• 한국결정성장학회지
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• 제32권1호
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• pp.25-32
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• 2022

인베스트먼트 주조는 정밀기기, 의료분야, 액세서리 등의 제조에 일반적으로 사용되는 생산방식으로 장비의 현대화와 고품질의 재료를 통해 발전을 거듭해 왔으며 그 활용 범위가 확대되고 있다. 본 연구의 목적은 인베스트먼트 주조 공정의 핵심 요소인 금형 온도의 구조적 개선 및 표준화를 도출하여 불량률을 최소화하여 경제성과 생산성을 향상시키는 것이다. 연구의 범위는 소형탕도의 구조와 원리를 이해하기에 적합한 Jewelry 제조 주조 공정에 국한되어 있으며 연구 재료로 soft Wax, 석고 분말 및 14 K Gold를 사용하여 실험적 연구를 수행했다. 그 결과 Alloy 14 k의 주물 패턴에 가장 적합한 주물 표준 온도는 980℃ 플라스크 온도 550℃에서 가장 낮은 난류로 좋은 제품을 생산할 수 있었다. 본 연구의 향후 과제로 소형탕도의 구조 및 표준온도를 데이터를 분석하고, 현장의 생산 불량을 감소시키고 우수한 인베스트먼트 주조 공법의 경쟁력 확보를 위한 데이터를 제공하기 위한 세부 연구가 필요하다.

• 한국재료학회지
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• 제15권10호
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• pp.657-661
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• 2005

[ $ZnHgGa_4Se_8\;and\;ZnHgGa_4Se_8::Co^{2+}$ ] single crystals were grown by the Bridgman-Stockbarger method. The single crystals crystallized into a defect chalcopyrite structure. The optical energy band gap of the single crystals was investigated in the temperature range 11-300K. The optical energy band gap of the $ZnHgGa_4Se_8:Co^{2+}$ single crystal was smaller than that of the $ZnHgGa_4Se_8$ single crystal. The temperature dependence of the optical energy band gap of the single crystals was well fitted by the Varshni equqtion. The impurity optical absorption spectrum of the $ZnHgGa_4Se_8:Co^{2+}$ single crystal was measured in the wavelength region 300-2300 m at 80 K. Impurity absorption peaks in the spectrum were analyzed within the framework of the crystal field theory and were attributed to the electron transitions between the energy levels of $Co^{2+}$ sited in the Td symmetry point.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제49권7호
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• pp.382-387
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• 2000

The $CdAl_2S_4 and CdAl_2S_4 : Co^{2+}$ single crystals were grown by the chemical transport reaction method using iodine as a transport agent. The $CdAl_2S_4 and CdAl_2S_4 : Co^{2+}$single crystals were crystallized into a defect chalcopyrite structure. The optical energy gap of the $CdAl_2S_4 and CdAl_2S_4 : Co^{2+}$ single crystals was found to be 3.377 eV and 2.924 eV, respectively, at 300 K. Blue emission with peaks in 456nm~466nm at 280K was observed in the $CdAl_2S_4$ single crystal. Optical absorption and emission peaks due to impurities in the $CdAl_2S_4 Co^{2+}$ single crystal were observed and described as originating from the electron transition between energy levels of the $Co^{2+} ion sited at the Td symmetry point.

• 한국세라믹학회지
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• 제41권5호
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• pp.406-409
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• 2004

교류 구동 분산형 EL(ACPEL)에 사용되는 ZnS:Cu 청색 형광체를 고상 반응법으로 제조하였다. 1차 소성 후 인위적 결함을 형광체 표면에 도입함으로서 2차 소성 중에 의해 일어나는 ZnS의 상전이 및 EL 발광 휘도에 미치는 영향을 연구하였다. 즉 1차 소성된 형광체를 ball-mill 공정에서 인위적으로 표면에 defect를 형성시켜 ZnS의 저온상인 cubic으로의 전이가 용이하게 하여 EL구동하에서 발광 휘도를 증가시켰다. Ball-mill의 공정 변수로는 milling 시간과 rpm 등을 고려하여 각 조건에 따른 효과를 고찰하였으며, 발광 spectrum을 측정한 결과, 최적 조건에서 인위적인 결함을 형성하지 않은 형광체 보다 발광 휘도가 약 30% 이상 증가하였다. 또한 각기 다른 ball-mill 조건으로 합성된 형광체의 결정상을 분석하고 비교하였으며 상전이 특성에 따른 발광 휘도 변화를 고찰하였다.

• 한국재료학회지
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• 제13권3호
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• pp.195-199
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• 2003

The $p-CdIn_2$$Te_4$single crystal was grown in the three-stage vertical electric furnace by using Bridgman method. The quality of the grown crystal has been investigated by the x-ray diffraction and the photoluminescence measurements. From the photoluminescence spectra of the as-grown $CdIn_2$$Te_4$crystal and the various heat-treated crystals, the ($D^{\circ}$, X) emission was found to be the dominant intensity in the photoluminescence spectrum of the $CdIn_2$T $e_4$:Cd, while the ($A^{\circ}$, X) emission completely disappeared in the $CdIn_2$T $e_4$:Cd. However, the ($A^{\circ}$, X) emission in the photoluminescence spectrum of the $CdIn_2$T $e_4$:Te was the dominant intensity like an as-grown $CdIn_2$T $e_4$crystal. These results indicated that the ($D^{\circ}$, X) is associated with $V_{Te}$ acted as donor and that the ($A^{\circ}$, X) emission is related to $V_{cd}$ acted as acceptor, respectively. The $p-CdIn_2$T $e_4$crystal was found to be obviously converted into the n-type after annealing in the Cd atmosphere. The origin of ( $D^{\circ}$, $A^{\circ}$) emission and its TO phonon replicas is related to the interaction between donors such as $V_{Te}$ or $Cd_{int}$, and accepters such as $V_{cd}$ or T $e_{int}$. Also, the In in the $CdIn_2$X$CdIn_4$was confirmed not to form the native defects because it existed in the stable form of bonds.

