• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
• /
• pp.829-832
• /
• 2005

This paper describes a wide-range dual-loop Delay Locked Loop (DLL) using Voltage Controlled Delay Line (VCDL) based on Transmission Gate(TG) inverters. One loop is used when the minimum VCDL delay is greater than a half of $T_{REF}$, the reference clock period. The other loop is initiated when the minimum delay is less than $0.5{\times}T_{REF}$. The proposed VCDL improves the dynamic operation range of a DLL. The DLL with a VCDL of 10 TG inverters provides a lock range from 70MHz to 700MHz when designed using $0.18{\mu}m$ CMOS technology with 1.8 supply voltage. The DLL consumes 11.5mW for locking operation with a 700MHz reference clock. The proposed DLL can be used for high-speed memory devices and processors, communication systems, high-performance display interfaces, etc.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제15권3호
• /
• pp.233-237
• /
• 2002

A giga-bit DRAM(dynamic random access memory) technology with W/WNx/poly-Si dual gate electrode is presented in 7his papers. We fabricated $0.16\mu\textrm{m}$ CMOS using this technology and succeeded in suppressing short-channel effects. The saturation current of nMOS and surface-channel pMOS(SC-pMOS) with a $0.16\mu\textrm{m}$ gate was observed 330 $\mu\A/\mu\textrm{m}$ and 100 $\mu\A/\mu\textrm{m}$ respectively. The lower salutation current of SC-pMOS is due to the p-doped poly gate depletion. SC-pMOS shows good DIBL(dram-induced harrier lowering) and sub-threshold characteristics, and there was no boron penetration.

• 전자공학회논문지A
• /
• 제32A권4호
• /
• pp.24-31
• /
• 1995

In this paper, the dual-mode burst-error-correcting decoding algorithm is adapted to the multiple trellis-coded .pi./4 shift QPSK in order to achieve the improvement of bit error rate (BER) performance over fading channels. The dual-mode adaptive decoder which combines maximum likelihood decoding with a burst detection scheme usually operates as a Viterbi decoder and switches to time diversity error recovery whenever an uncorrectable error pattern is identified. Rayleigh fading channels and Rician fading channels having the Rician parameter K=5dB are used in computer simulation, and the simulation results are compared with those of interleaving techniques. It is shown that under the constraint of the fixed overall memory quantity, the dual-mode adaptive decoding scheme gains an advantage in the BER performance with respect to interleaving strategies.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제14권2호
• /
• pp.69-75
• /
• 2010

3D 그래픽 처리 과정은 크게 지오메트리 단계와 렌더링 단계로 구분된다. 본 논문에서는 듀얼페이즈 멀티코어 GP-GPU에서 지오메트리 처리를 가속화시키기 위한 방법을 제안한다. GP-GPU의 SIMD, 듀얼페이즈 구조를 이용한 병렬적 데이터 처리와 메모리 프리패치를 이용하여, 지오메트리 처리를 가속화 시킬 수 있었으며, 모든 기능을 사용할 시 19%의 성능 향상을 나타내었다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
• /
• 제3권3호
• /
• pp.3-7
• /
• 2010

SoC와 같은 고밀도 반도체 메모리의 신호선 사이의 간격이 급속히 좁아짐에 따라 고장 발생률 또한 증가하여 이를 위한 효과적인 테스트 기법이 요구되고 있다. 본 논문에서는 테스트의 복잡도와 시간을 줄일 수 있도록 임베디드 DRAM의 내부에 내장할수 있는 SRAM의 구조를 제안한다. 제안하는 테스트 구조를 사용하면 메모리 테스트를 싱글 포트 메모리에 대한 테스트로 처리하므로써 높은 테스트 복잡도 없이 듀얼 포트 메모리의 읽고 쓰는 동작을 동시에 수행하는 것이 가능하므로 테스트 시간을 단축시킬 수 있다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
• /
• pp.1525-1528
• /
• 2006

So far, monostable and bistable LCD modes have independently been researched and developed. We introduce a novel liquid crystal display device that and be operated ad memory mode ad well ad dynamic mode. This device has a unique texture of splay, ${\pi}$ twist and bend states with applied voltages and is operated as a memory mode or dynamic mode by selective switching of two states among them. We also demonstrate electro-optical characteristics of the transmissive dual mode.

