• 한국진공학회지
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• 제17권3호
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• pp.199-203
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• 2008

$O_2$ 플라즈마를 이용한 표면처리 공정이 Bio-FET (biologically sensitive field-effect transistor)에 미치는 영향을 조사하기 위하여, SOI (Silicon-on-Insulator) wafer와 sSOI (strained- Si-on-Insulator) wafer를 이용하여 pseudo-MOSFET을 제작하고 $O_2$ 플라즈마를 이용하여 표면처리를 진행하였다. 제작된 시료들은 back gated metal contact junction 방식으로 측정되었다. $I_D-V_G$ 특성과 field effect mobility 특성의 관찰을 통하여 $O_2$ 플라즈마 표면처리에 따른 각 시료들의 전기적 특성 변화에 대하여 관찰하였다. 그리고 $O_2$ 플라즈마 표면처리 과정에서 플라즈마에 의한 손상을 받은 시료들은 2% 수소희석가스 ($H_2/N_2$)를 이용한 후속 열처리 공정을 진행한 후 전기적 특성이 향상되는 것을 관찰할 수 있었다. 이는 수소희석가스를 이용한 후속 열처리 공정을 통하여 산화막과 Si 사이의 계면 준위와 산화막 내부의 전하 포획 준위를 감소시켰기 때문이다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제15권10호
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• pp.2217-2222
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• 2011

본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG)MOSFET의 채널내 전위와 전하분포의 관계를 가우스 함수를 이용한 포아송방정식으로부터 유도하고자 한다. 즉, 도핑분포는 가우스 함수를 이용하였으며 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 대하여 문턱전압이하 스윙과 산화막 두께의 관계를 관찰하고자 한다. 포아송방정식으로부터 해석학적 전위분포 모델을 구하였으며 이를 이용하여 산화막 두께에 대한 문턱전압이하 스윙값의 변화를 구하였다. 문턱전압이하 스윙은 게이트전압에 대한 드레인전류의 변화를 나타내고 이론적으론 최소값 60 mV/dec을 나타내며 디지털소자응용에 매우 중요한 요소이다. 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 포텐셜 분포값을 수치해석학적 값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 포텐셜모델이 수치해석학적 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 도핑분포에 따라 문턱전압이하 스윙과 산화막두께의 관계를 분석하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권10호
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• pp.968-974
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• 2000

Nb$_2$O$_{5}$와 MnO 첨가에 따른 Pb$_{0.6}$Sr$_{0.4}$TiO$_3$반도체 세라믹의 미세구조와 전기적 특성은 유전특성, I(current)-V(voltage) 측정, 그리고 복소 임피던스 측정 등을 이용하여 고찰하였다. Nb 도핑량이 0.4 mol% 이하인 경우 Nb 도핑량에 따라 전도성과 입성장은 증가되었으나 그 이상의 도핑량에서는 Sr이나 Pb 공공의 생성으로 인하여 전도성이 감소되고 입성장도 억제되는 것을 관찰할 수 있었다. 0.4 mol% Nb-doped Pb$_{0.6}$Sr$_{0.4}$TiO$_3$에 0.01 mol% MnO를 첨가한 경우 비저항비($ ho$$_{max}$/$\rho$/min/)가 $10^2$에서 $10^4$으로 크게 향상되었다. 그리고 전이 온도 주변에서 여러 개의 변곡점을 지니는 비옴성 거동이 발견되었다. 이와 같은 현상은 입계에 존재하는 Mn 이온이 부분적으로 편석되어 표면 전하의 보상 효과에 영향을 미치는 것이라고 사료된다.

• 한국재료학회지
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• 제19권5호
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• pp.240-244
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• 2009

Simple and high efficiency green phosphorescent devices using an intermixed double host of 4, 4', 4"-tris(N-carbazolyl) triphenylamine [TCTA], 1, 3, 5-tris (N-phenylbenzimiazole-2-yl) benzene [TPBI], phosphorescent dye of tris(2-phenylpyridine)iridium(III) [$Ir(ppy)_3$], and selective doping in the TPBI region were fabricated, and their electro luminescent characteristics were evaluated. In the device fabrication, layers of $70{\AA}$-TCTA/$90{\AA}$-$TCTA_[0.5}TPBI_{0.5}$/$90{\AA}$-TPBI doped with $Ir(ppy)_3$ of 8% and an undoped layer of $50{\AA}$-TPBI were successively deposited to form an emission region, and SFC137 [proprietary electron transporting material] with three different thicknesses of $300{\AA}$, $500{\AA}$, and $700{\AA}$ were used as an electron transport layer. The device with $500{\AA}$-SFC137 showed the luminance of $48,300\;cd/m^2$ at an applied voltage of 10 V, and a maximum current efficiency of 57 cd/A under a luminance of $230\;cd/m^2$. The peak wavelength in the electroluminescent spectral and color coordinates on the Commission Internationale de I'Eclairage [CIE] chart were 512 nm and (0.31, 0.62), respectively.

