• Elastomers and Composites
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• 제45권4호
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• pp.286-290
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• 2010

Coumarin기가 포함된 액정성을 가진 단량체를 액정 상태에서 UV 조사에 의해 중합하였다. Cycloaddition 반응에 의해 coumarin 액정 단량체는 이량체로 전환되었으며, 광이량화 반응 후에도 액정성이 유지되었다. 그리고 이러한 이량체는 단량체의 액정범위 보다 넓은 영역에서 액정성을 나타내었다. 화합물의 구조는 FT IR 및 $^1H$ NMR에 의해 확인하였으며, 그들의 열적 상전이온도 및 열안정성들은 DSC, GPC 및 편광현미경에 의해 조사하였다. 광중합에 의해 생성된 고분자 생성물은 광학 편광 현미경 관찰에 의해 스멕틱 및 네마틱 조직을 갖는 쌍방성 액정성을 보였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제13권1호
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• pp.24-30
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• 2003

The preparation of $PbTiO_3$ powder was carried out using the oxide starting material by hydrothermal method. The powder of a crystalline phase with perovskite structure was synthesized. The optimum conditions for the preparation of powder were as follows; hydrothermal solvent; 8M-KOH or 8M-NaOH, reaction temperature; 250~$270^{\circ}C$, run time; 10 h. The ,shape of synthesized powders were well developed crystalline faces with specific surface area of about 2.3 $\textrm m^2$/g in KOH solution and about 5.0 $\textrm m^2$/g in NaOH solution. The cell parameters of powder were a = 3.90$\AA$, c = 4.14 $\AA$ and cell volume was 57.30 $\AA^3$. The cell ratio (c/a) of powder was the same as the theoretical ratio with c/a = 1.06 and the phase transition temperature(Tc) of the powders was about $470^{\circ}C$.

• 유변학
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• 제9권2호
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• pp.53-59
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• 1997

열방성 액정고분자(LCP)와 polycarbonate(PC) poly(ether imide) (PEI) poly(PEEK), polysulfone(PSF), 그리고 polyarylsulfone(PAS)과의 블렌드에 대한 상용성을 연구하였다. 제조된 블렌드의 상거동에서 액정고분자가 PC-, PEI-, PEEK-, PSF-, 그리고 PAS-rich 상 에 녹아 들어가는 양이 PC, PEI, PEEK, PSF, 그리고 PAS가 액정 고분자 -rich상에 녹아들 어가는 양보다 많음을 알수 있었다. 측정된 블렌드의 유리전이온도 결과로부터 PC, PEI, PEEK와 액정고분자 사이의 상용성이 PSF, PAS와 액정 고분자 사이의 상용성에 비하여 더 좋음을 알수 있었다. 액정 고분자의 이방성을 고려하여 고분자-고분자 상호작용계수($\chi$12)를 결정하였으며, PC, PEI, PEEK, PSF, 그리고 PAS를 포함한 액정 고분자 블렌드에서 $\chi$12는 0.078-0.183으로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1989년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.111-113
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• 1989

This paper reports the optical characteristics of TeS$_{5}$ Ge$_{5}$ thin film. In phase diagram, TeS$_{5}$ Ge$_{5}$ has the eutetic point with the loweat melting point. Therfore, TeS$_{5}$ Ge$_{5}$ thin film will be melted by Diode Laser with low energy. TeS$_{5}$ Ge$_{5}$ thin films start to change the phase from amorphous to crystalline near 10$0^{\circ}C$, but perfectly change the phase at 28$0^{\circ}C$. As-deposit TeS$_{5}$ Ge$_{5}$ thin film start to change the phase to crystalline in enviroment og 66$^{\circ}C$ 80%RH.circ}C$ 80%RH.

• 유변학
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• 제7권3호
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• pp.250-260
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• 1995

스크류 압출기로 제조한 poly(ether ether ketone) (PEEK)과 p-hydroxy benzoic acid/poly(ethylene tere-phthalate) (HBA/PET)의 공중합체인 열방성 액정 고분자의 블렌드 를 전조성에 대하여시차 주사 열분석기 (DSC)와 주사전자현미경(SEM)을 이용하여 연구하 였다. 측정된 유리전이 온도와 유리전이 온도에서의 열용량 증가분으로부터 PEEK가 액정고 분자에 녹아들어가는 양보다 액정 고분자가 PEEK에 녹아들어가는 양이 더 많음을 알수 있 었다. 고분자-고분자상호작용계수($\chi$12)값은 35$0^{\circ}C$에서 0.069$\pm$0.004이었고, 짝상에서 액정고 분자의 degree of disorder는 PEEK의 질량분율이 증가함에 따라 증가하였다. 블렌드에서 PEEK의 결정화에 액정 고분자는 거의 영향을 주지않았고 액정 고분자의 결정화 역시 PE 따에 영향을 받지 않았다. 모폴로지연구에서는 액정 고분자를 PEEK에 10%첨가시에 PEEK 의 메트릭스상에서 액정 고분자가 신장된 타원형을 형성하였으며 액정 고분자를 20% 첨가 시에는 액정 고분자가 섬유상구조를 가지고 있었다.

