Suryawanshi Hiralal M.;Borghate Vijay B.;Ramteke Manojkumar R.;Thakre Krishna L.
Journal of Power Electronics
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v.6
no.4
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pp.330-339
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2006
This paper deals with novel electronic ballast based on single-stage power processing topology using a symmetrical half-bridge inverter and current injection circuit. The half-bridge inverter drives the output parallel resonant circuit and injects current through the power factor correction (PFC) circuit. Because of high frequency current injection and high frequency modulated voltage, the proposed circuit maintains the unity power factor (UPF) with low THD even under wide variation in ac input voltage. This circuit needs minimum and lower sized components to achieve the UPF and high efficiency. This leads to an increase in reliability of ballast at low cost. Furthermore, to reduce cost, the electronic ballast is designed for two series-connected fluorescent lamps (FL). The analysis and experimental results are presented for ($2{\times}36$ Watt) fluorescent lamps operating at 50 kHz switching frequency and input line voltage (230 V, 50 Hz).
The electric charge generated by flowing insulation liquid can create hazardous spark in transfer line and receiving tank etc. These electrification has generally been measured by current measurement with a ammeter connected to the receiving tank. This paper reports on the experimental result obtained by this method. As a experimental results: The injected charge value for unit volume increased in the following condition, the edge of the needle electrode was sharp, the number of needle electrode was fewer, the edge of the needle electrode was located close to the inside wall. When the charge density in the charge reducer is constant, electrode current and electrode potential by the charge injection from outside increase with increasing of oil velocity and streaming current. The electrode potential in charge reducer is made maximum value at edge point of reducer inside and minimum value at center line of charge reducer.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.25
no.7
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pp.780-790
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1988
We have studied the hot-carrier-induced degradation caused by the high channel electric field due to the decrease of the gate length of MOSFET used in VLSI. Under DC stress, the condition in which maximum substrate current occures gave the worst degradation. Under AC dynamic stress, other conditions, the pulse shape and the falling rate, gave enormous effects on the degradation phenomena, especially at 77K. Threshold voltage, transconductance, channel conductance and gate current were measured and compared under various stress conditions. The threshold voltage was almost completely recovered by hot-injection stress as a reverse-stress. But, the transconductance was rapidly degraded under hot-hole injection and recovered by sequential hot-electron stress. The Si-SiO2 interface state density was analyzed by a charge pumping technique and the charge pumping current showed the same trend as the threshold voltage shift in degradation process.
A phosphor-conversion white light source is demonstrated using an InGaN-based blue laser diode (LD) and a yellow-emitting phosphor excited by the blue LD. The photometric and colorimetric properties of this blue-LD-based white light source are characterized. When injection current of the LD is 100 mA, luminous flux and luminous efficiency of the white light are found to be over 5 lm and 10 lm/W, respectively. When injection current is >90 mA, luminance is estimated to be larger than 10 Mcd/$cm^2$. In addition, color characteristics of the white light such as chromaticity coordinates, a correlated color temperature, and a color rendering index are found to be quite stable as current and temperature of the LD varies. The demonstrated LD-based white light source is expected to be used in high-brightness illumination applications with good color stability.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.16
no.2
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pp.7-14
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1979
Design considerations of I2L are discussed with particular emphasis on the upward current gain of the npn transistor, 6J Several test structures have been fabricated to measure the DC and AC characteristics of the I2L basic cell and the base current components of the npn transistor. A T flip-flop has also been designed and fabricated using the I2L technology. The upward current gain of 10 the speed -power product of the 2.6pJ/gate and the minimum propagation delay time of 36 nsec have been obtained from the test structure. The maxmum toggle frequency of the T flip -flop has been measured to be 3.5 MHz.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.11a
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pp.497-500
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2001
Due to their better photosensitivity in X-ray, the amorphous selenium based photoreceptor is widely used on the X-ray conversion materials. It was possible to control the charge carrier transport of amorphous selenium by suitably alloying a-Se with other elements(e,g. As, Cl). The charge transport properties of amorphous Selenium is decided on hole which is induced from metal to selenium in metal-selenium junction and which is transferred in a-Se bulk. This phenomenon is resulted of changing electric field owing to increasing of space charge by deep trap of a-Se bulk. In this paper, We dopped the chlorine to compensate deep hole trap and deposited blocking layer using dielectric material to prevent from increasing space charge for injection charge between metal electrode and a-Se layer. We compared space charge and the decreasing of trap density through measuring dark and photo current.