• 한국결정학회:학술대회논문집
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• 한국결정학회 2002년도 정기총회 및 추계학술연구발표회
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• pp.16-16
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• 2002

The presently commercialized lithium-ion batteries use layer structured LiCoO₂ cathodes. Because of the high cost and toxicity of cobalt, an intensive search for new cathode materials has been underway in recent years. Recently, a concept of a one-to-one solid state mixture of LiNO₂ and LiMnO₂, i.e., Li[Ni/sub 0.5/Mn/sub 0.5/]O₂, was adopted by Ohzuku and Makimura to overcome the disadvantage of LiNiO₂ and LiMnO₂. Li[Ni/sub 0.5/Mn/sub 0.5/]O₂ has the -NaFeO₂ structure, which is characteristic of the layered LiCoO₂ and LiNiO₂ structures and shows excellent cycleability with no indication of spinel formation during electrochemical cycling. Layered Li[Ni/sub x/Co/sub 1-2x/Mn/sub x/]O₂ (x = 0.5 and 0.475) materials with high homogeneity and crystallinity were synthesized using a mechanical alloying method. The Li[Ni/sub 0.475/Co/sub 0.05/Mn/sub 0.475/]O₂ electrode delivers a high discharge capacity of 187 mAh/g between 2.8 and 4.6 V at a high current density of 0.3 mA/㎠(30 mA/g) with excellent cycleability. The charge/discharge and differential capacity vs. voltage studies of the Li[Ni/sub x/Co/sub 1-2x/Mn/sub x/]O₂ (x = 0.5 and 0.475) materials showed only one redox peak up to 50 cycles, which indicates that structural phase transitions are not occurred during electrochemical cycling. The magnitude of the diffusion coefficients of lithium ions for Li[Ni/sub x/Co/sub 1-2x/Mn/sub x/]O₂(x = 0.5 and 0.475) are around 10/sup -9/ ㎠/s measured by the galvanostatic intermittent titration technique (GITT).

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제33권7호
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• pp.2207-2212
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• 2012

Dimethylaluminum isopropoxide (DMAI, $(CH_3)_2AlO^iPr$) as a single precursor, which contains one aluminum and one oxygen atom, has been adopted to deposit non-stoichiometric aluminum oxide ($AlO_x$) films by low pressure metal organic chemical vapor deposition without an additional oxygen source. The atomic concentration of Al and O in the deposited $AlO_x$ film was measured to be Al:O = ~1:1.1 and any serious interfacial oxide layer between the film and Si substrate was not observed. Gaseous by-products monitored by quadruple mass spectrometry show that ${\beta}$-hydrogen elimination mechanism is mainly contributed to the $AlO_x$ CVD process of DMAI precursor. The current-voltage characteristics of the $AlO_x$ film in Au/$AlO_x$/Ir metalinsulator-metal (MIM) capacitor structure show high ON/OFF ratio larger than ${\sim}10^6$ with SET and RESET voltages of 2.7 and 0.8 V, respectively. Impedance spectra indicate that the switching and memory phenomena are based on the bulk-based origins, presumably the formation and rupture of filaments.

• 폴리머
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• 제27권1호
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• pp.40-45
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• 2003

본 연구에서는 $Fe_3O_4$ (magnetite)의 함량 변화와 온도 변화가 NBR/$Fe_3O_4$ 혼합물의 전기걱도도 ($\sigma$)에 미치는 영향을 조사하였다. 최소 최적 혼합비 (percolation threshold, $P_c$) 개념이 본 연구에서 제조한 전도성 입자가 충전된 복합체에 적용되며, 혼합물내 $Fe_3O_4$의 농도가 22%를 초과할 때 $\sigma$가 급격히 증가함을 확인하였다. $\sigma$의 온도 의존성은 $P_c$ 또는 그 이하에서 열적으로 활성화되며, 마그네이트가 NBR 고무의 강화 및 전도성 충전제로서의 역할을 할 수 있음을 조사하였으며, 충전제 함량이 30 phr인 복합체는 실온에서 고전압을 걸어줄 경우 전류는 전압제곱에 비례한 것으로 나타났다. 또한, 50 pk의 마그네이트가 충전된 복합체가 최적의 물리적 가교점으로 인하여 가장 우수한 인장강도와 파단시 신장율을 보였으며 모듈러스가 마그네이트의 강화효과 및 혼합물의 토오크 곡선으로부터 얻은 점도와 관련이 있음을 확인하였다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제52권5호
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• pp.201-205
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• 2003

