Characteristics of CMOS Transistor using Dual Poly-metal(W/WNx/Poly-Si) Gate Electrode |
장성근 (청운대학교 전자공학과) |
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N₂O 가스로 재산화시킨 oxynitride막의 특성
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과학기술학회마을 |
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Feasibility of using W/TiN as metal gate for conventional 0.13㎛ CMOS technology and beyond
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3 |
Gate engineering for deep-submicron CMOS transistors
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DOI ScienceOn |
4 |
산화막의 NO/N2O 질화와 재산화 공정을 이용한 전하트랩형 NVSM용 게이트 유전막의 성장과 특성
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과학기술학회마을 |
5 |
N2O 가스로 열산화된 게이트 산화막의 특성
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과학기술학회마을 |
6 |
W/Wnx/Poly-Si gate technology for future high speed deep submicron CMOS LSIs
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7 |
The effects of nitrogen implantation into P+poly-silicon gate on gate oxide properties
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8 |
Formation mechanism of ultrathin WSiN barrier layer in a W/WNx/Si system
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DOI ScienceOn |
9 |
Integration technology of polymetal (W/WSiN/Poly-Si) dual gate CMOS for 1Gbit DRAMs and beyond
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