• 한국정보통신학회논문지
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• 제15권8호
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• pp.1764-1770
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• 2011

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 채널내 도핑분포에 따른 문턱전압이하 스윙을 분석하였다. DGMOSFET는 차세대 나노소자로서 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점 때문에 많은 연구가 진행 중에 있다. 문턱전압이하 스윙특성의 저하는 중요한 단채널 효과로서 디지털소자응용에서 매우 심각한 영향을 미치고 있다. 이러한 문턱 전압이하 스윙특성의 저하를 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET의 구조적 파라미터 및 채널 내 도핑분포함수의 변화에 따라 분석하고자 한다. 이를 위하여 가우시안 분포함수를 이용하여 포아송방정식의 해석학적 모델을 유도하였다. 본 논문에서 사용한 해석학적 포아송방정식의 전위분포모델 및 문턱전압이하 스윙모델의 타당성을 입증하기 위하여 수치해석학적 결과값과 비교하였으며 이 모델을 이용하여 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 스윙을 분석하였다.

• 한국항해항만학회지
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• 제38권3호
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• pp.211-216
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• 2014

본 논문에서는 위성을 이용한 선박등의 이동중인 물체에 대해 광대역 서비스를 제공하기 위해 고전송율 전송 기법에 대해 연구하였다. 현재 위성 방송의 표준안은 DVB-S3에 근거를 두고 있으며, 항해 통신 등의 무선 장치를 이용하여 위성을 이용한 통신 서비스를 하기 위해서는 DVB-S3의 표준안에 근거를 두고 있다. 따라서 본 논문에서는 DVB-S3에서 제시되고 있는 반복 부호 알고리즘인 LDPC부호에 대해 8-PSK 변조 방식을 적용하고 전송률을 증가시키기 위해 FTN기법을 적용한 뒤, FTN으로 인해 열화된 성능을 반복 복호 기법을 통하여 성능을 향상시키는 방법에 대해 제시한다. 반복 복호 기법은 복호기의 출력값을 경판정하여 수신신호에 대한 새로운 LLR값을 다시 계산한뒤 반복 복호를 함으로써 성능을 향상시키는 방식이다. 본 논문에서는 FTN기법과 8-PSK, 1+7PSK 변조방식이 적용된 DVB-S2 시스템에 BICM-ID기법을 적용하여 가우시안 채널에서 성능 향상을 확인 하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.489.2-489.2
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• 2014

The planar type flexible piezoelectric energy harvesters (PEH) based on PbZr0.52Ti0.48O3 (PZT) thin films on the flexible substrates are demonstrated to convert mechanical energy to electrical energy. The planar type energy harvesters have been realized, which have an electrode pair on the PZT thin films. The PZT thin films were deposited on double side polished sapphire substrates using conventional RF-magnetron sputtering. The PZT thin films on the sapphire substrates were transferred by PDMS stamp with laser lift-off (LLO) process. KrF excimer laser (wavelength: 248nm) were used for the LLO process. The PDMS stamp was attached to the top of the PZT thin films and the excimer laser induced onto back side of the sapphire substrate to detach the thin films. The detached thin films on the PDMS stamp transferred to adhesive layer coated on the flexible polyimide substrate. Structural properties of the PZT thin films were characterized using X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). To measure piezoelectric power generation characteristics, Au/Cr inter digital electrode (IDE) was formed on the PZT thin films using the e-beam evaporation. The ferroelectric and piezoelectric properties were measured by a ferroelectric test system (Precision Premier-II) and piezoelectric force microscopy (PFM), respectively. The output signals of the flexible PEHs were evaluated by electrometer (6517A, Keithley). In the result, the transferred PZT thin films showed the ferroelectric and piezoelectric characteristics without electrical degradation and the fabricated flexible PEHs generated an AC-type output power electrical energy during periodically bending and releasing motion. We expect that the flexible PEHs based on laser transferred PZT thin film is able to be applied on self-powered electronic devices in wireless sensor networks technologies. Also, it has a lot of potential for high performance flexible piezoelectric energy harvester.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.17-20
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• 2001

