배달산업이 COVID-19 상황과 함께 요식업을 중심으로 크게 성장함에 따라 배달업 종사자가 크게 증가했다. 그와 함께 개인형 모빌리티(Personal Mobility: PM)를 활용한 새로운 배달 형태가 등장했으며, 이륜차 혹은 PM 관련 사고는 꾸준히 증가하고 있다. 본 연구는 안전 배달 모니터링 환경을 구축하기 위해 PM의 주행 분석 장치의 제작한다. 이를 위해 주행 분석 장치와 장치에서 수집된 데이터를 클라우드 서버를 통해 처리하는 시스템을 구성했으며, 이 시스템을 통해 PM의 운전상황에서 운전 중 발생할 수 있는 특수한 상황(가/감속, 과속방지턱 통과)을 인식하고 기록하고자 한다. 그 결과 장치 내 측정 센서(IMU)에서 수집한 각속도, 가속도, 지자기 값을 통해 운행 여부 및 인도 주행 여부, 경사로 주행 여부를 판단해 낼 수 있었다. 이 기술은 기존의 영상기반 기록장치보다 약 1600배 이상의 주행 정보 저장 효율을 달성할 수 있었다.
기존의 공진주 비틂 전단 시험기는 길이와 지름의 비율이 2:1의 시료를 사용하고 이는 가진 시스템의 최대 회전시 대략 1.5%의 최대 전단 변형율을 일으킨다. 이번 연구의 목적은 대변형을 일으킬수 있는 공진주 비틂 전단 시험기의 수정이다. 수정 작업으로는 가진시스템의 왕복거리 한계의 극복을 위한 새로운 기초 받침 개발과 비틂력을 증가시키기 위한 코일 감는 방법의 변형이다. 가진 시스템의 새로운 코일감는 방법이 전자석 시스템에서 비틂력에 미치는 영향이 평가 되었고 모래를 시험한 수정된 장치의 응용이 기술되었다.
In this work, we present the novel scheduling algorithm of the multimedia data retrieval for the mobile disk drive. Our algorithm is focused on minimizing the power consumption involved in data retrieval from the local disk drive. The prime commodity in mobile devices is the electricity. Strict restriction on power consumption requirement of the mobile device put unique demand in designing of its hardware and software components. State of the art disk based storage subsystem becomes small enough to be embedded in handhold devices. It delivers abundant storage capacity and portability. However, it is never be trivial to integrate small hard disk or optical disk drive in handhold devices due to its excessive power consumption. Our algorithm ARM in this article generates the optimal schedule of retrieving data blocks from the mobile disk drive while guaranteeing continuous playback of multimedia data.
This paper presents an implementation of position control system of Switched Reluctance Motor (SRM) using digital hysteresis controller. Although SRM possess several advantages including simple structure and high efficiency, the control drive system using power semiconductor device is required to drive this motor. The control drive system increases overall system cost. To overcome this problem and increase the application of SRM, it is needed to develope the servo drive system of SRM. So, the position control system of 1 Hp SRM is developed and evaluated by adaptive switching angle control. The position/speed response characteristics and voltage/current waveforms are presented to prove the capability of SRM for a servo drive application. Moreover, digital hysteresis current controller is developed and evaluated by experimental testing for the purpose of system developmental cost reduction.
This paper designs a virtual USB drive for mobile devices which gives an illusion of a traditional USB flash memory drive and provides capacity-free storage space over IP network. The virtual USB drive operating with a S3C2410 hardware platform and embedded linux consists of USB device driver, an iSCSI-enabled network stack, and a seamless USB/iSCSI tunneling module. For performance enhancement, it additionally provides a kernel-level seamless USB/iSCSI tunneling module and data sharing with symbol references among kernel modules. Experiments reveal that the kernel-level implementation can improve the I/O performance up to 8 percentage, as compared with the user-level implementation.
The study on the high-speed machine tool is very important for the improvement of productivity since it can shortens cutting and non-cutting time. Especially, high speed of feed drive system is the major research field. In the industries of the advanced countries, the feed drive systems at the speed of 60 m/min have been already developed based on the high lead ball screws. In this study, a high speed feed drive system at the speed of 60 m/ min has been developed, and its movements characteris-tics are investigated. As the movement characteristics, positioning accuracy, angular accuracy, straightness and micro step-response are measured. Thermal characteristics of the system is also discussed. For measuring the movement characteris-tics, a laser interferometer, a memory-based Hi-coder and a cooling device are used. The experimental results confirm that the movement characteristics and the thermal behavior of the system are satisfactory in the aspect of accuracy and stability.
