$N_2{O}$ 가스로 재산화시킨 oxynitride막의 특성
(Properties of the oxynitride films formed by thermal reoxidation in $N_2{O}$ gas)
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- E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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- 제7권1호
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- pp.25-31
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- 1994