• 제목/요약/키워드: dielectric polarization

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4중 릿지 도파관과 렌즈를 이용한 새로운 광대역 혼 안테나 (A Novel Broadband Horn Antenna with Quadruple-Ridged Waveguide and Dielectric Lens)

  • 이기오;박동철
    • 한국군사과학기술학회지
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    • 제11권6호
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    • pp.135-141
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    • 2008
  • 본 논문에서는 다중 편파 및 3:1 이하의 대역폭을 갖는 광대역 혼 안테나 설계 기법을 제시하였다. 급전단은 다중 편파 및 광대역 구현을 위하여 4중 릿지(Quadruple Ridge) 형태의 도파관을 적용하였으며, 반구(Semi­sphere) 형태의 백 쇼(Back Short)를 갖는 캐비티 구조내에 쇼팅 바(Shorting Bar)를 삽입함으로써 반사손실을 최소화하였다. 안테나 개구면에서의 위상보정을 통해 안테나 범 패턴을 개선시키기 위하여 주름진 형태의 유전체 렌즈를 설계하였다. 설계 기법을 기반으로 제작된 얀테나의 측정결과를 제시함으로써 설계 방법의 타당성을 겸증하였다.

Broadband and Polarization Independent Terahertz Metamaterial Filters Using Metal-Dielectric-Metal Complementary Ring Structure

  • Qi, Limei
    • Journal of the Optical Society of Korea
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    • 제20권2호
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    • pp.263-268
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    • 2016
  • Broadband metal-dielectric-metal terahertz filters composed of complementary rings are designed and demonstrated. Four samples with different parameters were fabricated. Results measured using THz time-domain spectroscopy system show excellent agreement with simulations. Compared with the broadband filters reported before, the complementary ring structure in our design is insensitive to any polarization at normal incidence due to symmetry of the ring. Furthermore, the influence of structure parameters (such as period, radius, slot width, thickness and incidence angles) on the transmission characteristics has been investigated theoretically. The encouraging results afforded by designing of the filters could find applications in broadband sensors, terahertz communication systems, and other emerging terahertz technologies.

반사에 의한 편광상태의 변화를 최소화시키는 광학박막계의 설계 (Design of Optical Thin Film Systems Reducing the Variation of Polarization State)

  • 한성홍;김석원
    • 한국광학회지
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    • 제7권1호
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    • pp.17-23
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    • 1996
  • 광파가 사각으로 입사할때 유전체층과 금속층에서 발생하는 편광상태의 변화를 분석하고 이것을 이용하여 금속박칵 양쪽에 각 한 층의 유전체 matching layer를 두어 넓은 대역에서 편광상태의 변화를 최소화기키는 박막계를 설계하였다. 45도 입사에 대하여 기준파장$(\lambda=550nm)$을 중심으로 기준파장의 10% 파장대역$(\DELTA\lambda/\lambda= 10%)$에서 목표 반사율을 0.5와 0.6으로 하여 입사광파의 편광상태의 변화를 최소화시키는 광학박막계를 설계하였다.

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PBDG 유기초박막의 유전율 측정에 관한 연구 (A Study on the Dielectric Constant Measurement of PBDG Organic Ultra Thin Film)

  • 송진원;이경섭
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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    • pp.150-152
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    • 2002
  • This paper, experiment manufactures device of Metal/Poly-$\gamma-Benzyl\;_D-Glutamate$ Organic Films/Metal structure using PBDG and I-V properties and C-F properties. The I-V characteristic is measured that approve voltage from 0 to +2[V] of device and the distance between electrode is larger, could know that small current flow and thin film could know that had insulation property. C-F characteristic has each other affinity between the polarization amount and frequency. Dielectric constant of MIM device could know by dipole that is voluntary polarization of LB film that polarization is happened. The capacitor properties of a thin film is better as the distance between electrodes is smaller.