When controlling a three-phase inverter that drives AC motor, it is important to know the value of the current. In this case, shunt sensing methods are known as low cost and useful performance. However, for certain swithcing condition, immeasurable areas exist and it is necessary to reconstruct the current in the area. This paper proposes a reconstruction method using voltage injection in synchronous coordinates system at the area, and verify the validity of the method through simulation.
The chromosome 7-linked long QT syndrome (LQT2) is caused by mutations in the human ether-a- go-go-related gene (HERG) that encodes the rapidly activating delayed rectifier $K^+$ current, $I_{Kr},$ in cardiac myocytes. Different types of mutations have been identified in various locations of HERG channel. One of the mechanisms for the loss of normal channel function is due to membrane trafficking of channel protein. The decreased channel function in some deletion mutants appears to be due to loss of coupling with wild type HERG to form the functional channel as the tetramer. Most of missense mutants with few exceptions could interact with wild type HERG to form functional tetramer and caused dominant negative suppression with co-injection with wild type HERG showing variable effects on current amplitude, voltage dependence, and kinetics of activation and inactivation. Two missense mutants at pore regions of HERG found in Japanese LQT2 (A614V and V630L) showed accentuated inward rectification due to a negative shift in steady-state inactivation and fast inactivation. One mutation in S4 region (R534C) produced a negative shift in current activation, indicating the S4 serving as the voltage sensor and accelerated deactivation. The C-terminus mutation, S818L, could not express the current by mutant alone and did not show dominant negative suppression with co-injection of equal amount of wild type cRNA. Co-injection of excess amount of mutant with wild type produced dominant negative suppression with a shift in voltage dependent activation. Therefore, multiple mechanisms are involved in different mutations and functional abnormality in LQT2. Further characterization with the interactions between various mutants in HERG and the regulatory subunits of the channels (MiRP1 and minK) is to be clarified.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.25
no.2
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pp.199-207
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2014
Although High-altitude electromagnetic pulse(HEMP) protection filter meets the requirements of pulsed current injection(PCI) acceptance test, the equipment under test which has low electromagnetic susceptibility level can be damaged during PCI verification test that is performed on operating condition of equipment. This paper proposed the HEMP effect analysis method using comparison of norms between residual current of HEMP filter and transient electromagnetic conducted susceptibility criteria of equipment, as an alternative method under the condition that performing PCI verification test is limited in HEMP hardened facilities. PCI acceptance test of HEMP filter, transient electromagnetic conducted susceptibility test, and PCI verification test are performed and test results are analyzed.
The common-rail injection systems, as a new diesel injection system for passenger car, have more degrees of freedom in controlling both the injection timing and injection rate with the high pressure. In this study, a piezo-driven injector was applied to a high pressure common-rail type fuel injection system for the control capability of the high pressure injector's needle and firstly examined the piezo-electric characteristics of a piezo-driven injector. Also in order to analyze the effect of injector's needle response driven by different driving method on the injection, we investigated the diesel spray characteristics in a constant volume chamber pressurized by nitrogen gas for two injectors, a solenoid-driven injector and a piezo-driven injector, both equipped with the same injection nozzle with sac type and 5-injection hole. The experimental method for spray visualization was based on back-light photography technique by utilizing a high speed framing camera. The macroscopic spray propagation was geometrically measured and characterized in term of the spray tip penetration, spray cone angle and spray tip speed. For the evaluation of the needle response of the above two injectors, we indirectly estimated the needle's behavior with an accelerometer and injection rate measurement employing Bosch's method was conducted. The experimental results show that the spray tip penetrations of piezodriven injector were longer, on the whole, than that of the solenoid-driven injector. Besides we found that the piezo-driven injector have a higher injection flow rate by a fast needle response and it was possible to control the injection rate slope in piezo-driven injector by altering the induced current.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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