• 전력전자학회논문지
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• 제10권3호
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• pp.226-232
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• 2005

최근 많은 나라들이 상용전원의 왜곡을 방지하기 위해 AC 라인에 직접 연결하는 제품에 IEC 61000-3-2 나 IEEE 59 와 같은 고조파 규제를 가하고 있다. 따라서 최근 차세대 디스플레이 소자로 각광을 받고 있는 PDP(플라즈마 디스플레이 패널) 역시 이런 규제치를 만족하기 위해 역률개선회로를 부착하고 있다. 기존의 PDP 파워 모듈에서는 일반적으로 잘 알려진 부스트 컨버터를 이용해 역률개선회로를 구성하여 사용하였다. 그러나 PDP 자체의 열과 브리지 다이오드의 과도한 발열 때문에 시스템의 안전성을 보장할 수가 없었다. 본 논문에서는 PDP 파워 모듈용 역률개선회로로 브리지 없는 부스트 컨버터를 이용함으로써 효율, 소자 수, 발열상태 등 여러 가지 측면에서 기존회로와 비교 분석을 하고 그것의 제품 적용 가능성을 살펴보고자 한다.

• 대한기계학회논문집B
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• 제38권5호
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• pp.381-388
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• 2014

본 연구는 해상풍력발전을 위한 기초적인 연구로서 해상의 상태를 단순히 모사한 파랑에 의한 부유체의 시계열 및 주파수 거동의 특성을 파악하기 위하여 조파기를 구축하고 이의 타당성연구를 하고자 하였다. 소형의 조파수조에 모사된 여러 가지 파고 데이터를 검증하였으며, 단순한 부유형상을 제작하여 설치하고 이의 거동을 해석하였다. 부유체의 거동분석을 위해 하부체에 계류선을 설치 유무에 따라 그 거동특성도 관찰하였다. 부유체 거동을 가시화하기 위하여 부유체 내에 LED를 설치하여 고속카메라를 이용하여 촬영한 이미지를 해석하였다. 그 결과 부유체에 계류선이 설치된 경우 파랑에 의한 힘이 계류선으로 분산이 된다는 것을 알 수 있었다. 또한 부유체의 시계열 거동에 대한 스펙트럼 분석 결과 파랑의 주기가 길어질수록 피크값이 점차 감소한다는 것을 확인하였다.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 2000년도 High Temperature Superconductivity Vol.X
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• pp.2-6
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• 2000

We have developed an extremely sensitive radio frequency amplifier based on the dc superconducting quantum interference device (dc SQUID). Unlike a conventional semiconductor amplifier, a SQUID can be cooled to ultra-low temperatures (100 mK or less) and thus potentially achieve a much lower noise temperature. In a conventional SQUID amplifier, where the integrated input coil is operated as a lumped element, parasitic capacitance between the coil and the SQUID washer limits the frequency up to which a substantial gain can be achieved to a few hundred MHz. This problem can be circumvented by operating the input coil of the SQUID as a microstrip resonator: instead of connecting the input signal open. Such amplifiers have gains of 15 dB or more at frequencies up to 3 GHz. If required, the resonant frequency of the microstrip can be tuned by means of a varactor diode connected across the otherwise open end of the resonator. The noise temperature of microstrip SQUID amplifiers was measured to be between $0.5\;K\;{\pm}\;0.3\;K$ at a frequency of 80 MHz and $1.5\;K\;{\pm}\;1.2\;K$ at 1.7 GHz, when the SQUID was cooled to 4.2 K. An even lower noise temperature can be achieved by cooling the SQUID to about 0.4 K. In this case, a noise temperature of $100\;mK\;{\pm}\;20\;mK$ was achieved at 90 MHz, and of about $120\;{\pm}\;100\;mK$ at 440 MHz.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권10호
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• pp.754-764
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• 2001