We synthesized dendrimers containing light switchable units, azobenzene group. And the dendrimer containing 48 pyridinepropanol functional end group, which could form a complex structure with metal ions was synthesized. To apply to the molecular level devices or data storage system using Langmuir-Blodgett(LB) film, we firstly investigated the monolayer behavior using the surface pressure-area($\pi$-A) isotherms at air-water interface. And then the surface pressure shift of monolayer by light irradiation was also measured to the dendrimer with azobezene group. As a result, the monolayer of dendrimer with azobenzene group showed the reversible photo-switching behavior by the isomerization of azobenzene group in their periphery. The samples for electrical measurement were fabricated to two types which were pure dendrimer with pyridinepropanol group and its complexes with $Pt^4+$ ions by LB method. We have studied the electrical properties of the ultra thin dendrimer LB films investigated by the current-voltage(I-V) characteristics of Metal/Dendrimer LB films/Metal(MIM) structure. And we have investigated different results in the surface activity at the air-water interface as well as the electrical properties for the monolayers of pure dendrimer with pyridinevopanol group and its complex with $Pt^4+$ ions. In conclusion, it is demonstrated that the metal ion around dendrimer with pyri야nepropanol group can contribute to make formation of network structure among dendrimers and it result from the change of electrical properties. This results suggest that the dendrimers with azobenzene group and pvridinedropanol group can be applied to high efficient nano-device of molecular level.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.111-114
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• 1999

Electroluminescence(EL) devices based on organic thin films have been attracted lots of interests in large-area light-emitting display. In this stuffy, an emissive layer was fabricated using Langmuir-Blodgett(LB) technique in organic light-emitting (OLEDs). This emissive organic material was synthesized and named PECCP[poly(3.6-N-2-ethylhexyl carbazolyl cyanoterephthalidene)] which has a strong electron donor group and an electron acceptor group in main chain repeated unit. This material has good solubility in common organic solvents such as chloroform. THF, etc, and has a good stability in air. The Langmuir-Blodgett(LB) technique has the advantage of precise control of the thickness down to the molecular scale, In particular, by varying the film thickness it is possible to investigate the metal/polymer interface. Optimum conditions for the LB film deposition are usually determined by investigating a relationship between a surface pressure $\pi$ and an effective are A occupied by one molecule on the subphase. The LB films were deposited on an indium-tin-oxide(ITO) glass at a surface pressure of 10 mN/m and dipping speed of 12 mm/min after spreading PECCP solution on distilled water surphase at room temperature, Cell structure was ITO/PECCP LB film/Alq$_3$/Al. We considered PECCP as a hole -transport layer inserted between the emissive layer and ITO. We also used Alq$_3$ as an emissive layer and an electron transport layer. We measured current-voltage(I-V) characteristics, UV/visible absorption, PL spectrum and EL spectrum of the OLEDs.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제2권3호
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• pp.431-437
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• 1998

본 논문에서는, ULSI에서 기존의 실리콘 절연막을 대체할 것으로 여겨지는 질화 산화막(NO)과 재산화 질화 산화막(ONO)의 전기적 특성을 조사하였다. 특히, 질화 및 재산화 시간에 따른 NO와 ONO막의 전류전압 특성, 게이트 전압이동, 시간종속 절연항복 특성(TDDB) 변화를 측정하였고, 외부 온도 변화에 따른 최적화 된NO와 ONO막의 누설 전류와 절연체가 항복에 이르게 하는 전하량(Q$\_bd$)변화를 측정하였다. 그런 다음 기존의SIO$\_2$와 비교하였다. 측정 결과로부터, NO와 ONO막은 공정시간에 상당히 의존적이었으며, 최적화된 ONO막은 같은 전계를 유지하는 동안 절연 특성 및 Q$\_bd$특성에서 NO막과 SIO$\_2$에 비하여 우수한 성능을 보였다.