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전력 케이블용 저밀도 폴리에틸렌의 냉각 조건에 따른 기계적 및 유전손실에 관한 연구 (A study on the Dynamic Mechanical and Dielectric Loss according to Quenched Condition in Low Density Polyethylene fer Power Cable)

  • 김재환;권병휘;박재준
    • 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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    • 제6권5호
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    • pp.27-37
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    • 1992
  • We studied the dielectric and dynamic mechanical losses according to the quenching condition in low density polyethylene being used to power cables. According to severe quenching condition, characteristics of the temperature in internal friction los peak have decreased the magnitude of loss peak as amorphous region lengthen. From now on, the frequency dependent characteristics of dielectric loss have investigated at room temperature, and the dielectric loss peak due to interface polarization, between crystal and amorphous region, occurs about 30[Hz], and that, the peak due to orientation polarization in correspondence to the loss peak in internal friction has observed at about 3 [MHz]. As quenching velocity increased, the effect on quenching condition about the dielectric loss has decreased the magnitude of the loss peak. Thus, estimation has been carried out on the activation energies nd the degree of crystallinity by means of X-ray diffraction are obtained as follows: room quenching : 26.4 [kal/mole] and 54.73 [%], ice quenching : 25.6 [kcal/mole] and 48.47 [%], liquid nitrogen quenching specimens : 22.56 [kcal/mole] and 40.95 [%].

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Effects of Sputtering Pressure on the Properties of BaTiO3 Films for High Energy Density Capacitors

  • Park, Sangshik
    • 한국재료학회지
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    • 제24권4호
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    • pp.207-213
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    • 2014
  • Flexible $BaTiO_3$ films as dielectric materials for high energy density capacitors were deposited on polyethylene terephthalate (PET) substrates by r.f. magnetron sputtering. The growth behavior, microstructure and electrical properties of the flexible $BaTiO_3$ films were dependent on the sputtering pressure during sputtering. The RMS roughness and crystallite size of the $BaTiO_3$ increased with increasing sputtering pressure. All $BaTiO_3$ films had an amorphous structure, regardless of the sputtering pressures, due to the low PET substrate temperature. The composition of films showed an atomic ratio (Ba:Ti:O) of 0.9:1.1:3. The electrical properties of the $BaTiO_3$ films were affected by the microstructure and roughness. The $BaTiO_3$ films prepared at 100 mTorr exhibited a dielectric constant of ~80 at 1 kHz and a leakage current of $10^{-8}A$ at 400 kV/cm. Also, films showed polarization of $8{\mu}C/cm^2$ at 100 kV/cm and remnant polarization ($P_r$) of $2{\mu}C/cm^2$. This suggests that sputter deposited flexible $BaTiO_3$ films are a promising dielectric that can be used in high energy density capacitors owing to their high dielectric constant, low leakage current and stable preparation by sputtering.

Dielectric and Ferroelectric Properties of Nb Doped BNT-Based Relaxor Ferroelectrics

  • Maqbool, Adnan;Hussain, Ali;Malik, Rizwan Ahmed;Zaman, Arif;Song, Tae Kwon;Kim, Won-Jeong;Kim, Myong-Ho
    • 한국재료학회지
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    • 제25권7호
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    • pp.317-321
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    • 2015
  • The effects of Nb doping on the crystal structure, microstructure, and dielectric ferroelectric and piezoelectric properties of $(Bi_{0.5}Na_{0.5})_{0.935}Ba_{0.065}Ti_{(1-x)}Nb_xO_3-0.01SrZrO_3$ (BNBTNb-SZ, with ${\chi}=0$, 0.01 and 0.02) ceramics have been investigated. X-ray diffraction patterns revealed that all ceramics have a pure perovskite structure with tetragonal symmetry. The grain size of the ceramics slightly decreased and a change in grain morphology from square to spherical shape was observed in the Nb-doped samples. The maximum dielectric constant temperature ($T_m$) increases with increasing amount of Nb; however, ferroelectric-relaxor transition temperature ($T_{F-R}$) and maximum dielectric constant (${\varepsilon}_m$) values decrease gradually. Nb addition disrupted the polarization hysteresis loops of the BNBT-SZ ceramics by leading a reduction in the remnant polarization coercive field and piezoelectric constant.

