Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.19
no.5
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pp.237-241
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2009
Dislocation dipoles were formed in the early stage of deformation of Y-CSZ single crystal at high temperatures. And the dipoles were pinched off to break into dipoles loops by dislocation climb. Dislocation loop annealing was peformed in Y-CSZ single crystal to evaluate the diffusivity of cation which was the rate-controlling ion.
The Journal of Korea Assosiation for Disability and Oral Health
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v.11
no.2
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pp.62-66
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2015
Temporomandibular joint dislocation causes considerable pain, discomfort, and swelling. The anatomic construction of the articular fossa and the eminentia articularis may predispose to dislocation, and weakness of the connective tissue forming the capsule is believed to be a predisposing factor. The capsule may be stretched and, more rarely, torn. Dislocation may be unilateral or bilateral and may occur spontaneously after stretching of the mouth to its extreme open position, such as during a yawn or during a routine dental operation. Manual reduction with the patient under muscle-relaxing condition or anesthesia is recommended method. After the reduction of an acute dislocation, immobilization of the jaw is recommended to allow the stretched and sometimes torn capsule to heal, thus preventing recurrence. A Barton's bandage may be applied for 2 to 3 weeks to prevent the patient from opening the jaw too wide. But, it results in recurrent dislocation in the neurologically disabled patient, because of loose intermaxillary fixation. This is a case report about management of recurrent temporomandibular joint dislocation by multiple loop wirings and intermaxillary elastics in cerebrovascular accident patient.
The influence of indenter geometry on nanoindentation was studied using a static molecular dynamics simulation. Dislocation nucleation, dislocation locks, and dislocation movements during nanoindentation into Al (001) were studied. Spherical, rectangular, and Berkovich indenters were modeled to study the material behaviors and dislocation activities induced by their different shapes. We found that the elastic responses for the three cases agreed well with those predicted from elastic contact theory. Complicated stress fields were generated by the rectangular and Berkovich indenters, leading to a few uncommon nucleation and dislocation processes. The calculated mean critical resolved shear stresses for the Berkovich and rectangular indenters were lower than the theoretical strength. In the Berkovich indenter case, an amorphous region was observed directly below the indenter tip. In the rectangular indenter case, we observed that some dislocation loops nucleated on the plane. Furthermore, a prismatic loop originating from inside the material glided upward to create a mesa on the indenting surface. We observed an unusual softening phenomenon in the rectangular indenter case and proposed that heterogeneously nucleating dislocations are responsible for this.
The rolled steels for welded structure applied tensile stress have been examined by means of magnetic Barkhausen noise (MBN) method and of a physical parameter obtained from a hysteresis loop. The behaviors of MBN parameters and coercive force with tensile stress were discussed in relation to microstructure changes. There is no change in MBN parameters and coercive force below yield strength. The coercive force rises rapidly with tensile stress above yield strength. On the other hand, the rms voltage and the peak in averaged rms voltage take a maximum around yield strength and then decreases. The magnetomotive force at peak in the averaged rms voltage shows a minimum around yield strength. These phenomena are attributed to the combined effects of cell texture and dislocation density. In addition, the behaviors of MBN parameters around yield strength may be reflected by the localized changes in strain field due to the formation of dislocation tangles.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.16
no.2
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pp.66-70
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2006
Various kind of structural defects are observed to be present on the oxidized surface of the silicon crystal which was previously damaged mechanically. The formation of such defects was found to depend on the amount of damage induced and the temperature of thermal oxidation. It was confirmed by the measurement of minority carrier life time that gettering capability decreases as the size of the defects increase. The strained layer which is formed due to smaller amount of damage or lower oxidation temperature believed to has higher capability of gettering over defects like dislocation loops or stacking faults.
Background: Most acromioclavicular joint (ACJ) injuries are caused by direct trauma to the shoulders, and various methods and techniques are used to treat them; however, none of the options can be considered the gold standard. This study examines the horizontal stability of the ACJ after a complete dislocation was repaired using one of two Ethibond suture techniques, the loop technique and the two holes in the clavicle technique. Methods: In this single-blind, randomized clinical trial, 104 patients diagnosed with complete ACJ dislocation type V were treated using Ethibond sutures with either the loop technique or the two holes in the clavicle technique. Horizontal changes in the ACJ were radiographically assessed in the lateral axial view, and shoulder function was evaluated by the Constant (CS) and Taft (TS) scores at intervals of 3, 6, and 12 months after surgery. Results: The horizontal stability of the ACJ was better with the two-hole technique than the loop technique at all measurement times. CS and TS changes showed a significant upward trend over time with both techniques. The mean CS and TS at the final visit were 95.2 and 11.6 with the loop technique and 94.0 and 11.9 with the two-hole technique, respectively. The incidence of superficial infections caused by the subcutaneous pins was the same in the two groups. Conclusions: Due to the improved ACJ stability with the two-hole technique, it appears to be a more suitable option than the loop technique for AC joint reduction.
For the deformation, life time prediction and improvement of the life time in high temperature materials it's very important to know the mechanism of deformation. For these mechanisms the dislocation loop models of Orlova et al. and Mills et al. are used often now. But they show controversial differencies, even if they have unertaken similar experimental tests with the same alloy of A1-5.5at.% Mg. In this work also the similiar tests of them have done under the same temperature of 573 K ; (1) The specimen was deformed by $\sigma$= 30MPa and $\varepsilon$=0.03. (2) Direct after creep deformation of $\sigma$= 30MPa and $\sigma$= 0.03 the stress reduction tests to 15, 10 and OMPa have been performed. (3) To study the loop models dislocation structure and dislocation density ( p ) have been observed.
The interrelation of secondary defects, intermediate S' phase and aging condition in Al-2.0 wt% Cu-1.1 wt% Mg alloy is studied by transmission electron microscope. The results obtained in this study are as follows. 1. High density of dislocation loops, helices and stacking faults are observed in this specimen with aging treatment. 2. The number of dislocation loops and the width of loop free zone (LFZ) are increased with aging time. 3. The intermediate S' phase precipitates and grows on the dislocations and secondary defects. 4. The misfit dislocations are formed around intermediate S' phase. 5. It is thought that the helices appear to be produced by the climb of screw dislocations, while the dislocation loops appear to be formed both by condensation of vacancies into collapsed discs and by interaction of helices with screw of opposite sign.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.11
no.10
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pp.796-803
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1998
Intrinsic and proximity gettering are popular processes to get higher cumulative production yield and usually adopt multi-step annealing and high energy ion implantation, respectively. In order to test the combined processed of these, high energy \ulcornerAs\ulcorner ion implantation and 2-step annealing process were adopted. After the ion implantation followed by 2-step annealing, the wafers were cleaved and etched with Wright etchant. The morphology of cross section on samples was inspected by FESEM. The concentration profile of As was measured by SRP. The location and type of secondary defects inspected by HRTEM were dependent on the 1st annealing temperatures. That is, a line of dislocation located at $1.5mutextrm{m}$ apart from the surface at $600^{\circ}C$ lst annealing was changed to some dislocation lines or loops nearby the surface at 100$0^{\circ}C$. The density of dislocation line was reduced but the size of the defects was enlarged as the temperature increased.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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