• 식물병연구
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• 제8권1호
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• pp.50-54
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• 2002

딸기탄저병의 방제방법을 개발하기 위해 배지에서 약제별 균사생장억제정도를 검정한 결과 Tricylazole수화제가 가장 좋은 효과를 보여 주었으나 딸기잎에 접종하여 효과를 검정하였을 때는 Azoxystrobin 수화제가 가장 좋은 효과를 보여주었다. 포장에서 방제효과는 관주 및 엽면살포는 방제효과가 없었으나 Azoxystrobin 수화제 1,000배액에 10분간 침지시 우수한 방제효과를 보여 주었고 처리시간과 처리농도간 약효의 차이는 볼 수 없었다.

• 한국축산식품학회지
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• 제32권1호
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• pp.84-90
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• 2012

본 연구는 인산염의 첨가와 침지가 저지방 소시지의 저장기간에 따른 품질 및 저장성을 평가하기 위해 실시하였다. 저지방 소시지에 0.4% STPP를 첨가하고, 10% TSP 용액에 침지함에 따라 pH값이 증가하였다. STPP의 첨가에 따라 적색도가 감소하는 반면, 10% TSP 침지구의 황색도는 증가하였다(p<0.05). 저장기간이 경과함에 따라 명도는 유의적으로 감소한 반면 적색도는 유의적으로 증가하였다(p<0.05). 약 5 Log CFU/g로 접종된 Listeria monocytogenes(LM) 균수는 저장기간이 경과함에 따라 4주에 8.03-8.22 Log CFU/g로 나타났고 8주에는 7.89 Log CFU/g로 약간 감소했다. 접종된 저지방 소시지의 저장 중 총균과 LM균의 성장은 10%의 TSP 침지에 의해 pH의 증가로 유의적으로 더 촉진된 것으로 판단된다. 이와 같은 결과를 종합하면 인산염 첨가 및 침지는 pH와 색도(명도와 황색도)에 영향을 주었으며 저장기간 중 뚜렷한 항균 및 항산화 효과는 없었다.

• 현장농수산연구지
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• 제16권1호
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• pp.55-66
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• 2014

'캠벨얼리' 포도에서 적립의 노동력을 절약하기 위하여 GA₃를 침지 시기를 달리하여 농도별로 처리하여 화수 생장 및 과실 품질에 미치는 영향을 조사한 결과는 다음과 같다. GA₃ 침지처리에 의한 화수의 생장은 개화 5일 전 처리는 억제시켰으며 만개기 및 만개 5일 후 처리는 촉진시켰다. GA₃ 5, 10, 20 mg·L^-1 개화 5일 전 처리는 화수가 뒤틀리는 약해증상이 보였으며 만개기 및 만개 20일 후 처리에서는 미미한 약해를 나타내었다. GA₃ 농도는 화수 생장을 촉진시키고 약해가 없는 5, 10 mg·L^-1 침지 처리가 효과적이라 생각되었다. 과립의 밀착 정도, 착색, 가용성고형물, 산 함량에는 처리 간 차이는 없었다. 과립중은 무처리와 비교하여 개화 5일전 처리에서 감소하였으나 만개기 및 만개 5일 후 처리에는 차이가 없었다. 과립의 열과 발생률은 개화 5일 전 20 mg·L^-1 처리 및 만개 5일 후 전 농도에서 증가하였으나, 과립의 탄저병 발생률은 큰 차이가 없었다. 과방내 총 지경장은 만개기 및 만개 5일 후 GA₃ 침지 처리에 의해 증가하였다. 지경 순서에 의한 1번째 부터 20번째 지경까지 지경 생장은 만개기 및 만개 20일 후 처리에서 전체적으로 증가하였다. 따라서 GA₃ 5 mg·L^-1 용액을 만개기에서 만개 5일 후까지 침지 처리시 화수 생장을 촉진시킬 것으로 생각되었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제18권2호
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• pp.63-67
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• 2011