Nonvolatile semiconductor memory devices with reoxidized nitrided oxide(RONO) gate dielectrics were fabricated, and nitrogen distribution and bonding species which contribute to memory characteristics were analyzed. Also, memory characteristics of devices depending on the anneal temperatures were investigated. The devices were fabricated by retrograde twin well CMOS processes with $0.35{\mu}m$ Nonvolatile semiconductor memory devices with reoxidized nitrided oxide(RONO) gate dielectric were fabricated, and nitrogen distribution and bonding species which contributing memory characteristics were analyzed. Also, memory characteristics of devices according to anneal temperatures were investigated. The devices were fabricated by $0.35{\mu}m$ retrograde twin well CMOS processes. The processes could be simple by in-situ process of nitridation anneal and reoxidation. The nitrogen distribution and bonding state of gate dielectric were investigated by Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry(D-SIMS), Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry(ToF-SIMS), and X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS). Nitrogen concentrations are proportional to nitridation anneal temperatures and the more time was required to form the same reoxidized layer thickness. ToF-SIMS results show that SiON species are detected at the initial oxide interface and $Si_{2}NO$ species near the new $Si-SiO_{2}$ interface that formed after reoxidation. As the anneal temperatures increased, the device showed worse retention and degradation properties. These could be said that nitrogen concentration near initial interface is limited to a certain quantity, so excess nitrogen are redistributed near the $Si-SiO_{2}$ interface and contributed to electron trap generation.

• 정보과학회 컴퓨팅의 실제 논문지
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• 제21권3호
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• pp.269-274
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• 2015

최근 구글, 애플 등 스마트 디바이스 업체들이 모바일 운영체제를 활용한 차량용 운영체제 및 내비게이션을 경쟁적으로 공개함에 따라 차량용 운영체제 및 내비게이션 시장에서 사용자의 선택의 폭이 넓어지고 있다. 모바일 운영체제를 탑재한 내비게이션은 기존 내비게이션과 차별화된 기능을 제공하여 사용자의 편의성을 높였다. 그러나, 내비게이션에서 사용하는 POI 데이터베이스를 내비게이션 상의 응용 프로그램이 편하게 이용할 수 있는 API가 없어 POI 데이터를 활용한 애플리케이션이 부족하다. 본 논문에서는 이러한 한계점을 극복하기 위한 내비게이션 운영체제용 POI 검색 관련 시스템 콜을 설계하고 구현하였다. 집합 기반 POI 검색을 지원하므로 잘못된 입력에 의한 검색 성능 저하 문제도 해결한다. 성능평가 결과, 검색 성능이 향상되었을 뿐만 아니라 응용 프로그램에서 API를 활용하는 데 문제가 없었다.

• 한국재료학회지
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• 제5권5호
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• pp.598-605
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• 1995

Thin films of $YB_{2}Cu_{3}O_{7-d}$ were prepared on various substrated of MgO(100), $SrTiO_{3}$, and $LaAlO_{3}$ by using off-axis magentron sputtering methods and annealing in-situ. The prarameters of film fabrication processes had been optimized through a "follow the lcoal maxima" strategy to yield good quality films in therms of the critical temperature $T_{c}$ and the critical current density $J_{c}$. Optimizedproecsses employing a plane magndtron and an cylindrical magnetron yielded $T_{c}$>90K along with $J_{c}$$10^{6}$A/$\textrm{cm}^2$ at 77K and > 2${\times}$$10^{7}$A/$\textrm{cm}^2$ at 5K. The sampels, however, showed degradationinthe properties, after chemical etching for fabrication of microbridges with the line width of 2-10 mocrons. In particular, the value of $T_{c}$ for the microbridges of 2microns was as small as 80%. The degradation was strongly dependent on the line width through a formula : $T_{c}$(e)=$T_{c}$)b) [1-a exp(-1000 bL)} where $T_{c}$(e) and $T_{c}$ (b) are the values of $T_{c}$ in the absolute scale measured after and before chemical etching, respectively and L is the line width in mm. By utilizing a best fitting technique, the proper constant values of a and to b were found as exp(-1.2) and 0.22, respectively. This formula was very useful in estimatiing the upper limit of the device operationtemperature.

