• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.203.1-203.1
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• 2016

Poly etch 설비에서 발생하는 dechuck 불량에 의한 Dynamic Alignment(DA) error는 poly etch 설비에서의 고질 적인 문제이다. 발생 원인은 ElectroStatic Chuck(ESC)의 노후화 혹은process plasma에 의한 attack 등으로 ESC와 wafer간 dechucking이 진행될 때 wafer내의 전하가 완전히 discharge되지 못하여 wafer Sticking에 의한 sliding이 발생되며 심해지면 Dynamic Alignment(DA) Error가 발생한다. DA error 발생 되면 particle down으로 wafer는 scrap 되며 DA error가 지속적으로 발생하는 설비는 ESC 교체를 하고 있다. ESC 교체비용도 매우 크며 교체 전까지 설비가 멈추어있는 시간적인 손실이 발생하게 된다. Dechucking을 진행할 때 Wafer에 잔존하는 전하를 제거 하여 Wafer의 sticking을 줄여 DA error를 근원적으로 방지하기 위해 plasma를 이용하여 wafer와 ESC를 하나의 electric circuit으로 연결시키는 방법으로 wafer에 잔존하는 전하를 제거 시키고자 하였다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.21 no.5
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• pp.106-111
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• 2007

After the semiconductor processing, wafer is attracted by ESC(Electrostatic Chuck) with remaining electric charge. That causes too many problems for examples, sliding of wafer, popping or broken. This paper presents the model of ESC for silicon wafer, which is modeled by electrical circuit component such as capacitor. The simulations using PSpice result in the phenomenon of silicon wafer was charged by ESC. In this paper we suggest the discharging method. for wafer.