We investigated electrical and optical properties and chemical states of amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin films deposited at different substrate temperatures (from room temperature to $300^{\circ}C$). a-IGZO thin films were fabricated by radio frequency magnetron sputtering using $In_2O_3$ : $Ga_2O_3$ : ZnO = 1 : 1 : 1 target, and their electrical and optical properties and chemical states were investigated by Hall-measurement, UV-visible spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), respectively. The data showed that as substrate temperature increased, carrier concentration increased, but mobility, conductivity, transmittance in the shorter wavelength region (>350 nm), and the Tauc-plot-estimated optical bandgap decreased. XPS data indicated that the intensity of In 3d peak compared to Ga 3d peak increased but the intensity of Zn 3d peak compared to Ga 3d decreased, and that, from the deconvoluted O 1s peak, defects or oxygen vacancies and non-quaternary contents increased as the temperature increased. The relative intensity changes of the In, Zn, and O 1s sub-component are suggested to explain the changes in electrical and optical properties.
PLD 법을 이용하여 PbSe 박막을 p-Si(100) 기판 위에 성장시켰다. 성장온도에 따른 박막의 결정구조를 조사하기 위하여 기판온도를 RT${\sim}400^{\circ}C$로 변화시키면서 박막을 제작하였다. 여러 기판온도에서 제작한 PbSe 박막의 XRD 패턴과 PbSe(200) rocking curve의 반치폭(FWHM)을 분석한 결과, 성장온도 $200^{\circ}C$에서 제작한 박막이 가장 양호한 결정성을 나타냈다. 또한 AFM으로 관찰한 PbSe 박막의 표면형태도 $200^{\circ}C$에서 성장시킨 박막의 표면입자들이 가장 규칙적인 배열을 보였다. Hall 측정결과, PbSe 박막은 n-type 반도체임을 알 수 있었고, 전류-전압 특성 곡선은 전형적인 p-n junction 현상을 나타냈다. 또한 n-type 반도체인 PbSe 박막의 전기전도도는 일반적인 반도체의 값보다 약간 큰 것으로 확인되었다.
탄소나노튜브는 고강도, 고내구성 콘크리트의 생산을 위한 새로운 재료 중 하나로 여겨지며, 많은 연구자들에 의하여 연구되고 있다. 탁월한 열전도도는 향후 자가발열 콘크리트의 개발에 필수적이며, 이 연구에서는 다양한 목적을 갖는 콘크리트의 개발을 위한 역학적 특성 및 미세구조 분석을 실시하였다. CNT 첨가량은 시멘트 중량대비 0.115, 0.23, 0.46wt%로 하였다. 압축강도/휨강도 시험은 재령 3, 7, 28일에 실시하였으며, 공극률은 MIP 시험을 통해 실시하였다. CNT 분산성 및 수화생성물 분석을 위하여, SEM 분석 및 열분석을 실시하였다. 그 결과, CNT 첨가에 따른 역학성능은 다소 감소하는 경향을 나타내었으나, 0.115wt% 첨가한 경우 플레인 배합과 동등 수준의 결과를 확인할 수 있었다. 향후, 기존 콘크리트와 동일한 역학성능을 보유한 CNT 첨가 배합의 개발을 통한 발열성능 확보가 가능할 것으로 기대된다.
We report a new in-situ fluorine passivation method without in implantation by employing excimer laser annealing of $SiO_{x}F_{y}$/a-Si structure and its effects on p-channel poly-Si TFTs. The proposed method doesn't require any additional annealing step and is a low temperature process because fluorine passivation is simultaneous with excimer-laser-induced crystallization. A in-situ fluorine passivation by the proposed method was verified form XPS analysis and conductivity measurement. From experimental results, it has been shown that the proposed method is effective to improve the electrical characteristics, specially field-effect mobility, and the electrical stability of p-channel poly-Si TFTs. The improvement id due to fluorine passivation, which reduces the trap state density and forms the strong Si-F bonds in poly-Si channel and $SiO_2/poly-Si$ interface. From these results, the high performance poly-Si TFTs canbe obtained by employing the excimer-laser-induced fluorine passivation method.
We investigated a study on the thermal degradation of boron doped zinc-oxide (BZO) layer which used as a transparent conducting layer on the Cu (In1-xGax) Se2 (CIGS) based thin film solar cells. Devices were annealed under the temperature of $100^{\circ}C$ or 100 hours and then Hall measurement was carried out to characterize the parameters of mobility (${\mu}Hall$), resistivity (${\rho}$), conductivity (${\sigma}$) and sheet resistance (Rsh). The initial values of ${\mu}Hall$, ${\rho}$, ${\sigma}$ and Rsh were $29.3cm^2$/$V{\cdot}s$, $2.1{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$, $476.4{\Omega}^{-1}{\cdot}cm^{-1}$ and $19.1{\Omega}$/${\Box}$ respectively. After the annealing process, the values were $4.5cm^2$/$V{\cdot}s$, $12.8{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$, $77.9{\Omega}^{-1}{\cdot}cm^{-1}$ and $116.6{\Omega}$/${\Box}$ respectively. We observed that ${\mu}Hall$ and ${\sigma}$ were decreased, and ${\rho}$ and Rsh were increased. In this study, BZO layer plays an important role of conducting path for electrons generated by incident light onthe CIGS absorption layer. Therefore, the degradation of BZO layer characterized by the parameters of ${\mu}Hall$, ${\rho}$, ${\sigma}$ and Rsh, affect to the cell efficiency.
