• 한국결정성장학회지
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• 제8권3호
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• pp.503-507
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• 1998

마이크로파 유전체로 응용되는 $xCaTiO_3-La(Zn_{1/2}Ti_{1/2})O_3$계의 소결시 고용조성 변화(x=0.4-0.6) 및 소결거동에 따른 유전특성에 조사하였다. 소결밀도가 감소함에 따라 유전상수는 감소하였으며 품질계수(Q)는 증가하다 일정한 값을 유지하였다. 고용체형의 경우 유전상수는 $CaTiO_3$조성 증가에 따라 증가하였다. $0.5\;CaTIO_3\;0.5\;La(Zn_{1/2}Ti_{1/2})O_3$의 경우 유전상수 48, 온도계수는 $-1ppm/^{\circ}C$를 나타내었다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제14권1호
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• pp.1-6
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• 2000

Ethyl hydroxy ethyl cellulose의 고분자를 중심으로 하는 유기 결합제를 사용하고 형광체로서 ZnS:Cu와 유전체로$BaTiO_3$ 사용해 screen printing법에 의해 신광원으로서 많은 연구 개발이 집중되고 있는 유기분산형 백라이트 EL(Electroluminescent) 소자를 제조하였다. 제조된 백라이트용 유기 분산형 EL 소자의 특성은 $25[^{\circ}C]$, 100[V], 400[Hz]에서 $1.98[mA/\m^2]$의 전류밀도, O.075[W]의 power consumption, 정전용량 7.l[nF]를 나타내었다. 소자의 휘도는 50~150[V] 사이에서 $20~110[cd/\m^2]$의 밝기를 나타내였으며, 형광체의 색상변화는 ClE에 공인된 색 좌표에 의해 x=0.1711, y=0.3676의 bluish green의 색상을 나타내었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제34권3호
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• pp.281-288
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• 1997

유전율이 높고 온도안정성이 우수하다고 알려져 있는 40Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-30PbTiO3-30Pb(Mg1/2W1/2)O3계 세라믹스에 소결온도를 낮추기 위하여 저온에서 액상을 형성하는 91PbO-9WO3를 과잉첨가하여 소결성, 미세구조 및 유전성의 변화에 대하여 조사하였다. 91PbO-9WO3의 첨가량이 증가함에 따라 소결온도가 저하하였으며 6 mol%첨가시는 875$^{\circ}C$에서 소결이 가능하였다. 유전율은 기본조성에서 16,400이었고, 첨가제가 1 mol% 과잉첨가된 경우 18,500으로 최대값을 나타냈으며 이후 첨가량이 증가함에 따라 감소하였다. 첨가제의 첨가량이 2~4mol%인 시편의 온도에 따른 유전율 변화곡선에서 double peak maxima가 나타났으나, 첨가량이 5 mol% 이상인 시편에서는 입계에 텅스텐을 많이 포함하고 있는 결정상이 생성되었고 double peak maxima는 나타나지 않았다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제20권7호
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• pp.58-64
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• 2006

최근 탈취, 탈색, 정수처리 및 배연가스의 정화에 많이 이용되고 있는 오존의 효과적인 발생에 많은 관심이 모아지고 있다. 전기 방전에 의한 오존 발생 방법 중 유전체 배리어 방전이 보다 낮은 전력을 소모하며, 또한 저전압 동작이 가능하여 가장 효과적인 것으로 생각되고 있다. 본 연구에서는 오존발생농도 및 에너지효율을 개선하기 위하여 알루미나 유전체 및 알루미나 유전체와 알루미나 비드를 충진한 무성방전관을 제작하여 무성방전특성을 연구하였다. 또한 오존발생특성을 무성방전특성과 연관하여 논하였으며, 특히 방전시 유전체에 축적되는 벽전하 및 소비전력특성의 관점에서 논하였다. 결과, 비드를 가진 방전관의 경우 축적되는 벽전하량은 비드가 없는 방전관에 비하여 약 2.5배 정도였으며, 발생되는 오존농도 및 에너지 수율 또한 개선되었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제9권7호
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• pp.1491-1496
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• 2005

