서 동작되어야 한다. 이중 모드 veo는 하나의 공진부를 스위칭 한 VCO 두 개의 공진부를 스위칭한 veo 그리고 두개의 VCO를 스위칭한 형태가 있다. 본 논문에서는 하나의 공진부를 스위칭한 VCO를 사용하였는데, 핀 다이오드를 사용하여 공진부의 커패시턴스를 스위칭하였다. 측정 결과 바이어스 조건이 3V와 13mA일때 출력전력은 - 6.5 dBm 이상, 25 kHz offset 주파수에서 - 104 dEe/Hz의 위상잡음 특성을 나타내었다. 따라서 제작된 switchable VCO는 DECT 단말기에 적용할 가능함을 알 수 있다.

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이중대역 중계기를 위한 주파수합성기의 설계에 관한 연구 (A study on the Frequency Synthesizer for Dual-Band Repeater)

  • 김진섭;변상기;강용철
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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    • pp.277-280
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    • 2005
  • In this paper, we propose a frequency synthesizer for dualband repeater. The dual-band RF technology for applications to the wireless repeater for CDMA and WCDMA mobile communications has been developed in this paper. The dualband PLL module consisted of dual-band VCO and one PLL IC has been developed. The main technological efforts for the dual-band PLL module is to suppress the intermodulation distortion by applying the miniature ceramic filter using the slow wave characteristics. The dual-band miniature RF module including dual-band PLL module and one MCU controller is very attractive for applications to the miniature dual-band RF mobile repeaters.

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0.18-㎛ SiGe BiCMOS 공정 기반 70/140 GHz 듀얼 밴드 전압 제어 발진기 (A 70/140 GHz Dual-Band Push-Push VCO Based on 0.18-㎛ SiGe BiCMOS Technology)

  • 김경민;김남형;이재성
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제23권2호
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    • pp.207-212
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    • 2012
  • 본 논문에서는 push-push 방식을 사용하여 설계 제작된 0.18-${\mu}m$ SiGe BiCMOS 공정 기반 70 GHz와 140 GHz에서 모두 동작하는 듀얼 밴드 전압 제어 발진기(Voltage Controlled Oscillator: VCO)의 결과를 보인다. 측정 결과, 본 전압 제어 발진기는 조절 전압이 0.2 V에서 2 V까지 변하는 동안 하위 밴드와 상위 밴드에서 각각 67.9~76.9 GHz, 134.3~154.5 GHz의 주파수 조절 범위를 갖는다. 보정 후의 최대 출력 전력은 각각 -0.55 dBm과 -15.45dBm이었다. 본 전압 제어 발진기는 4 V의 전원으로부터 18 mA의 DC 전류를 소모한다.