본 연구는 산성상태의 침출수가 차수층에 미치는 영향을 규명하고 년간 산업부산물로 다량 배출되는 고로슬래그, 플라이애쉬를 재활용하기 위한 한 방안으로 매립지 차수층에 첨가시의 역할을 규명하기 위한 기초연구자료이다. 산성침출수가 고화차수층에 미치는 영향을 고찰하기 위해 압축강도와 투수계수 실험결과, 고화재(시멘트)와 준설점토로 성형된 고화차수층의 경우 산성상태의 침출수에 노출됨에 따라 압축강도 감소와 투수계수 증가현상을 나타내었다. 반면 고로슬래그와 플라이애쉬를 첨가한 고화토차수층의 경우는 산성상태의 침출수에 영향을 크게 받지 않는 것으로 나타났다. 이는 고알카리 상태를 나타내는 고로슬래그와 플라이애쉬의 경우 차수층 내부로 침투되어 수화반응에 의해 생성된 칼슘계 수화물을 용해하는 산성물질의 용해작용을 방해하기 때문으로 판단된다.
본 논문은 생체의 내부 온도를 측정하기 위해서 매질 특성 추정기와 다중 온도 변환표를 갖는 수정된 마이크로파 라디오-써모미터(modified microwave radio-thermometer, MRTM)를 제안한다. 매질 특성 추정기는 생체의 유전을, 도전을, 두께, 형태와 같은 매질의 특성에 대한 데이터를 온도 검색 장치에 전달한다. 다중 온도 변환표를 갖는 온도 검색 장치는 이 변환표들 중 하나를 선택하여 측정된 방사 전력에 해당하는 온도값을 계산한다. 실험에서 MRTM은 $37^{\circ}C$의 온도에서 증류수와 혼합 용액에 대해서 $0.82\~7.68^{\circ}C$까지의 측정 오차를 줄일 수 있었다.
흑연 분말을 프탈로시아닌 또는 구리 프탈로시아닌과 함께 비활성 분위기에서 각각 열처리하여 표면처리를 진행하였고, 이의 속도특성과 저온 작동특성을 조사하였다. 표면처리 후 흑연 분말의 표면에 비정질 탄소와 구리의 코팅 층이 균일하게 형성되었다. 표면처리를 통하여 흑연 전극의 속도특성이 개선되는 것을 확인하였는데, 특히 구리 프탈로시아닌으로 처리한 경우 속도특성의 향상이 두드러졌다. 흑연 전극의 저항을 교류 임피던스와 펄스 저항측정법을 활용하여 조사하였는데, 구리 프탈로시아닌으로 처리된 흑연 전극의 경우가 저항이 가장 작았다. 프탈로시아닌으로 부터 유도된 비정질 탄소 층이 리튬이온의 확산을 용이하게 하고, 구리 프탈로시아닌으로부터 유도된 금속상태의 구리는 전자 전도도를 증가시키기 때문에 저항을 감소시키는 것으로 판단된다.
임해지역에서의 해수침투 평가를 위하여 서로 다른 수리지질학적 특성을 갖고 있는 3개의 연구지역, 9개의 시추공에서 전자유도검층, 공내수의 온도 및 전기전도도검층, 자연감마선검층을 수행하였다. 지표 물리탐사 이외에 물리검층을 추가로 활용함으로써 3개 연구지역의 해수침투와 관련된 지질학적 특성을 해석하는데 큰 도움을 얻을 수 있었다. 즉, 해수침투 평가에 물리검층을 활용함으로써 지표 물리탐사자료 해석의 정확성을 높일 수 있고, 지하수의 장기 모니터링을 위한 최적심도를 알아 낼 수 있으며, 지층의 투수성 여부에 관한 수리지질학적 단위를 구분할 수 있음을 보였으며 그밖에 물리검층 모니터링의 적용성에 대하여도 예시하였다. 시추공내 염수의 영향을 비교적 작게 받으면서 지층의 전기비저항을 측정하고, PVC 케이싱이 설치된 소구경의 시추공 내에서도 공극율을 측정할 수 있는 방법이 모색되면 물리검층으로 보다 정량적인 해수침투 관련 정보를 얻을 수 있을 것이다.
거대분자의 표면개질은 고분자재료의 물성을 향상시키기 위한 점진적이고 바람직한 방안을 제공하며 고분자의 주요 물성을 손상시키지 않고 고분자 표면의 전도도, 젖음성, 안정성, 접착 및 항박테리아성 등을 개선시킨다. PE 또는 PP 등의 polyolefin을 관능성 단량체로서 MAH와 용액상에서 그래프트시켰다. FTIR측정을 통하여 그래프팅이 일어났음을 확인하였다. 그래프팅율은 화학적정에 의하여 결정하였다. MAH량이 많아질수록 접촉각은 낮은 값을 얻었다. 또한 MAH량이 증가함에 따라 polyolefin-g-MAH의 융점($T_m$)은 감소하는 한편 분해온도($T_d$)는 증가하는 경향을 보였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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