• 한국철도학회논문집
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• 제20권4호
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• pp.466-473
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• 2017

최근 국내 철도 관련 기관에서 고속집전용 판토그래프를 개발하고 있으며, 이는 상부암의 경량화를 위하여 기존의 강재(Steel) 대신에 CFRP(Carbon Fiber Reinforced Plastics)와 알루미늄의 혼성구조체를 적용한 구조를 갖는다. KTX-산천 열차의 경우, 한 대의 판토그래프를 통해서 열차에 필요한 모든 전력을 공급해야 하는 동력집중식이므로 판토그래프는 큰 통전 용량을 가져야 한다. 하지만, 알루미늄 파이프의 열적 특성 분석 없이 통전 용량을 증대시키기 위하여 파이프의 두께를 임의로 증가시키게 되면 상부암의 무게 증가로 집전성능의 저화를 초래할 수 있다. 따라서, 본 논문에서는 KTX-산천 열차의 정지 상태에서 수전 시 판토그래프 상부암 혼성구조체를 이루는 알루미늄 파이프의 시간 경과에 따른 온도 특성 변화를 열해석을 통하여 분석하고, 제시된 판토그래프 통전 용량에 부합되는 알루미늄 파이프의 최소 두께의 적정성을 검토하고자 한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.399-402
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• 1998

Electroluminescent(EL) devices based on organic thin films have attracted lots of interests in large-area light-emitting display. One of the problems of such device is a lifetime, where a degradation of the cell is possibly due to an organic layers thickness, morphology and interface with electrode. In this study, light-omitting organic electroluminescent devices were fabricated using Alq$_3$(8-hydroxyquinolinate aluminum) and TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl(1-1\`-biphenyl]-4,4'-diamine). Where Alq$_3$ is an electron-transport and emissive layer, TPD is a hole-transport layer. The cell structure is ITO/TPD/Alq$_3$/Al and the cell is fabricated by vacuum evaporation method. In a measurement of current-voltage characteristics, we obtained a turn-on voltage at about 9 V. We also investigated stability of the devices using buffer layer with blend of PEI (Poly ether imide) and TPD by varying mot ratios between ITO and Alq$_3$. In current-voltage characteristics measurement, we obtained the turn-on voltage at about 6 V and observed an anomalous behavior at 3∼4 V. And we used other buffer layer of PEDT(3,4-pyrazino-3',4'-ethylenedithio-2,2',5,5'-tetrathiafulvalenium) with ITO/PEDT/TPD/Alq$_3$Al structure. We observed a surface morphology by AFM(Atomic Force Microscopy), UV/visible absorption spectrum, and PL(Photoluminescence) spectrum. We obtained the UV/visible absorption peak at 358nm in TPD and at 359nm in Alq$_3$, and the PL peaks at 410nm in TPD and at 510nm in Alq$_3$. We also studied EL spectrum in the cell structure of ITO/(TPD+PEI)/Alq$_3$/Al.

• 한국광학회지
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• 제18권2호
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• pp.149-154
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• 2007

저가의 소자 개발이 가능한 나노임프린팅 공정을 도입하여 510 nm 주기의 브래그 격자 구조를 가지는 폴리머 광도파로 소자를 제작하였다. 폴리머 격자 광소자의 온도 의존성을 감소시키기 위한 방법으로 플라스틱 박막으로 이루어진 유연성 기판상에 브래그 격자를 제작하는 것이 필요하다. 임프린팅 공정을 손쉽게 수행하기 위한 광도파로 구조를 채택하였으며, 코아와 클래딩의 굴절률이 각각 1.540, 1.430인 폴리머를 이용하여 코아 두께가 $3{\mu}m$인 단일모드 광도파로 구조를 얻을 수 있었다. 유연성 기판 브래그 격자 광도파로 소자의 특성을 Si기판 브래그 격자 광도파로 소자와 비교하여 관측한 결과, 유연성 기판 도입에 따른 브래그 반사 소자의 성능 저하는 나타나지 않았다.

• 제어로봇시스템학회논문지
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• 제15권9호
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• pp.877-880
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• 2009

A curing process in post-printing section of R2R process is required for an electrical property of the printed pattern when devices such as RFID, Solar cell are printed. PEN as well as heat-stabilized PET which is used as a plastic substrate would be deformed at high temperature due to change of its elastic modulus. And crack in the printed pattern, which is on the plastic substrate is occurred due to the deformation of the substrate. The occurrence of crack causes electrical resistance to increase and the quality of the device to deteriorate. In case of RFID antenna, the range of reading distance is shortened as the electrical resistance of the antenna is increased. Therefore, the deformation of the plastic substrate, which causes the occurrence of crack, should be minimized by setting up low operating tension in R2R process. In low tension, slippage between a moving substrate and a roller would be generated when the operating speed is increased. And scratch would be occurred when slippage is generated due to an air entrainment, which is related to the thickness of the air film. The thickness of the air film is increased when operating speed is increased as shown by simulation based on mathematical model. The occurrence of scratch in conductive pattern printed by roll to roll process is a critical damage because it causes degradation or failure of electrical property of it.