[ $Pb_{0.72}La_{0.28}TiO_3$ ] (PLT(28)) 박막을 sol-gel 법을 이용하여 제작한 후, 그 특성을 조사하여 ULSI DRAM 의 캐패시터 절연막으로서의 적용 가능성을 연구하였다. Sol-gel 법의 출발 물질로는 acetate 계를 사용하였다. TGA-DTA 분석을 통하여 PLT(28) 박막의 sol-gel 법에 의한 공정 조건을 확립하였다. 매 coating 후 $350^{\circ}C$ 에서 drying 하고, 마지막으로 $650^{\circ}C$ 에서 annealing 하여 $100\%$ perovskite 구조를 가지는 치밀하고 crack 이 없는 PLT(28) 박막을 얻었다. $Pt/Ti/SiO_2/Si$ 기판 위에 PLT(28) 박막을 형성하여 전기적 특성을 측정하였다. 그 결과 유전 상수와 누설전류밀도가 각각 936 과 $1.1{\mu}A/cm^2$ 으로 측정되었다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제4권3호
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• pp.34-37
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• 2003

[ $HfO_2$ ] and $HfO_xN_y$ films were deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition using $Hf[OC(CH_3)_3]_4$ as the precursor in the absence of $O_2$. The crystallization temperature of the $HfO_xN_y$ films is higher than that of the $HfO_2$ film. Nitrogen incorporation in $HfO_xN_y$ was confirmed by auger electron spectroscopy analysis. After post deposition annealing (PDA) at 800$\Box$, the EOT increased from 1.34 to 1.6 nm in the $HfO_2$ thin films, whereas the increase of EOT was suppressed to less than 0.02 nm in the $HfO_xN_y$. The leakage current density decreased from 0.18 to 0.012 $A/cm^2$ with increasing PDA temperature in the $HfO_2$ films. But the leakage current density of $HfO_xN_y$ does not vary with increasing PDA temperature because an amorphous $HfO_xN_y$ films suppresses the diffusion of oxygen through the gate dielectric.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.371-374
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• 2004

저온동시 소성용(low temperature co-fired ceramics, LTCC) 마이크로파 유전체을 만들기 위해 $Ca(Li_{1/4}Nb_{3/4})O_3$ 마이크로파 유전체 세라믹스에 zinc-borosililcate glass를 첨가하여 소결 특성과 마이크로파 유전 특성을 조사하였다. $Ca(Li_{1/4}Nb_{3/4})O_3$과 $0.7Ca(Li_{1/4}Nb_{3/4})O_3-0.3CaTiO_3$에 zinc-borosilicate를 $5{\sim}30wt%$ 첨가하여 소결한 결과 $875{\sim}925^{\circ}C$에서 동시 소성이 가능한 것으로 확인되었으며 zinc-borosilicate glass의 함량이 증가할수록 저온에서 소성이 가능하였지만 과량의 액상과 2차상이 형성되면서 유전율과 품질계수가 저하되는 경향을 나타내었다. $Ca(Li_{1/4}Nb_{3/4})O_3$에 5wt%의 zinc-borosilicate를 첨가하여 $900^{\circ}C$에서 소성한 결과 가장 우수한 유전 특성$(\epsilon_r=17.45,\;Q{\times}f_0=5487)$을 나타내었고, 유전율을 높이기 위해 $CaTiO_3$를 0.3mol% 첨가한 $0.7Ca(Li_{1/4}Nb_{3/4})O_3-0.3CaTiO_3$에 10wt%의 zinc-borosilicate를 첨가하여 $925^{\circ}C$에서 소성한 결과 가장 우수한 유전특성$(\epsilon_r=44.92,\;Q{\times}f_0=5567)$을 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1993년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.39-43
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• 1993