• ETRI Journal
• /
• 제29권4호
• /
• pp.457-462
• /
• 2007

This work presents a low-voltage static random access memory (SRAM) technique based on a dual-boosted cell array. For each read/write cycle, the wordline and cell power node of selected SRAM cells are boosted into two different voltage levels. This technique enhances the read static noise margin to a sufficient level without an increase in cell size. It also improves the SRAM circuit speed due to an increase in the cell read-out current. A 0.18 ${\mu}m$ CMOS 256-kbit SRAM macro is fabricated with the proposed technique, which demonstrates 0.8 V operation with 50 MHz while consuming 65 ${\mu}W$/MHz. It also demonstrates an 87% bit error rate reduction while operating with a 43% higher clock frequency compared with that of conventional SRAM.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
• /
• 제16권2호
• /
• pp.1-8
• /
• 2011

NAND형 플래시 메모리는저전력, 저렴한 가격, 그리고 대용량 저장매체로 하드디스크 대용을 위하여 많은 연구가 이루어지고 있다. 특히 기존의 캐쉬 구조인 버퍼 시스템을 이용한 플래시 메모리의 성능향상 연구가 이루어지지만 대부분이 데이터 관련 연구이다. 따라서 본 연구에서는 기존의 캐쉬 구조의 버퍼를 이용한 고성능 명령어 플래시 메모리를 구현하였다. 제안된 명령어 플래시 메모리 시스템은 분기 명령어를 위한 시간적 버퍼(victim buffer), 명령어의 대표적인 특징인 순차적 인출을 위한 공간적 버퍼(spatial buffer)로 이루어져 있다. 즉, 제안된 명령어 플래시 메모리의 공간적 버퍼는 큰 페칭 크기를 가지므로 명령어의 순차적 인출에 효과적이며, 작은 페칭 크기를 가지는 시간적 버퍼는 공간적 버퍼에 참조된 명령어를 저장하게 되므로 다시 참조를 위한 분기 명령어에 효과적이다. 시뮬레이션 결과 평균 접근 실패율의 경우 미디어 응용군에 대해 4배 크기의 2-웨이 버퍼, 희생 버퍼, 그리고 2배 크기의 완전연관 버퍼에 비해 평균 77% 감소 효과를 얻을 수 있었다.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제19권6호
• /
• pp.1046-1055
• /
• 1994

본 논문에서는 영상 신호처리에 적합한 고속 1 line VRAM을 ASIC화 설계하기 위하여 엑세스 시간특성 및 집적도가 우수한 3-TR dual-port 다이나믹 셀을 채용하여 메모리 코어를 설계하였다. 고속 파이프라인 동작을 위하여 서브어레이 1로부터 첫 행을 분리하였고, TM기 비트 라인에 데이터 래치 구조를 채용하여 한 번지의 동시 입.출력이 가능하도록 설계하였다. 주변 회로로 번지 선택기, 1/2V 전압 발생기를 각각 설계하여 개선된 동작특성을 확인한 후 1.5[ m] CMOS 설계규칙을 이용하여 ASIC화 설계하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보통신학회 2015년도 춘계학술대회
• /
• pp.832-836
• /
• 2015

본 논문에서는 센서 응용에 아날로그 회로 트리밍이나 chip ID 저장에 사용되는 로직 공정 기반의 Dual Program Voltage를 이용한 MTP (Multi-Time Programmable) IP (Intellectual Property)용 DC-DC 컨버터를 설계하였다. DC-DC 컨버터는 VPP (=5.25V), VNN (=-5.25V)과 VNNL ($=2{\cdot}VNN/5$)의 전압을 공급하는 회로로 MOS 커패시터를 사용하였고, 3.3V 소자만 사용하여 설계하였다. VPP와 VNN은 각각 2단과 5단으로 구성되어 있다. 그리고 펌핑전류는 VPP와 VNN 각각 $9.17{\mu}A$와 $9.7{\mu}A$이다.