1,2-Disubstituted chiral calix[4]arene "25-(3,5-dinitrobenzoyloxy)-26-methoxy-27,28-dihydroxycalix[4]arene" was synthesized by the reaction of 25-(3,5-dinitrobenzoyloxy)-calix[4]arene with methyl iodide in the presence of K2CO3. Methylation was occurred at the 26-position of calix[4]arene. The partial cone conformation and 1,2-substitution were characterized based on the 1H NMR, 13C NMR and X-ray diffraction analysis. The crystal structure has been determined by X-ray diffraction method. The crystals are orthorhombic, Pbca, a=10.652(1), b=17.687(1), c=32.247(3) Å, Z=8, V=6075.4(9) Å3, Dc=1.38gcm-3. The intensity data were collected on an Enraf-Nonius CAD-4 Diffractometer with a graphite monochromated Cu-Kα radiation. The structure was solved by direct method and refined by full-matrix least-squares methods to a final R value of 0.050 for 2368 observed reflections. The molecule is in the partial cone conformation. It has two strong intramolecular hydrogen bonds of O(1D)-H…O(1C)-H…O(1B).
N$_{1}$-cyclohexyl-$N_{2}$-(o-chlorobenzal) imino thiourea, $C_{14}$H$_{18}$N$_{3}$SCI, crystallizes in $C_{2}$/c, with a=19.68, b=7.74, c=20.42$\AA$, ${\beta}$=$92.$8^{\circ}$ and eight formula units in the unit cell. The structure was solved by the study of Patterson sections, calculated from three-dimensional film data, and was refined by block-diagonal least-squares methods to R=0.16 based on 1288 independent intensity data. The rest atoms of N$_{1}$-cyclohexyl-$_{2}$-(o-chlorobenzal) imino thiourea molecule excluding cyclohexan ring and chlorine atoms approximately lie on a plane. A pair of molecules related by the symmetry centers are connected directly with the N-H.......S hydrogen bonds. Apart from the hydrogen bonding system the structure is held together by the van der Waals forces.
Undoped and Mn-doped $In_2O_3$ films were prepared by radiofrequency magnetron sputtering technique. The effects of Mn doping on the structural and optical properties of as-prepared films were investigated using X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy and ultraviolet-visible spectroscopy. Mn doping can enhance the intensity of (222) peak in Mn-doped $In_2O_3$ thin film, indicating Mn dopant promotes preferred orientation of crystal growth along (222) plane. XPS analyses revealed that the doped Mn ions exist at + 2 oxidation states, substituting for the $In^{3+}$ sites in the $In_2O_3$ lattice. UV-Vis measurements show that the optical band gap $E_g$ decreases from 3.33 to 2.87 eV with Mn doping in $In_2O_3$, implying an increasing sp-d exchange interaction in the film. Our work demonstrates a practical means to manipulate the band gap energy of $In_2O_3$ thin film via Mn impurity doping, and significantly improves the photoelectrochemical activity.
Park, Byeong-Jun;Song, Ji-Yeon;Lee, Seong-Yeon;Yee, Ki-Ju
Current Optics and Photonics
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v.6
no.4
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pp.407-412
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2022
We report on a diode-laser-pumped mode-locked Yb:KGW laser system, which delivers ultrashort pulses down to 89 fs at a repetition rate of 63 MHz, with an average power of up to 5.6 W. A fiber-coupled diode laser at 981 nm, operated with a compact driver, is used to optically pump the gain crystal via an off-axis parabolic mirror. A semiconductor saturable-absorber mirror is used to initiate the pulsed operation. Laser characteristics such as the pulse duration, spectrum bandwidth, and output power are investigated by varying the intracavity dispersions via changing the number of bounces between negative-dispersive mirrors within the cavity. Short pulses with a duration of 89 fs, a center wavelength of 1,027 nm, and 3.6 W of output power are produced at a group-velocity dispersion (GVD) of -3,300 fs2. As the negative GVD increases, the pulse duration lengthens but the output power at the single-pulse condition can be enhanced, reaching 5.6 W at a GVD of -6,600 fs2. Because of pulse broadening at high negative GVDs, the highest peak intensity is achievable at a moderate GVD with our system.