고정도 전류-모드 신호 처리를 위한 낮은 전류-입력 임피던스를 갖는 A급 바이폴라 제 2세대 전류 콘베이어(CCII)와 그것의 오프셋 보상된 CCII를 제안하였다. 제안한 CCII는 전류 입력을 위한 정류된 전류-셀, 전압 입력을 위한 이미터 폴로워, 그리고 전류 출력을 위한 전류 미러로 구성된다. 이 구성에서, 전류 입력단자의 임피던스를 줄이기 위해 두 입력 단은 전류 미러에 의해 결합되었다. 실험 결과, CCII의 전류 입력단자의 임피던스는 8.4 Ω 이하였고, 전류 입력 단자의 오프셋 전압은 40 mV로 나타났다. 이 오프셋을 줄이기 위하여 오프셋 보상된 CCII는 제안한 CCII의 회로 구성에 다이오드-결선된 npn과 pnp 트랜지스터를 첨가시켰다. 실험 결과, 오프셋 보상된 CCII의 전류 입력 단자의 임피던스는 2.1Ω이하였고, 전압 오프셋은 0.05mV로 나타났다. 제안한 두 CCII을 전압 폴로워로 사용할 때 3-dB 차단 주파수는 30 MHz이었다. 전력 소비는 6 mW이다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제17권12호
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• pp.1143-1149
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• 2006

마이크로스트립 개방형 루프 공진기는 발진기의 위상 잡음을 줄이기 위해서 적용되었다. 마이크로스트립 스퀘어 개방형 루프 공진기는 큰 결합 계수 값을 가지고, 이로 인해 높은 Q 값을 가지며 전압 제어 발진기의 위상잡음을 감소시킨다. 전압 제어 발진기의 주파수 조절 범위를 증가시키기 위하여 버랙터 다이오드가 전압 제어발진기의 조절 가능한 부성 저항에 연결되어졌다. 전압 제어 발진기의 출력 파워와 하모닉 특성은 각각 4.83dBm과 -28.83 dBc이다. 위상 잡음 특성은 주파수 조절 범위 $5.735{\sim}5.845GHz$에서 $-112.33{\sim}-116.16dBc/Hz$ @ 100 kHz이다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제16권2호
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• pp.9-17
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• 2002

본 연구에서는 250[W] MHD 램프용 전자식 안정기를 구성하고 안정기 효율 개선을 위한 설계법을 제안한다. 제안된 안정기는 PFC 및 half-bridge 공진 인버터로 구성되고 음향공명을 피하기 위해 구동주파수 25-35[kHz]에서 스펙트럼 확산법을 채택하였다. PFC 전단에 L-C 필터를 채택하여 고주파 전류가 입력 전원측으로 방출되는것을 억제하고 전해 커패시터에서 발생하는 고주파 충방전 전류를 인덕터를 사용하여 제한하였다. 공진부의 직류전압은 인버터 손실을 줄이기 위해 램프정격 전압의 침두치를 고려하여 결정하였다. 램프의 등가 저항과 공진회로의 특성곡선에서 인버터의 전달함수를 정의하고 램프의 전류를 제어하기 위한 제어기를 설계하였다. 실험으로 250[W] MHD 램프용 전자식 안정기를 제작하였고, 효율 96[%] 및 EMI 표준 EN50081-1을 만족하며 전도성 노이즈는 최대 57[dBuv]를 나타내었다.

• International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
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• 제8권2호
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• pp.70-74
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• 2007

This paper describes the development of a nano-positioning system for nanoscale science and engineering. Conventional positioning systems, which can be expensive and complicated, require the use of laser interferometers or capacitive transducers to measure nanoscale displacements of the stage. In this study, a new self-displacement sensing (SDS) nano-stage was developed using mechanical magnification of its displacement signal. The SDS nano-stage measured the displacement of its movement using a position-sensitive photodiode (PSPD), a laser source, and a hinge-connected rotating mirror plate. A beam from a laser diode was focused onto the middle of the plate with the rotating mirror. The position variation of the reflected beam from the mirror rotation was then monitored by the PSPD. Finally, the PSPD measured the amplified displacement as opposed to the actual movement of the stage via an optical lever mechanism, providing the ability to more precisely control the nanoscale stage. The displacement amplification process was modeled by structural analysis. The simulation results of the amplification ratio showed that the distance variation between the PSPD and the mirror plate as well as the length L of the mirror plate could be used as the basic design parameters for a SDS nano-stage. The PSPD was originally designed for a total travel range of 30 to 60 mm, and the SDS nano-stage amplified that range by a factor of 15 to 25. Based on these results, a SDS nano-stage was fabricated using principle of displacement amplification.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제33권4호
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• pp.281-285
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• 2020