수분함량과 측정주파수에 따른 사질토 지반의 유전상수 변화 (Variation of Dielectric Constant of Sand due to Water Content and Measuring Frequency)

  • 이주형;오명학;박준범;김형석
    • 한국지반공학회논문집
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    • 제18권6호
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    • pp.129-139
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    • 2002
  • 최근 지반 특성과 지반 오염도의 조사를 위해 유전상수 측정기법을 적용하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 다양한 함수비와 건조단위중량을 갖는 화강풍화토와 주문진표준사의 유전상수를 75kHz~12MHz의 주파수 범위에서 측정하였다. 사질토의 유전상수는 주파수가 증가함에 따라 감소하는 분산거동을 보였다. 또한 함수 비나 건조단위중량이 증가함에 따라 배향분극에 기여하는 물분자의 양이 증가하고 유전상수가 1인 공기의 양이 감소하여 유전상수가 증가하였다. 흙의 유전특성은 함수비와 건조단위중량을 모두 고려한 수분밀도에 선형적으로 비례하는 경향을 나타내었다. Maxwell식, Topp식, CRIM식에 의한 계산값과 측정된 값을 비교한 결과 기존의 식은 유전상수의 분산거동을 고려하지 못하고 있기 때문에 저주파에서는 측정값과 차이를 나타내었다.

SiOC 박막에서 열처리에 의한 분극의 감쇄현상에 관한 연구 (Study on Lowering of the Polarization in SiOC Thin FIlms by Post Annealing)

  • 오데레사
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제16권8호
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    • pp.1747-1752
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    • 2012
  • 탄소를 포함한 SiOC 박막은 BTMSM과 산소의 혼합 프리커서를 이용하여 CVD방법으로 증착하였다. 전통적으로 유전상수를 측정하기 위해서 MIS(금속/절연막/반도체)방법을 이용하는데 박막의 균일성을 보장할 수 없기 때문에 나타나는 오차의 한계를 보상하기 위해서 광학적인 분석방법과 경도측정 등을 통하여 SiOC 박막이 분극이 낮아지는 영역을 추적하였다. 분극이 낮고 비정질성이 높은 박막에서 유전상수가 낮아지는 특성을 이용하여 유전상수를 도출하였다. 열처리 후 SiOC 박막의 유전상수는 분극의 감소에 의해 감소하였으며, FTIR 분석에 의한 결합신호는 높은 파수 영역으로 이동하였다. 950~1200 cm-1 영역의 주 결합은 Si-C와 Si-O 결합으로 이루어졌으며, Si-O 결합의 강도가 증가한 것은 결합력이 증착한 샘플에서 보다 증가하였다는 것을 의미하며, 열처리 후 더 안정된 박막이 되었다. 열처리 후 SiOC 박막은 유전상수가 2.06으로 낮게 나타났다.

Reactive sputtering법에 의한 PZT 박막 증착후 냉각시 산소분압의 영향에 관한 연구 (Effects of changing the oxygen partial pressure in cooling after deposition of PZT thin films by reactive sputtering)

  • 이희수;오근호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제6권3호
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    • pp.406-414
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    • 1996
  • 본 연구에서는 금속타겟을 이용한 반응성 스퍼터링법을 이용하여 PZT 박막 증착후 냉각시 산소분압에 따른 박막의 상형성 거동 및 전기적 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. 냉각시 산소분압의 감소에 따라 박막 표면의 휘발에 기인하여 표면거칠기는 증가하였고 입성장은 거의 일어나지 않았다. 산소분압이 증가할수록 각형비가 보다 우수한 hysteresis 특성을 얻을 수 있었고 산소분압이 감소함에 따라 remanent polarization과 retained polarization이 감소하였으며, 항전계의 감소가 관찰되었다. 산소분압에 따른 유전율-전압 특성 측정에서 산소분입이 감소함에 따라 internal bias field의 증가가 관찰되었으며, 유전율도 조금씩 감소하였다. Field accelerated retention 시험결과 냉각시 산소분압이 감소함에 따라 nonswitched polarization의 증가가 관찰되었고 bias time이 증가함에 따라 nonswitched polarization이 감소하였다.

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