본 연구에서는 interlayer로 Sn을 사용하여 경성 인쇄 회로 기판(Rigid printed circuit board, RPCB)과 연성 인쇄 회로 기판(Flexible printed circuit board, FPCB) 간의 열압착 접합(Thermo-compression bonding) 조건을 최적화하는 연구를 진행하였다. 접합에 앞서 FPCB를 다양한 온도와 시간조건 하에서 Sn이 용융된 솔더 배스 안에서 침지(Dipping) 공정을 수행하였고, 열압착법을 이용하여 FPCB와 RPCB의 접합을 수행하였다. FPCB/RPCB 접합부의 접합 강도를 $90^{\circ}$ 필 테스트(Peel test)를 이용하여 측정하였다. 그 결과 $270^{\circ}C$, 1s의 침지 조건에서 FPCB의 polyimide(PI)와 Cu 전극 계면에서 파단되고, 이때, 최대 박리 강도를 얻었다. FPCB와 RPCB의 열압착 접합시 주요 변수로는 압력, 온도, 시간이 있으며, 특히 온도의 증가에 따라 접합 강도가 크게 증가하였다. 접합부 계면 관찰 결과, 접합 온도와 시간이 증가함에 따라 접합 면적이 증가하였으며, 이로 인해 접합 강도가 증가하는 것으로 사료된다. 필 테스트 과정에서 나타나는 F-x(Forcedisplacement) 곡선을 토대로 산출한 파괴 에너지와 접합 강도는 $280^{\circ}C$, 10s의 접합 조건에서 가장 높게 나타났으며, 이 조건이 최적 접합 조건으로 도출되었다.

• Tribology and Lubricants
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• 제24권2호
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• pp.63-71
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• 2008

Friction and adhesion tests were conducted to investigate tribological characteristics of materials for MEMS/NEMS using atomic force microscope (AFM). AFM Si tips were chemically modified with a self-assembled monolayer (SAM) derived from trichlorosilane like octadecyltrichlorosilane (OTS) and (1H, 1H, 2H, 2H-perfluorooctyl) trichlorosilane (FOTS), and various materials, such as Si, Al, Au, Cu, Ti and PMMA films, were prepared for the tests. SAMs were coated on Si wafer by dipping method prior to AFM tip to determine a proper dipping time. The proper dipping time was determined from the measurements of contact angle, surface energy and thickness of the SAMs. AFM tips were then coated with SAMs by using the same coating condition. Friction and adhesion forces between the AFM Si tip modified with SAM and MEMS/NEMS materials were measured. These forces were compared to those when AFM tip was uncoated. According to the results, after coating OTS and FOTS, the friction and adhesion forces on all materials used in the tests decreased; however, the effect of SAM on the reduction of friction and adhesion forces could be changed according to counterpart materials. OTS was the most effective to reduce the friction and adhesion forces when counterpart material was Cu film. In case of FOTS, friction and adhesion forces decreased the most effectively on Au films.

• 공업화학
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• 제7권4호
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• pp.691-697
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• 1996

천연고무 라텍스(NRL)와 각종 첨가제를 배합 숙성하여 NR 필름을 제조하였고, 클로로프렌고무 라텍스 (CRL)를 일정한 비율로 블렌드하여 NR/CR 필름을 제조하였다. 이들 필름의 전가류 시간에 따른 팽윤도와 기계적 성질의 변화를 측정한 결과, 팽윤도 80~85%, 전가류 시간 48~60hrs등에서 가장 우수하였고, CRL의 블렌드 비율이 증가함에 따라 인장강도는 감소하고 신장율은 증가하는 경향을 나타내었다. 제조공정을 달리하여 제조한 시편의 기계적특성을 비교한 결과, 1회 디핑법을 사용한 NR/CR 필름의 인장강도, 인열강도는 2회 디핑한 NR-d-CR 필름보다 더 우수하였다. 이들 시편의 표면을 SEM으로 관찰한 결과, CRL의 블렌드 비율이 증가할수록 필름 표면의 벌크한 집합체가 증가되는 것으로 보아 상분리가 일어났음을 관찰할 수 있었다.