• 한국결정성장학회지
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• 제31권2호
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• pp.63-68
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• 2021

본 연구에서는 NbC 코팅된 도가니가 SiC 단결정 품질에 미치는 영향을 조사하였다. 실험은 흑연 도가니와 NbC 코팅된 도가니를 사용하였으며, 두 실험의 결과를 체계적으로 비교 분석하였다. SiC 결정 성장은 Ar 분위기에서 2300℃ 이상의 온도와 5 Torr의 압력조건에서 PVT 법을 사용하여 진행하였다. 성장된 SiC 결정은 양면 그라인딩과 연마 가공 후 Raman 분석을 통해 결정상 분석, HR-XRD 분석으로 결정성을 분석하였다. 또한 KOH 에칭 후 광학현미경 분석과 SIMS 분석으로 결함 밀도 및 불순물 농도를 분석하여 두 웨이퍼의 품질을 비교하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제31권5호
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• pp.203-211
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• 2021

옥타칼슘포스페이트(OCP, Ca₈H₂(PO₄)₆·5H₂O)는 골전도성과 생체적합성을 가진 생분해성 인산칼슘계 재료 중 하나이다. 기질세포를 자극하여 조골세포로 분화하는 성질을 가지고 있어 빠른 골형성 및 재흡수되는 장점을 가지고 있다. 그러나 OCP가 체내에 삽입되면 분말 사이의 약한 응집력으로 인해 지지체의 형태를 유지하지 못하고 빠르게 분해된다. 반면, OCP와 유사한 결정구조를 갖는 수산화인회석(HA, Ca₁₀(PO₄)₆(OH)₂)은 골결손이 회복된 이후까지도 분해되지 않고 체내에 남아있다. 이 연구에서는 SBF(simulated body fluid) 용액에 HA 첨가량이 다른 OCP/HA disc을 침적한 후 기간에 따른 Weight loss, pH 변화 및 미세구조 변화의 측면에서 분해거동을 조사하였다. 그 결과 OCP/HA disc는 HA 함량에 관계없이 2주 동안 형태를 유지하였다. 특히, 40HA 시편의 표면이 균일하게 용해되는 양상을 보였고 SBF 용액 침적 후 7일 후부터 disc의 표면에 CDHA(calcium deficient hydroxyapatite)가 형성되었다. 이러한 결과는 40HA 시편이 골결손부의 회복을 위한 지지체로 적합하다는 것을 보여준다.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 2004년도 ICCAS
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• pp.126-131
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• 2004

The popularity of flat-panel display(FPD), including plasma display panel(PDP) and liquid-crystal display(LCD), has given rise to the need to streamline their production. In these days, PDP is one of the most popular display devices because of its expansion of manufacturing process and simplicity. Bus electrodes, sustain electrodes, barrier ribs and RGB phosphors are patterned on PDP panel to display an image. Since a minute damage on the pattern can cause a serious defect to display, it is important to inspect the pattern precisely. In this paper, an automatic inspection system of repeated pattern in PDP panel has been introduced to find the defect, such as open, short, dirt, island, and so on. And the inspection system has been operated in the mass production line of PDP.

• International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
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• 제1권1호
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• pp.56-61
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• 2000

We present a fast inspection method of machine vision for in-line quality assurance of liquid crystal displays(LCD) and plasma display panels(PDP). The method incorporates an optical spatial filter in the Fourier plane of the imaging optics to block the normal periodic pattern, extracting only defects real time without relying on intensive software image process. Special emphasis is on designing a collimated white light source to provide high degree of spatial coherence for effective real time Fourier transform. At the same time, a low level of temporal coherence is attained to improve defect detection capabilities by avoiding undesirable coherent noises. Experimental results show that the proposed inspection method offers a detection accuracy of 15% tolerance, which is sufficient for industrial applications.

• 한국진공학회지
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• 제5권3호
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• pp.218-222
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• 1996

STrained layers and strain depth profile of high dose As ion implanted (100) si wafer annealed at various temperatures have been investigated by means of X-ray double crystal diffractometry (X-ray DCD). The results obtained by x-ray rocking curve analysis showed a defect layer at the original amorphous /crystalline interface of 1400$\AA$ depth. In addition arsenic ion concentrtion profiles and defect distributions in depth were obtained by the SIMS and TRIM -code simulation . the positive strain depth profile determined from the rocking curve analysis were only presented under 0.14 $\mu$m from the surface for samples ananelaed at $600^{\circ}C$. The results was shown that the thickness of amprphous layer is 0.14 $\mu$m indirectry, and it was good agreement with the TRIM -Code simulation. Additionally, it could be thought that the positive strain have been affected residual intersitial atoms under the amorphous/crystalline interface formed by ion implantation.