Oxide semiconductor devices have become increasingly important because of their high mobility and good uniformity. The channel length of oxide semiconductor thin film transistors (TFTs) also shrinks as the display resolution increases. It is well known that reducing the channel length of a TFT is detrimental to the current saturation because of drain-induced barrier lowering, as well as the movement of the pinch-off point. In an organic light-emitting diode (OLED), the lack of current saturation in the driving TFT creates a major problem in the control of OLED current. To obtain improved current saturation in short channels, we fabricated indium gallium zinc oxide (IGZO) TFTs with single gate and double gate structures, and evaluated the electrical characteristics of both devices. For the double gate structure, we connected the bottom gate electrode to the source electrode, so that the electric potential of the bottom gate was fixed to that of the source. We denote the double gate structure with the bottom gate fixed at the source potential as the BGFP (bottom gate with fixed potential) structure. For the BGFP TFT, the current saturation, as determined by the output characteristics, is better than that of the conventional single gate TFT. This is because the change in the source side potential barrier by the drain field has been suppressed.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.617-624
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• 2023

최근, 전자 제품의 소형화와 저소비전력화 및 향상된 효율과 역률개선이 큰 관심 사항이 되고 있다. 본 논문에서는 PWM 제어기반의 AC-DC 컨버터를 설계, 제작하였다. AC-DC 컨버터는 하나의 정류회로와 하나의 출력전압 제어 회로가 직렬로 연결되는 구조로 설계하였으며, 정류회로는 다이오드 기반 단상 전파전류 회로, 출력전압 제어 회로는 PWM 제어기반의 DC-DC 변환 회로를 적용하였다. PWM 제어를 위한 주 제어장치로 아두이노를 이용하였으며, LCD를 출력 단에 구성하여 제어 결과를 확인할 수 있도록 하였다. 시험회로를 통한 반복 실험들을 통해서 오실로스코프와 LCD에 디스플레이 되는 출력전압과 목표 출력전압의 오차를 확인하였으며, 오실로스코프 측정값을 기준으로 약 5%의 오차율을 보임으로써 제안된 설계 방법론의 유효성을 확인할 수 있었다.

• 대한소아치과학회지
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• 제33권4호
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• pp.606-614
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• 2006

이 연구의 목적은 이장재의 종류에 따른 광중합형 복합레진 충전 후 중합수축을 비교함으로써 중합수축 감소를 보이는 좀 더 우수한 재료의 조합을 모색하고자 시행되었다. 이장재로는 유동형 레진, 컴포머, 광중합 글래스아이오노머를 사용하였고 수축응력을 측정하기 위해 스트레인 게이지를 사용하였다. 표본은 광원의 종류, 이장재의 종류에 따라 8개의 군으로 나눠졌다. 스트레인 게이지를 아크릴릭 링에 부착하고 strainmeter에 연결한 후 각 군에 따라 이장재 적용 후 광중합 하고 이장재 중합 후 750초간 수축응력을 측정하였다. 결과는 Repeated measures ANOVA와 Tukey test를 이용해 통계학적으로 분석하였다. 이상의 실험을 통해 얻은 결과는 다음과 같다. 1. 이장재를 사용하지 않은 군보다 이장재를 사용한 군의 중합수축이 적었으나 Ionosit을 사용한 군에서는 유의한 차이는 없었다(p>0.05). 2, Tetric flow 또는 Vitrebond를 이장재로 사용하는 것이 Ionosit을 사용하는 것보다 중합 수축이 적었다(p<0.05). 3. Tetric flow 이장재를 한 군은 광원에 따른 수축력의 차이가 적었고 Vitrebond와 Ionosit 이장재를 한 군은 할로겐 광원보다 LED 광원에서 수축응력이 컸으나 유의한 차이는 없었다(p>0.05).