• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.36-38
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• 2005

This study is about how to lower the driving voltage that enables to move the micro droplet by the EWOD (Electro Wetting On Dielectric) mechanism. EWOD is well known that it is used ${\mu}-TAS$ digital micro fluidics system. As the device which is fabricated with dielectric layer between electrode and micro droplet is applied voltage, the hydrophobic surface is changed into the hydrophilic surface by electrical property. Therefore, EWOD induces the movement of micro droplet with reducing contact angle of micro droplet. The driving voltage was depended on the dielectric constant of dielectric layer, thus it can be reduced by increase of dielectric constant. Typically, very high voltage ($100V{\sim}$) is used to move the micro droplet. In previous study, we used $Ta_{2}O_{5}$ as the dielectric layer and driving voltage was 23V that reduced 24 percent compared with $SiO_2$. In this study, we used $BZN(Bi_{2}O_{3}ZnO-Nb_{2}O_{5})$ layer which had high dielectric constant. It was operated the just 12V. And micro droplet was moved within Is on 15V. It was reduced the voltage until 35 percents compare with $Ta_{2}O_{5}$ and 50 percents compare with $SiO_2$. The movement of micro droplet within 1s was achieved with BZN (ferroelectrics)just on 15V.

• 전자공학회논문지A
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• 제29A권9호
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• pp.46-55
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• 1992

본 논문에서는 다층유전체 구조를 갖는 VLSI interconnection line 에 대한 커페시턴스를 계산하기 위한 방법을 제안한다. 이 방법은 단일 유전체 구조에서 개발한 3차원 직접 적분방법을 확장한 것이다. 다층유전체에 의한 영향은 Green's function을 수정하는 대신에 경계조건을 추가함으로써 고려하였다. 여기서 사용한 경계조건은 line 표면에서는 전위에 대한 식을 사용하였고, 유전체 경계면ㅇ서는 전계에 대한 식을 사용하였다. 이 방법으로부터 얻어진 커패시턴스를 이용하여 다층유전체 구조에서의 interconnection line에 대한 RC 지연시간의 값을 구했다. 이때 사용한 interconnection 물질은 Al과 WSi-이다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권8호
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• pp.755-759
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• 2008

For the development of a new white dielectric layer in plasma display panel, different $TiO_2$ types as a filler was add to the $Bi_2O_3$-BaO-ZnO glass matrix. The reflectance and dielectric constant of dielectric have been investigated as a function of the mixing content (rutile and anatase), and sintering temperature. The reflectance of dielectric sintered at the 520$^{\circ}C$ appeared most highly and suitable in terms of the adhesion and reflectance of the soda-lime glasses. Also, the thermal expansion coefficient of dielectric was found to be $85.6\times10^{-7}/K$, which was similar to that of the soda-lime glasses. Especially, the dielectric constants were not increased with increasing of $TiO_2$ filler contents.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 E
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• pp.1788-1790
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• 1998

The dielectric layers in AC plasma display panel(AC PDP) are essential to the discharge cell structure, because they protect metal electrodes from sputtering by positive ion bombarding in discharge plasma and form a sheath of wall charges which are essential to memory function of AC PDP. This layer should have high dielectric strength and also be transparent because the luminance of PDP is strongly correlated this layer. In this paper, we discussed the dielectric strength and transparency of the dielectric layer under various conditions. As a result, on the $15{\mu}m$ thickness, the minimum dielectric strength was $29V/{\mu}m$ and the transmittance coefficient was about 80% after $570^{\circ}C$ firing process. It can be proposed that the resonable dielectric thickness in AC PDP is $15{\mu}m$ because it has about 80V margin on the maximum applied voltage.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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• pp.768-771
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• 2004

Pb0.5,Sr0.5TiO3(PST) thin films were deposited on Si with MgO (100) buffer layer by the alkoxide-based sol-gel method. Structural and dielectric properties of PST thin films for the tunable microwave device applications were investigated. For the MgO/Si buffer layer, the PST thin films exhibited highly (100) orientation. The MgO buffer layer affects the stress state of the (100)-oriented PST thin films. The dielectric constant, tunability, and FOM of the highly (100)-oriented PST thin film increased with increasing annealing temperature due to the decrease in lattice distortion. The differences in dielectric properties may be attributed to the change in the film stress. The dielectric constants, dielectric loss and tunability of the PST thin films deposited on the MgO/Si substrates measured at 10 kHz were 822, 0.025, and 80.1%, respectively.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제41권12호
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• pp.131-137
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• 2004