Glass-ceramic glazes were prepared using a CaO-MgO-Al2O3-SiO2 system and were used to fabricate low-temperature firing,high-hardness glazes in ceramic tiles. Additives (B2O3) and a nucleating agent (TiO2) were added to the glaze, and crystallineglazes were obtained by sintering at 1000 ~ 1100 oC for 30 or 60 min. X-ray diffraction analysis of the glazes suggested thatcordierite (Mg2Al4Si5O18) and anorthite (CaAl2Si2O8) crystal phases were present, and the peak intensity of the cordieritecrystal phase increased with increasing sintering temperature. All samples showed high crystallinities of 70% or more,irrespective of sintering temperature or time. The glaze density increased with increasing sintering temperature and decreasedat 1100 oC. The Vickers hardness test results of the glazes indicated high hardness values of 6.79 and 6.77 GPa after 30 minheat treatment at 1000 oC and 60 min at 1050 oC, respectively. Glass-ceramic glaze with high hardness at low temperature wasfabricated through crystallization of glaze for tiles.
The crystallographic and magnetic properties of the system of $Fe_{1-x}Co_x$(x=0.2 and 0.4) prepared by microwave arc-melting with the maximum power of 3.5 kW and a iron-foil with thickness of 25 ${\mu}{\textrm}{m}$ have been studied by the methods of X-ray diffraction and the measurement of the magnetic hysteresis using the vibrating sample magnetometer at room temperature. The samples were prepared in three different ways: First, pellet form pressed under the pressure of 9,000 N/$\textrm{cm}^2$. Second, the sheet cold rolled. Third, thin sheet treated with the temperature of 90$0^{\circ}C$. The X-ray diffraction pattern of the sample prepared by the first method shows that the crystal structure of the sample is bcc as same as that of Fe with a good uniformity. The iron-foil has the coercivity of 43 Oe and the initial slope of magnetization of 0.328 emu/gOe. The coervicity and magnetization of the sample prepared by the second method increased as the Co content increased. But the initial slop of the magnetization decreased as the Co content increased. This means that the displacement of domain wall is suppressed by the increases of coercivity as the Co content increased. The saturation magnetization of the samples made by the third method increased. On the other hand, the coercivity of these samples decreased. The increase of saturation magnetization of the samples seems to be related to the changes in X-ray intensity after heat treatment. Also some magnetic parameters of the samples were calculated by using a simple model and compared with other values.
The green pigments of shamanic paintings (83 items) in the 19~20th century were analyzed with X-ray fluorescent spectrometer(XRF), scanning electron microscopy (SEM) and fourier transform infrared spectroscopy (ATR-FTIR). In 60 items, copper and arsenic were detected in green pigments of the paintings by XRF spectra. Cu $K{\alpha}$/As $K{\beta}$ (peak intensity ratio of copper and arsenic) of shamanic paintings of Bokgaedang (shrine), solemn paintings (romance of three kingdoms) of Donggwanwangmyo and unknown enshrined place were 5.93~12.04 and higher compared to 5.67-6.26 of standard emerald greens and 4.01~7.89 of remaining shamanic paintings. The SEM images of crystal forms of copper-arsenic green pigments were various. Crystal forms were divided into oval and round spherulite with intersecting plate crystals and spherulite with agglomerate plate crystals. The crystals of the latter were found in shamanic paintings of Bokgaedang (shrine), solemn paintings (romance of three kingdoms) of Donggwanwangmyo and unknown enshrined place and the former were found in the rest of shamanic paintings. Copper-arsenic green pigments of shamanic paintings were identified as Scheele's green from shamanic paintings of Bokgaedang (shrine) and romance of three kingdoms. Emerald green from the rest of shamanic paintings by ATR-FTIR. From analytical results, it is confirmed that Scheele's green of shamanic paintings of Bokgaedang and romance of three kingdoms was used in the 1850s~1870s and emerald green had been widely used from late 19th century to 1970 in the rest of shamanic paintings.