• 한국표면공학회지
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• 제11권1호
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• pp.5-13
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• 1978

本 실험에서는 熔融亞鍍金工程에서 다른 諸要因을 一定하게 하고 鋼金溫度와 浸積時間에 따른 亞鉛附着量과 銑損失을 組織학的인 면에서 考察하였다. 銑損失에 要하는 活性化에너지를 구하였으며 試料範위內에서 附着量에 미치는 최적조건을 찾으므로서 不당한 銑損失을 막고 亞鉛原단位를 줄이는데 目的이 있다. 銑損失量과 드로스(Dross)발생량이 상호 密接한 關係에 있으며 도로스 발생량이 감소되면 亞鉛原단位가 감소되었다. 실驗結論은 다음과 같다. 1. 同一時間內에서 詩片-I은 470$^{\circ}$까지 도금층 두께 형성이 온도에 비례하며 浸積時間 8分정도에서 最大값을 나타낸다. 2. 詩片-5는 浸積時間에 比例해서 附着量이 급증함을 나타내었는데 이는 Si의 영향이 지배적이며 그 이외의 試料에서는 20分이후 附着量增加率이 극히 적었다. 浸積時間은 20分이 가장 적당하며 더 이상 오해 浸積시키면, 銑損失量만, 증가할 것이다. 3. 銑損失에 要하는 活性化에너지는 다음과 같으며 이와같은 값은 ${\gamma}$相의 成長에 미치는 活性化에너지 값과 거의 비슷하리라 생각됨. 詩片 - I = 18,500 Cal/mole 詩片 - III = 22,000 Cal/mole 詩片 - V = 42,300 Cal/mole

• 현장농수산연구지
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• 제17권1호
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• pp.133-144
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• 2015

포도 '캠벨얼리'에서 적립의 노동력을 절감하기 위한 지베렐린(GA₃)의 처리 방법, 적정농도 및 처리시기를 구명하기 위하여 실시하였다. 지베렐린 처리에 의한 적립의 노동력은 만개 5일 전 40ppm, 만개기 10, 20, 40ppm에서 14.27~19.15 분/주 절약 할 수 있었다. GA3 40ppm 과방 침지는 탄립현상이 심하게 나타났으며 가용성고형물이 감소하여 실용화에는 문제가 있었다. GA3 처리에 의한 적립의 노동력 절감은 만개기 GA3 10 및 20ppm 과방 침지 처리에서 가장 좋았다.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권9호
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• pp.969-973
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• 1998

Pb(Zr, Ti)O3 (PZT) (Zr:Ti= 52: 48) thin films were prepared on MgO(100) substrates by dipping-py-rolysis process using metal naphthenates as starting materials. Thin films were fabricated by spin coating technique and the precursor films were prefired at 20$0^{\circ}C$ in air for 0.5, 1, 2, 3, and 24 h followed by final heat treatment at 75$0^{\circ}C$ for 30min. Film prefired for 24 h lost orientational properties and pole figure analysis showed the lost of the epitaxial relationship between the films and substrate while highly a/c-axis oriented thin films were obtained for the samples prefired for 1, 2, and 3h.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.205-208
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• 2001

Schottky barrier diodes are fabricated on a intrinsic GaN(4${\mu}{\textrm}{m}$) epitaxial structure grown by rf plasma molecular beam epitaxy (MBE) on sapphire substrates. First, We make Ohmic electrodes (Ti/Al/Ti/Au) by evaporator. Next, we contact RuO$_2$ by dipping in the solution (RuCl$_3$.HClO$_4$), and then we deposit Ni/Au on the surface of RuO$_2$ by evaporator. We study the electrical characteristics of GaN Schottky barrier diodes made by these methods. Measurements are C-V, I-V, SEM, EDX, and XRD for the characteristics of devices. Thickness of RuO$_2$ layer depends on supplied voltage and dipping time. Device of thinner RuO$_2$ layer have a good Schottky characteristics compare with device of thicker RuO$_2$ layer