Mechanical alloying behavior of the PbTe intermetallic compound, which is used for thermoelectric generation, has been investigated with milling time and ball-to-powder weight ratio. Formation of PbTe alloy was completed by mechanical alloying of the as-mixed Pb and Te powders for 2 minutes at ball-to-powder weight ratio of 2 : 1. In situ measurement of the abrupt temperature rise during the ball milling process indicated that the PbTe intermetallic compound was formed by a self-sustained reaction rather than diffusional reactions. Lattice constant of PbTe alloy fabricated by mechanical alloying, 0. 6462nm, was not varied with milling time and ball-to-powder weight ratio. This value of the lattice parameter is in excellent agreement with 0.6459nm, which was reported for PbTe powders processed by melting and grinding.
The phase evolution, microstructure, and microwave dielectric properties of Sr-substituted $Ba(Mg_{0.5}W_{0.5})O_3$ ceramics, i.e., $(Ba_{1-x}Sr_x)(Mg_{0.5}W_{0.5})O_3$ ($0{\leq}x{\leq}0.30$), sintered at $1700^{\circ}C$ for 1 h were investigated. All compositions showed a 1 : 1 ordered perovskite structure. In all the compositions, $BaWO_4$ was detected as the secondary phase. With increasing x in ($Ba_{1-x}Sr_x$) $(Mg_{0.5}W_{0.5})O_3$, the lattice parameter increased linearly, indicating that a substitutional solid solution occurred. All compositions exhibited a dense microstructure. The value of ${\varepsilon}_r$ increased slightly with increasing x. The value of $Q{\times}f_0$ increased with the increase in x up to x = 0.10 and reached a saturated value of about 100,000 GHz. The composition for x = 0.20, i.e., $(Ba_{0.80}Sr_{0.20})(Mg_{0.5}W_{0.5})O_3$, sintered at $1700^{\circ}C$ for 1 h exhibited superior microwave dielectric properties of ${\varepsilon}_r=19.6$, $Q{\times}f_0=99,358GHz$, and ${\tau}_f=0.0ppm/^{\circ}C$, respectively.
This study investigates the microstructural properties of CoCrFeMnNi high entropy alloy (HEA) oxynitride thin film. The HEA oxynitride thin film is grown by the magnetron sputtering method using nitrogen and oxygen gases. The grown CoCrFeMnNi HEA film shows a microstructure with nanocrystalline regions of 5~20 nm in the amorphous region, which is confirmed by high-resolution transmission electron microscopy (HR-TEM). From the TEM electron diffraction pattern analysis crystal structure is determined to be a face centered cubic (FCC) structure with a lattice constant of 0.491 nm, which is larger than that of CoCrFeMnNi HEA. The HEA oxynitride film shows a single phase in which constituting elements are distributed homogeneously as confirmed by element mapping using a Cs-corrected scanning TEM (STEM). Mechanical properties of the CoCrFeMnNi HEA oxynitride thin film are addressed by a nano indentation method, and a hardness of 8.13 GPa and a Young's modulus of 157.3 GPa are obtained. The observed high hardness value is thought to be the result of hardening due to the nanocrystalline microstructure.
International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
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v.4
no.2
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pp.30-38
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2003
This paper proposed PID controller for torch slider and PD controller for motor right wheel. to control the motion of two-wheeled welding mobile robot with seam tracking sensor touched on welding line. The motion control is realized in the view of keeping constant welding velocity and precise seam tracking even though the target welding line is on straight line or curved line. The position and direction of the body of the mottle robot are controlled by using signal errors between seam tracking sensor and body positioning sensor attached on the end of torch slider and body side of the mobile robot, respectively. In turning motion, the body and the torch slider are controlled by using the kinematic model related with two motions of body turning and torch sliding. The straight locomotion is controlled according to eleven control patterns obtained from displacements between two sensors of the seam tracking sensor and the body positioning sensor. The effectiveness is proven through the experimental results fur lattice type welding line. Through the experimental results, we can see that the position value of the electrode end point and the welding velocity are controlled almost constantly both in straight and turning locomotion.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.29
no.10
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pp.620-624
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2016
Ferroelectric $Pb(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3$ (PZT) films were deposited on SrTiO3(100) substrate by using conductive $SrRuO_3$ films as underlayer and their structural and ferroelectric properties were investigated. PZT films were grown in (00l) orientation on well lattice-matched pseudo-cubic $SrRuO_3$ films. Thickness dependence of ferroelectric and electrical properties of PZT films was investigated. PZT film with 400 nm thickness showed a remanent polarization ($P_r$) of $29.0{\mu}C/cm^2$ and coercive field ($E_c$) of 83 kV/cm, and $P_r$ decreased and $E_c$ increased with thickness reduction. The dielectric constant for PZT films showed gradual decrease with thickness reduction. Breakdown field of PZT films did not show the thickness dependence and displayed as high value as 1 MV/cm.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.11b
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pp.459-462
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2001
Interface effects on properties of NTC thermistors having Mn-Co-O spinel crytal structure system are analyzed by a mixing rule in case of mixed types and layered types between CuO and $Al_{2}O_{3}$ added compounds. With adding CuO and $Al_{2}O_{3}$, The compounds form completely solid solution and their resistance and B constant are changed due to the variation of conduction electrons by their ionic substitutions. The properties of mixed NTC thermistors are depended on the logarithmic mixing rule by a dispersed phase and they show slightly lower values due to the lattice mixing affect in compared with calculated values. The resistance of layered NTC thennistors is depended upon the series mixing rule containing the value of an interface layer and effected by the variation of its thickness, and it is changed rapidly to the logarithmic mixing rule by the connection between two layers with increasing the interface layer.