We have investigated photoluminescence(PL) spectra of four $In_xGa_{1-x}N(x=0.15)/GaN$ multiple quantum well(MQW) structures with different well widths in order to study a phenomenon on crystal phase separation. The asymmetic behavior of PL spectra becomes stronger with increase of the well width from 1.5 nm to 6.0 nm, which indicates dual-peak nature. Analyzing the dual-peak fit PL spectra, we have observed that the intensity of low-energy shoulder peak rapidly becomes stronger, compared to that of high-energy peak corresponding to a transition in InGaN QW. It suggests that InGaN QW has two phases with tiny different In compositions, and that In-rich(InN-like) phase forms more and more relatively than stoichiometric InGaN(x=0.15) phase by the InN phase separation mechanism as the QW width increases. PL spectrum of 6.0-nm sample shows an additional peak at low-energy lesion(${\sim}2.0\;eV$) whose energy position is almost the same as a defect band of yellow luminescence frequently observed in GaN epilayers. It may be due to a defect resulted from In deficiency formed with development of the phase separation.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SP
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v.49
no.4
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pp.1-9
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2012
LCD(Liquid Crystal Display) commonly used as an output device has a drawback of slow response time compared with CRT display. This drawback causes motion blur especially when an abrupt intensity change occurs in an image sequence as time goes on. To overcome the problem of slow response time overdriving technique has been used in TCON of LCD. In this technique, the previous frame data has to be compressed and stored in an external memory. Considering both chip size of TCON and computational complexity, AM-BTC has been applied to the 8bit HD display driver. However, the conventional method is not suitable for 10 bit Full HD because 10 bit Full HD data is much larger than that of 8 bit HD data. Being applied to 10 bit Full HD display driver, the conventional method increase cost by enlarging the external memory size of TCON or deteriorates image quality. In this paper, we propose dual BTC image coding technique for Full HD display driver that is an adaptive coding scheme according to morphological information of each sample block. Through experiments, it is verified that the proposed Dual BTC method performs better than the conventional method not only quantitatively but also qualitatively.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2017.05a
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pp.166-166
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2017
금속 재료 중 철강은 기계적 특성이 우수하고 대량생산이 가능하여 선박, 건축, 자동차 등 다양한 분야에 기초재료로써 널리 사용되고 있다. 그러나 스테인리스강 등과 같은 일부 특수한 용도의 강을 제외하고는 부식환경에 취약한 특성을 가지기 때문에 내식성을 향상을 위한 표면처리에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 가장 일반적으로 습식법(wet process)을 통해 표면상에 아연(Zn)을 도금해 사용하며, 아연이 자체적으로 포함한 희생양극(sacrificial anode) 및 차폐(barrier) 효과가 철강의 부식을 방지하게 된다. 하지만 산업의 고도화에 따라 더욱 가혹해진 노출환경으로 인해 고내식 강재에 대한 수요가 점차 증가하고 있으며, 아연코팅 층의 두께를 증가하여 내식성을 확보하는 방안은 미래 환경 및 자원적인 측면에서 근본적인 해결책으로 제시하기 어려움이 있다. 한편, 건식 프로세스(wet process)로 대별되는 PVD(physical vacuum deposition)에 의해 내식성을 향상시키고자 하는 연구들이 다양하게 진행되고 있다. 이것은 표면에 고순도 양질의 금속 막을 형성시킴으로써 외부환경과의 반응을 효과적으로 제어가 가능하며, 형성된 막은 그 물질의 고유 특성뿐만 아니라 제작 조건에 따른 표면의 기하학적 혹은 결정학적 구조에 의해 크게 영향을 받게 된다. 본 연구에서는 실용금속 중 이온화 경향이 가장 크고 산소와 반응하여 투과성이 작은 산화 피막 형성이 유리한 마그네슘(Mg)을 활용해 표면의 전기화학적 특성을 향상시켰다. 또한 금속 증착 중 진공도조절을 위해 도입되는 불활성 가스로 아르곤(Ar) 및 질소($N_2$)를 사용하여 표면에 형성한 막의 모폴로지 및 결정배향성이 내식성에 미치는 상관관계를 해석하고자 하였다. 실험방법으로 PVD법 중 비교적 간편하고 기초적인 지침을 제시하기 적합할 것으로 고려된 진공증착(vacuum evaporation)법을 이용해 아르곤 및 질소 분위기에서 진공도를 조절하며 용융아연도금상 Mg막을 형성하였다. 제작조건별 막의 기초 특성을 분석하기위해 SEM, EDS, XRD를 이용하였고, 결정배향성(crystal orientation) 분석을 위해 면간격(d-value)과 상대강도(relative intensity)를 확인하였다. 또한 내식성 평가로 염수분무(salt sprat test) 및 양극분극(anode polarization)을 각각 실시하였다. 실험결과에 따르면, Ar 및 $N_2$ 모두에서 가스압이 증가할수록 코팅층의 증착량은 적어지고 입상정(granular structure)의 모폴로지 형성 및 면간격과 상대강도가 증가하는 것이 확인되었다. 또한 쳄버 내 동일 진공도에서, $N_2$ 도입 시 Mg막은 더욱 치밀하고 미세한 입상정의 모폴로지로 형성되며 면간격과 상대강도는 더욱 증가한 것으로 나타났다. 내식성 평가에서 저진공 $N_2$ 조건에서 형성시킨 막이 가장 우수한 내식성이 나타났는데, 이는 상대적으로 불안정하고 반응하기 유리한 입계면적을 많이 포함한 입상정 모폴로지 및 표면에너지가 높은면의 면점유율 증가로 인해 외부환경과의 신속한 반응은 물론 안정적인 피막형성이 용이하였기 때문일 것으로 사료된다. 이상으로 Ar 및 $N_2$ 가스압 조건에 따른 고내식 Mg 막의 유효성을 확인하였고 향후 내식성을 향상시키는 방법으로 응용 가능할 것으로 생각된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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