본 논문에서는 등각사상 법을 이용해 유전체가 다층으로 코팅된 평행 2선식 전송선로의 특성임피던스 및 유효 유전상수 등을 계산하는 방법을 제안하였다. 먼저 두께 및 유전상수가 다른 유전체가 임의의 N 층으로 코팅되었을 때 평행 2선식 전송선로의 정전용량을 계산하였으며, 이를 이용해 임피던스 및 유효 유전상수 등을 계산하였다. Ansoft 사의 Maxwell 2D를 이용한 시뮬레이션 결과와 비교하였을 때, 계산 결과가 오차범위 4% 이내로 거의 일치함을 알 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.312.2-312.2
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• 2016

본 연구에서는 $HfO_2$와 $ZrO_2$의 구조적 차이를 통한 Dielectric layer의 특성 변화에 대한 분석을 진행하였다. $HfO_2$와 $ZrO_2$ layer는 용액 공정을 통해 만들고, 용액의 농도는 0.2 M로 제작하여 Spin Coating으로 소자를 제작하였다. 각 소자들의 구조적인 차이를 위해 $HfO_2$/$HfO_2$, $ZrO_2$/$HfO_2$, $HfO_2$/$ZrO_2$, $ZrO_2$/$ZrO_2$ 층 순서로 제작되었다. 각 소자들의 Capacitance 값은 245.72, 259.81, 294.23, $312.12nF/cm^2$으로 측정 되었고, Leakage current 값은 1.01, 1.79, 0.09, $0.0910-1A/cm^2$으로 다소 높은 값으로 확인되었다. 또한 dielectric constant, k 값이 16.6, 17.6, 19.9, 21.2로 각각의 측정값들 모두 substrate쪽의 dielectric layer에 따라 비슷한 특성을 갖게 되는 것을 확인했다. 이를 통해 Electrode 쪽의 layer보다 Substrate 쪽의 layer의 영향이 더 큰 것을 알 수 있다.

• Journal of Information Display
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• 제11권2호
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• pp.84-90
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• 2010

This paper presents the effects of a dielectric layer and an electrolyte on the driving performance of an electrowetting on dielectric (EWOD)-based liquid lens. The range of tunable focal length of the EWOD-based liquid lens was highly dependent on the conditions of the dielectric layer, which included an inorganic oxide layer and an organic hydrophobic layer. Moreover, experiments on the physical and optical durability of electrolyte by varying temperature conditions, were conducted and their results were discussed. Finally, the lens with a truncated-pyramid silicon cavity having a sidewall dielectrics and electrode was fabricated by anisotropic etching and other micro-electromechanical systems (MEMS) technologies in order to demonstrate its performance. The lens with $0.6-{\mu}m$-thick $SiO_2$ layer and 10 wt% LiCl-electrolyte exhibited brilliant focal-length tunability from infinity to 3.19 mm.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제20권1호
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• pp.83-88
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• 2020

본 논문에서는 접지된 2중 유전체층 사이의 완전도체띠 격자구조에 의한 H-분극 전자파 산란 문제는 전자파 수치해석 방법으로 알려진 FGMM(Fourier-Galerkin Moment Method)를 이용하여 해석하였다. 경계조건들은 미지의 계수를 구하기 위하여 이용하였고, 도체띠의 해석을 위해 완전도체 경계조건을 적용하였다. 도체띠의 폭과 주기, 접지된 2중 유전층 사이의 비유전율과 두께 및 입사각에 대해 정규화된 반사전력을 계산하였다. 전반적으로 접지된 2중 유전체층의 비유전율 및 두께가 증가할수록 반사전력은 증가하였다. 그리고 접지된 2중 유전체 층의 두께가 증가할수록 도체띠에 유도되는 전류밀도는 스트립 중앙에서 증가하였다. 본 논문의 제안된 구조에 대한 수치결과들은 PMM을 이용한 기존 논문의 수치해석 결과 들과 비교하여 매우 잘 일치하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제17권3호
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• pp.102-107
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• 2007

인산염계 유리를 사용하여 PDP 소자의 하판유전체 후막을 제작하였다. 유전체 후막의 제조는 soda-lime glass위에 silk screen printing 법을 사용하였다. 기판과 유전체후막의 열팽창계수를 맞추기 위하여 $TiO_2$와 $Al_2O_3$를 충진제로 사용하였다. 유전체의 결정화 거동은 DTA, XRD를 사용하였으며 광학적 열적 전기적인 특성을 알아보기 위하여 UV-spectrometer, Dilatometer, Impedance Analyser를 사용하였다. 실험결과 주 결정상은 메타인산아연과 피로인산아연으로 나타났다. $TiO_2$의 첨가로 인하여 반사율은 높아졌으나 상대적으로 유전상수는 높아졌다. 또한 $Al_2O_3$를 첨가한 경우 반사율은 크게 변화가 없었으나 유전상수 값은 낮아졌다. 또한 열팽창 계수는 약 $62{\times}10^{-7}/^{\circ}C$ 정도였다.