• 한국섬유공학회:학술대회논문집
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• 한국섬유공학회 1987년도 학술발표초록집
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• pp.12-12
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• 1987

To improve the fibrillation phenomenon and processibili to of poly(p-phenyleneterephthalamide) (PPD-T) , a P/E copolyamide was prepared by introducing 4,4'-ethylene dianiline (EDA) into rigid chain backbone. The effects of semi-flexible segment on the liquid crystalline properties were investigated. The EDA, used as a comonomer, was prepared by catalylitic reduction of p,p'-dinitrophenyl , obtained by oxidative coupling of p,p'-dinitrotoluene. Various high molecular weight PIE copolyamides were prepared by low temperature solution polycondensation of terephthaloyl chloride (TPC) with various mixtures of p-phenylene diamine (PPD) and EOA. The PfE copolyamides were completely dissolved in 100% svlfuric acid, and the phase transition of P/E copolyamide-sulfuric acid systems was examined in teams of concentration and temperature. Over the chemical compositions, PIE=911, 812, and 713, solutions of anisotropic single phase were acquired. In particular, the two mixing ratios, 911 and 812, gave a good anisotropic spinning dope.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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• pp.377-380
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• 2004

The phase transition between amorphous and crystalline states in chalcogenide semiconductor films can controlled by electric pulses or pulsed laser beam; hence some chalcogenide semiconductor films can be applied to electrically write/erase nonvolatile memory devices, where the low conductive amorphous state and the high conductive crystalline state are assigned to binary states. GeSbTe(GST), AsSbTe(AST), SeSbTe(SST) used to phase change materials by appling electrical pulses. Thickness of ternary chalcogenide thin films have about 100nm. Upper and lower electrode were made of Al. It is compared with I-V characteristics after impress the variable pulses.

• 한국자기공명학회논문지
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• 제17권2호
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• pp.92-97
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• 2013

We study the electron spin resonance line-width (ESRLW) of $Fe^{3+}$ in crystalline $LiNbO_3$ ; the ESRLW is obtained using the projection operator method (POM) developed by Argyres and Sigel. The ESRLW is calculated to be axially symmetric about the c-axis and is analyzed by the spin Hamiltonian with an isotopic g factor at a frequency of 9.5 GHz. The ESRLW increases exponentially as the temperature increases, and the ESRLW is almost constant in the high-temperature region (T>8000 K). This kind of temperature dependence of the ESRLW indicates a motional narrowing of the spectrum when $Fe^{3+}$ ions substitute the $Nb^{5+}$ ions in an off-center position. It is clear from this feature that there are two different regions in the graph of the temperature dependence of the ESRLW.

• Journal of Industrial and Engineering Chemistry
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• 제67권
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• pp.478-485
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• 2018

The effect of reduced graphene oxide (RGO) addition on the dielectric and piezoelectric behavior of the polyvinylidene fluoride (PVDF) films was studied. Dielectric constant increased by four times and piezoelectric coefficient also increased twice by the addition of RGO in the PVDF films. Based on capacitance-voltage and ellipsometry measurements and the Kramers-Kronig transformation, it is concluded that the enhanced dielectric and piezoelectric properties of the PVDF/RGO films resulted from the increased orientational polarization due to a phase transition from nonpolar crystalline ${\alpha}$ phase to polar crystalline ${\beta}$ phase in the PVDF structure.

• 한국재료학회지
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• 제8권10호
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• pp.884-889
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• 1998

대면적의 비정질 실리콘 박막을 가우스 분포(Gaussian Profile)의 일차원 선형빔(line shape beam)을 가지는 엑시머 레이저를 사용하여 결정화를 시켰다. (Corning 7059 glass)위에 증착된 비정질 실리콘 박막이 재결정화된 실리콘 박막의 경우, 두께에따라 결정화되는 모양이 다르게 나타났다. 따라서 두께에 따라 결정화되는 상태의 변화를 조사하기 위하여 angle wrapping 방법을 새롭게 도입하여 깊이에 따른 Si층이 5${\mu}m$ 이상되도록 angle wrapping한 후에 박막의 두께에 따른 micro-raman spectra를 측정하여 결정화상태에 따른 잔류응력을 조사하였다. 또한 기판의 온도가 상온인 경우에 엑시머 레이저의 밀도가 300mJ/${cm}^2$에서 열처리한 경우에 재결정화된 Si 박막의 잔류응력에 박막의 표면에서 박막의 깊이에 따라 $1.3{\times}10^10$에서 $1.6{\times}10^10$을 거쳐 $1.9{\times}10^10$ dyne/${cm}^2$으로 phase의 변화에 따라 증가하였다. 또한 기판의 온도가 $400^{\circ}C$에서 최적의 열처리 에너지 밀도인 300mJ/${cm}^2$에서는 박막의 깊이에 따른 결정화 상태의변화에 따라 thermal stress 의 값이 $8.1{\times}10^9$에서 $9.0{\times}10^9$를 거쳐 $9.9{\times}10^9$ dyne/${cm}^2$으로 변화하는 것을 알 수 있다. 따라서 liquid phase에서 solid phaserk 변화함에 따라 stress값이 증가하는 것을 알 수 있다.