In this report, the structural and optical properties of sol-gel derived $Mg_xZn_{1-x}O$ thin films upon changes in the composition and annealing temperature were investigated. The $Mg^{2+}$ content and the annealing temperature were varied in the range of $0{\leq}x{\leq}0.35$ and $400^{\circ}C{\leq}T{\leq}600^{\circ}C$, respectively. The films exhibited a hexagonal wurtzite structure of a polycrystalline nature. The optical transmittance exceeded 85% and the optical band gap of the film was tuned as high as 3.84 eV at a value of x = 0.35 (annealed at $400^{\circ}C$), which was evidently the maximum $Mg^{2+}$ content for the single-phase polycrystalline $Mg_xZn_{1-x}O$ thin films prepared in this experiment. The optical band gap and photoluminescence emission were tailored to the higher energy side while maintaining crystallinity without a significant change of the lattice constant.
A batch mixture was prepared as 16mol% CaO-84mol% $ZrO_2$ of regeant-grade powder. The monoclinic Zirconia powder had an average particle size of $9.24 \mu\textrm{m}$ and calcium carbonate powder had a reported purity of 99.7 weight percent and mean particle size of TEX>$24, 37<\mu\textrm{m}$. The specimens were fired at 1400, 1500, 1650 and $1750^{\circ}C$ for 0. 3, 5 and 7 hours respectively. After fired the specimens were investigated using Scaning electron microscopy. Density Porosity Compressive strength Modulus of rupture and Thermal expansion were measured X-ray diffration analysis was also carried out. The results are as follows ; 1) As the firing temperature or soaking time was increased firing linear shrinkage apparent density compressive strength and modulus of rupture increased but apparent porosity decreased, 2) Cubic and monoclinic Zirconia was found at $1400^{\circ}C$ and cubic Ziconia found above $1500^{\circ}C$ 3) The specimens fired at 140$0^{\circ}C$ without soaking display thermal expansion curves by monoclinic〓tetragonal transformation and no tranformation was found at $1400^{\circ}C$ for 5hrs and above $1500^{\circ}C$. 4) The lattice parameter had constant value of 5.1345 $\AA$ through all the ranges of firing temperature 5) The higher the firing temperature was or the longer the soaking time was the larger the grain size was.
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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v.5C
no.3
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pp.97-101
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2005
ZnO thin films were grown at different plume-substrate (P-S) angles of 90$^{\circ}$ (on-axis PLD), 45$^{\circ}$ and 0$^{\circ}$ (off-axis PLD) using pulsed laser deposition. The x-ray diffraction pattern exhibiting a dominant (002) and a minor (101) peak of ZnO indicates all films were strongly c-axis oriented. By observing of (002) peak, the FWHMs of ZnO (002) peaks decreased and c-axis lattice constant approached the value of bulk ZnO as P-S angle decreased. Whereas the carrier concentration of ZnO thin film deposited at P-S angle of 90$^{\circ}$ was ~ 10$^{19}$ /cm$^{3}$, the Hall measurement of ZnO thin films deposited at P-S angles of 0$^{\circ}$ and 45$^{\circ}$ was impossible due to the decrease of the carrier concentration by the improvement of stoichiometry and crystalline quality. By decreasing P-S angle, the grain size of the films and the UV intensity investigated by photoluminescence (PL) increased and UV peak position showed red shift. The improvement of properties in ZnO thin films deposited by off-axis technique was due to the decrease of repulsive force between a substrate and the particle in plume and the relaxation of supersaturation.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.1
no.2
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pp.28-31
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2000
BaTiO$_3$cerameic thin films doped with Mn were manufactured by rf/dc magnetron sputter technique. We have investigated crystal structure, surface morphology and PRCR(positive-temperature coefficient of resistance) characteristics of the specimen depending on second heat-treatment temperature. Second heat treatment of the specimen were performed in the temperature range of 400 to 1350$\^{C}$ X-ray diffraction patterns of BaTiO$_3$ thin films show that the specimen heat treated below 600$\^{C}$ is an amorphous phase and the one heat treated above 1100$\^{C}$ forms a poly-crystallization . In this specimen heat-treated at 1300$\^{C}$, a lattice constant ratio(c/a) was 1.188. Scanning electron microscope(SEM) image of BaTiO$_3$ thin films of the specimen heat treated in between 900 and 1100$\^{C}$ shows a grain growth. At 1100$\^{C}$, the specimen stops grain-growing and becomes a poly-crystallization . A resistivity-temperature characteristics of the specimen depends on the doping concentrations of Mn. A resistivity ratio between the value at room temperature and the one above Curie temperature was 10$^4$ for pure BaTiO$_3$ thin films and 10$\^$5/ fo BaTiO$_3$ : additive 0.127mol% MnO
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[게시일 2004년 10월 1일]
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