Electricial characteristics of gate dielectrics prepared by reoxidation of thermal $SiO_2$ in nitrous oxide gas have been investigated. 10 and 19nm-thick oxides were reoxidized at temperatures of $900-1000^{\circ}C$ for 10-60 min in $N_2O$ ambient. As reoxidation proceeds, it is shown that nitrogen concentration at $Si/SiO_2$ interface increases gradually through the AES analysis. Nitrogen pile-up at $Si/SiO_2$ interface acts as a oxidant diffusion barrier that reduces the oxidation rate significantly. And it not only strengthen oxynitride structure at the interface but improve the gate dielectric qualities. Reliabilities of oxynitride films are conformed by the breakdown distributions and constant current stress technique. Therefore, the oxynitride films made by this process show a good promise for future ULSI applications.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제9권1호
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• pp.273-279
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• 2014

Hexagonal Ba-ferrites are widely suggested as materials for small antennas. In this paper, the sintering behavior and magneto-electric properties of $Ba_3Co_{2-2x}Mn_{2x}Fe_{24}O_{41}$ ($0.1{\leq}x{\leq}0.5$) ceramics were investigated for small antenna application. All samples of $Ba_3Co_{2-2x}Mn_{2x}Fe_{24}O_{41}$ ceramics were prepared by the solid-state reaction method and sintered at $1250^{\circ}C$. From the XRD patterns of the sintered $Ba_3Co_{2-2x}Mn_{2x}Fe_{24}O_{41}$ceramics, the Z-type phases were found to be the main phases. The real part of permittivity and permeability of the $Ba_3Co_{2-2x}Mn_{2x}Fe_{24}O_{41}$ceramics decreased with frequency. On the other hand, loss tangents of permittivity and permeability tended to behave opposite to real part of permittivity and permeability. The real part of permeability was affected by Mn additions. The real part of permittivity, the loss tangent of permittivity and the real part of permeability, the loss tangent of permeability of $Ba_3Co_{0.2}Mn_{0.8}Fe_{24}O_{41}$ ceramics were 19.774, 0.176 and 15.183, 0.073, respectively, at 510 MHz. In order to investigate the effect of magneto-dielectric ceramics on antenna, PIFA (Planar Inverted F Antenna) was simulated with CST (Computer Simulation Technology). The operating frequency of antenna was decreased without considerable change of bandwidth by using the $Ba_3Co_{0.2}Mn_{0.8}Fe_{24}O_{41}$ ceramics as the carrier.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.17-20
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• 2001

Nonvolatile semiconductor memory devices with reoxidized nitrided oxide(RONO) gate dielectrics were fabricated, and nitrogen distribution and bonding species which contribute to memory characteristics were analyzed. Also, memory characteristics of devices depending on the anneal temperatures were investigated. The devices were fabricated by retrograde twin well CMOS processes with $0.35{\mu}m$ Nonvolatile semiconductor memory devices with reoxidized nitrided oxide(RONO) gate dielectric were fabricated, and nitrogen distribution and bonding species which contributing memory characteristics were analyzed. Also, memory characteristics of devices according to anneal temperatures were investigated. The devices were fabricated by $0.35{\mu}m$ retrograde twin well CMOS processes. The processes could be simple by in-situ process of nitridation anneal and reoxidation. The nitrogen distribution and bonding state of gate dielectric were investigated by Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry(D-SIMS), Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry(ToF-SIMS), and X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS). Nitrogen concentrations are proportional to nitridation anneal temperatures and the more time was required to form the same reoxidized layer thickness. ToF-SIMS results show that SiON species are detected at the initial oxide interface and $Si_{2}NO$ species near the new $Si-SiO_{2}$ interface that formed after reoxidation. As the anneal temperatures increased, the device showed worse retention and degradation properties. These could be said that nitrogen concentration near initial interface is limited to a certain quantity, so excess nitrogen are redistributed near the $Si-SiO_{2}$ interface and contributed to electron trap generation.