이 연구에서는 지하 이상체와 배경매질의 전기전도도 대비가 큰 경우 측정 겉보기비저항이 일정한 값에 수렴하는 전류포화현상에 대하여 이론적 고찰을 수행하였다. 이를 위하여 몇 가지 간단한 지하구조 모형에 대한 이론해를 통하여 표면전하의 거동을 살펴보았으며, 이들 표면전하가 전류포화를 일으키는 원인 및 겉보기비저항에 미치는 영향을 고찰 하였다. 결과적으로 전기비저항 탐사에서 측정하는 겉보기비저항 이상의 크기는 포화현상에 따라 일정값에 수렴하게 됨을 확인하였으며, 실제 겉보기비저항 이상의 크기는 이상체가 완전도체 혹은 부도체일 경우보다 작다는 것을 입증하였다. 또한 대개 전기전도도 대비가 100배 이상이 될 경우, 전류포화현상이 발생하는 것으로 해석된다.
Various wt. ratios of indium were doped to the poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styreneswulfonate) (PEDOT:PSS) to enhance the conductivity and transmittance. The transmittance of the films increased with increasing the amount of indium. The field emission scanning electron microscope (FESEM) image of 2.54 wt. % of indium doped PEDOT:PSS film shows large number of aggregated indium particles. However, more than 2.54 wt. % of indium doped PEDOT:PSS films showed reduced aggregated indium particles. Moreover, 4.47 wt. % of indium doped PEDOT:PSS film showed no aggregated particles. The resistivity of pure PEDOT:PSS film showed $880k{\Omega}{\cdot}cm$. The resistivity of 1.03 wt. % indium doped film reduced approximately 26 times compared with pure PEDOT:PSS film. The resistivity of indium doped film further reduced with increasing the amount of indium, which showed approximately $0.55k{\Omega}{\cdot}cm$ for the PEDOT:PSS film doped 4.47 wt. % of indium.
We fabricate the conductive zinc oxide(ZnO) thin film using UV-enhanced atomic layer deposition. ZnO is semiconductor with a wide band gap(3.37eV) and transparent in the visible region. ZnO can be deposited with various method, such as metal organic chemical vapour deposition, magnetron sputtering and pulsed laser ablation deposition. In this experiment, ZnO thin films was deposited by atomic layer deposition using diethylzinc (DEZ) and D.I water as precursors with UV irradiation during water dosing. As a function of UV exposure time, the resistivity of ZnO thin films decreased dramatically. We were able to confirm that UV irradiation is one of the effective way to improve conductivity of ZnO thin film. The resistivity was investigated by 4 point probe. Additionally, we confirm the thin film composition is ZnO by X-ray photoelectron spectroscopy. We anticipate that this UV-enhanced ZnO thin film can be applied to electronics or photonic devices as transparent electrode.
The present study was focused on the analysis of the electric and thermal properties of spark plasma sintered $Bi_{0.5}Sb_{1.5}Te_3$ thermoelectric material. The crystal structure, microstructure, electric and thermal properties of the sintered body were evaluated by measuring XRD, SEM, electric resistivity, Hall effect and thermal conductivity. The $Bi_{0.5}Sb_{1.5}Te_3$ sintered body showed anisotropic crystal structure. The c-axis of the $Bi_{0.5}Sb_{1.5}Te_3$ crystal aligned in a parallel direction with applied pressure during spark plasma sintering. The degree of the crystal alignment increased with increasing sintering temperature and sintering time. The electric resistivity and thermal conductivity of the $Bi_{0.5}Sb_{1.5}Te_3$ sintered body showed anisotropic characteristics result from crystal alignment.
This paper describes electrical resistivity, dielectric strength, thermal conductivity, thermal stability and tensile strength of mica sheet impregnated with silicone rubber resin or silicone rubber resin containing alumina powder. The mica sheet impregnated with silicone rubber resin had higher electrical resistivity, dielectric strength and tensile strength than those of virgin mica sheet. Electrical resistivity of mica sheet impregnated with silicone rubber resin containing alumina increased with increasing the amount of alumina. However, dielectric strength and tensile strength of mica sheet impregnated with silicone rubber resin containing alumina decreased with increasing the amount of alumina. The mica sheet impregnated with silicone rubber resin had lower thermal conductivity than that of virgin mica sheet. However, thermal conductivity of mica sheet impregnated with silicone rubber resin conatining alumina increased with increasing the amount of alumina. In the case of thermal stability, thermal degradation of virgin mica sheet and impregnated mica sheet with silicone rubber resin did not occur up to $1100^{\circ}C$ and $400^{\circ}C$, respectively.
El Hasnaoui, M.;Kreit, L.;Costa, L.C.;Achour, M.E.
