Design of the High Voltage Gate Driver IC for 300W Half-Bridge Converter Using $1{\mu}m$ BCD 650V process
($1{\mu}m$ BCD 650V 공정을 이용한 300W 하프-브리지 컨버터용 고전압 구동IC의 설계)
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- Proceedings of the IEEK Conference
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- 2008.06a
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- pp.463-464
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- 2008