본 논문에서는 Bare-die Chip 형태의 Drive amplifier를 Ajinomoto Build-up Film (ABF)와 FR-4로 구성된 PCB에 내장함으로써 28 GHz 대역 모듈에서 적용될 수 있는 내장형 능동소자 모듈을 구현하였다. 내장형 모듈에 사용된 유전체 ABF는 유전율 3.2, 유전손실 0.016의 특성을 가지고 있으며, Cavity가 형성되어 Drive amplifier가 내장되는 FR4는 유전율 3.5, 유전손실 0.02의 특성을 가진다. 제안된 내장형 Drive amplifier는 총 2가지 구조로 공정하였으며 측정을 통해 각각의 S-Parameter특성을 확인하였다. 공정을 진행한 2가지 구조는 Bare-die Chip의 패드가 위를 향하는 Face-up 내장 구조와 Bare-die Chip의 패드가 아래를 향하는 Face-down내장 구조이다. 구현한 내장형 모듈은 Taconic 사의 TLY-5A(유전율 2.17, 유전손실 0.0002)를 이용한 테스트 보드에 실장 하여 측정을 진행하였다. Face-down 구조로 내장한 모듈은 Face-up 구조에 비해 Bare-die chip의 RF signal패드에서부터 형성된 패턴까지의 배선 길이가 짧아 이득 성능이 좋을 것이라 예상하였지만, Bare-die chip에 위치한 Ground가 Through via를 통해 접지되는 만큼 Drive amplifier에 Ground가 확보되지 않아 발진이 발생한다는 것을 확인하였다. 반면 Bare-die chip의 G round가 부착되는 PCB의 패턴에 직접적으로 접지되는 Face-up 구조는 25 GHz에서부터 30 GHz까지 약 10 dB 이상의 안정적인 이득 특성을 냈으며 목표주파수 대역인 28 GHz에서의 이득은 12.32 dB이다. Face-up 구조로 내장한 모듈의 출력 특성은 신호 발생기와 신호분석기를 사용하여 측정하였다. 신호 발생기의 입력전력(Pin)을 -10 dBm에서 20 dBm까지 인가하여 측정하였을 때, 구현한 내장형 모듈의 이득압축점(P1dB)는 20.38 dB으로 특성을 확인할 수 있었다. 측정을 통해 본 논문에서 사용한 Drive amplifier와 같은 Bare-die chip을 PCB에 내장할 때 Ground 접지 방식에 따라 발진이 개선된다는 것을 검증하였으며, 이를 통해 Chip Face-up 구조로 Drive amplifier를 내장한 모듈은 밀리미터파 대역의 통신 모듈에 충분히 적용될 수 있을 것이라고 판단된다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제10권3호
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pp.240-250
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2010
Double Gate MOSFETs (DG MOSFETs) with doping in one or two thin layers of an otherwise intrinsic channel are simulated to obtain the transport characteristics, threshold voltage and leakage current. Two different device structures- one with doping on two layers near the top and bottom oxide layers and another with doping on a single layer at the centre- are simulated and the variation of device parameters with a change in doping concentration and doping layer thickness is studied. It is observed that an n-doped layer in the channel reduces the threshold voltage and increases the drive current, when compared with a device of undoped channel. The reduction in the threshold voltage and increase in the drain current are found to increase with the thickness and the level of doping of the layer. The leakage current is larger than that of an undoped channel, but less than that of a uniformly doped channel. For a channel with p-doped layer, the threshold voltage increases with the level of doping and the thickness of the layer, accompanied with a reduction in drain current. The devices with doped middle layers and doped gate layers show almost identical behavior, apart from the slight difference in the drive current. The doping level and the thickness of the layers can be used as a tool to adjust the threshold voltage of the device indicating the possibility of easy fabrication of ICs having FETs of different threshold voltages, and the rest of the channel, being intrinsic having high mobility, serves to maintain high drive current in comparison with a fully doped channel.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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