Applied Microscopy
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제47권3호
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pp.121-125
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2017
This study deals the prediction of temperature effect on low-frequency dispersion of alternating current (AC) conductivity spectra of composite materials based on copolymer reinforced with carbon black (CB) particles. A sample of ethylene butylacrylate loaded with 13% of CB particles were prepared and investigated using the impedance spectroscopy representation in the frequency range from 40 Hz to 0.1 MHz and temperature range from $20^{\circ}C$ to $125^{\circ}C$. The dielectric constant, ${\varepsilon}^{\prime}$, and dielectric losses, ${\varepsilon}^{{\prime}{\prime}}$, were found to decrease with increasing frequency. The frequency dependence of the AC conductivity follows the universal power law with a large deviation in the high frequency region, the positive temperature coefficient in resistivity effect has been observed below the melting temperature which makes this composite potentially remarkable for industrial applications.
석회암 공동이 발달한 도심지역에서 지하수위 하강에 수반되어 발생한 함몰형 지반침하의 원인 규명 및 공동의 분포 특성 파악을 위하여 시추공을 이용한 전기비저항 토모그래피탐사를 실시하였다. 이때 지하수 수리지질 특성을 파악하기 위하여 시추코아의 비저항 측정, 지하수위 측정 및 수리전도도 해석을 병행하였다. 연구 지역에서의 완만한 지하수위 분포 특성과 0.8-$9.3{\times}10^{-4}\;cm/s$ 범위의 수리전도도 분포로 부터 연구지역의 수리지질 특성은 불균질성이 크지 않은 것으로 나타났다. 시추코아를 이용한 전기비저항 측정 결과 연구지역의 석회암은 파쇄가 많은 경우, 변질이 심한 경우 및 신선한 경우로 나눠지며, 전기비저항은 각각 103-161, 218-277 및 597-662 ohm-m의 범위로 나타났다. 시추결과 점토로 충전된 석회암 공동 지점은 토모그래피 탐사자료의 역산 결과 50 ohm-m 이하의 낮은 비저항으로 나타났으며, 각 시추공 간 비저항 영상 단면으로부터 연구지역 전체적으로 지표 하부 심도 약 10-20 m 구간까지 파쇄대 또는 석회암 공동 구간이 분포하는 것으로 나타났다. 또한 석회암 공동의 직경은 약 4-6 m 규모로, 대부분 점토질로 충전된 것으로 판단된다.
암석 시료의 전기비저항과 공극수의 전기비저항의 관계를 고찰하기 위한 실험에 있어서 일반적으로 코어의 유효공극 내의 공극수를 포화시키고자 하는 전해질 용액이 완전히 치환하였다고 가정한다. 이 연구에서는 용액의 전기전도 도가 8, 160, 3200, 64000 ${\mu}S$/cm인 4종류의 소금물을 동일한 시멘트 시험편에 각각 4회씩 포화과정을 반복하며 함수율의 변화에 따른 전기비저항을 측정하고, 그 변화로부터 포화과정의 반복에 의해 공극수가 치환되는 정도에 대한 고찰하였다. 용액의 전기전도도를 높여가며 각각 4회씩 반복하고 다시 낮춰가면서 4회씩 포화과정을 반복하였다. 반복 횟수가 많아질수록 용액이 공극수를 더 많이 치환할 것이다. 따라서 용액의 전기전도도를 높여가며 측정한 전기비저항과 낮춰가며 측정한 전기비저항의 기하평균을 용액이 공극수를 완전히 치환하였을 때의 전기비저항으로 간주하고 비교의 기준으로 삼았다. 포화과정을 4회 반복함으로써 공극수가 치환하고자 하는 용액으로 치환되어 이전 공극수의 전기전도도와는 상관없이 암석의 전기비저항을 10% 이내의 편차로 측정할 수 있었다. 반면, 전기전도도가 낮은 용액으로부터 높은 용액으로 순차적으로 포화과정을 1회만 수행했을 경우에는 측정되는 암석의 전기비저항에 있어서 최대 40%의 오차를 보였다. 측정된 시료의 전기비저항과 공극수의 전기비저항의 관계는 변형된 병렬저항모델로 대체적으로 설명되어지나, 이를 일반화하기 위해서는 다양한 공극율을 가지는 암석 시료에 대해 다양한 공극수의 전기비저항에 대한 자료의 축적이 필요하다.
Thin nickel oxide films formed on uncooled and cooled $SiO_2/Si$ substrates using a radio frequency (RF) magnetron sputter powered by 200 W in a mixed atmosphere of argon and oxygen. Grazing-incidence X-ray diffraction and field emission scanning electron microscopy are used for the structural analysis of nickel oxide films. The electrical conductivity required for better bolometric performance is estimated by means of a four-point probe system. Columnar and (200) preferred orientations are discovered in both films regardless of substrate cooling. Electric resistivity, however, is greatly influenced by the substrate cooling. Oxygen partial pressure increase during the nickel oxide deposition leads to a rapid decrease in resistivity, and the resistivity is higher in the cooled nickel oxide samples. Even when small microstructure variations are applied, lower resistivity in favor of low noise performance is acquired in the uncooled samples.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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