Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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2004.05a
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pp.497-501
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2004
The primary failure causes of underground distribution power cables are water penetration in insulation layer and stress enhancement at inner semi-conductive layer. Accordingly, it is needed to improve the materials and the structure of power cables for extending lifetime and preventing failure. We uses non-flaming PE materials instead of PVC as a covering material and encapsulating structure. We also use super smooth class material as a inner semi-conductive layer. The newly developed cables are improved in AC breakdown voltage after ageing tests.
Carbon nanotubes (CNTs) are vertically grown inside high-aspect-ratio vertical pores of anodized aluminum oxide. A CNT catalyst layer is introduced by atomic layer deposition to the bottom of the pores, after which the CNTs are successfully grown from the layer using chemical vapor deposition. The CNTs formed a complete vertical conductive path. The conductivity of the CNT-vertical path is also measured and discussed. The present atomic layer deposition-incorporated catalyst deposition is predicted to enable the integration of CNTs with various challenging configurations, including high-aspect-ratio vertical channels or vertical interconnects.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.33
no.3
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pp.201-209
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2009
The objective of present research work is to design the heat conductive mould to improve cooling characteristics of the injection mould for a mouse. In order to obtain the high cooling rate of the mould, a heat conductive mould with three different materials was designed. The materials of the base structure, the mid-layer and the molding part of the heat conductive mould were chosen as Cu-Ni alloy (Ampcoloy 940) to improve the heat conductivity of the mould, Ni-Cu alloy (Monel 400) to reduce a thermal stress, injection tool steel (P21), respectively. Through the three-dimensional transient heat transfer analysis and the thermal stress analysis, the effects of the geometrical arrangement of each material on the cooling characteristics and the thermal stress distribution were examined. From the results of the analyses, a proper design of the thermal conductive mould was obtained.
Journal of the Korean Graphic Arts Communication Society
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v.22
no.2
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pp.73-82
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2004
A thermal transfer method was developed novel method to form the phosphor screen for monochrom VPT. This method have advantages of simple process, clean environment, saving raw material and running-cost. But now applying phosphor screen for thermal transfer method has been formed three layers (phosphor layer, ITO layer and thermal adhesive layer) on the PET film as substrate. This is complex process, consumption of raw-material and require of high cost. Also ITO paste at present has been imported from Japan. To improve these problems, we have developed ITO paste as conductive paste by using ITO sol and binder resin (AA3003). Ito paste as developed in this study has both conductive and excellent thermal transfer abilities. Thus we could manufacture phosphor screen formed two layers (phosphor layer and ITO layer).
The 'ITO/Ag/ITO' multilayers as a highly conductive and transparent electrode, even with the optimum thickness conditions, the transmittances were much lower than those of a single ITO layer on some ranges of the visible wavelength. In order to improve the transmittance, Ag layer was formed with mesh structure. Where, the thickness of the Ag layer was about 10 nm and the space between the Ag lines was varied from 2.9 ㎛ to 19.6 ㎛ with the fixed Ag width of about 1.2 ㎛ in order to vary an open ratio of the Ag mesh structure. The transmittance and sheet resistance in the ITO/Mesh-Ag/ITO multilayer structure were analyzed depending on the open ratio. As a result, a trade off in the open ratio was necessary in order to obtain the transmittance as high as possible and the sheet resistance as possible low. By the open ratio of about 86%, in the ITO/Mesh-Ag/ITO multilayer structure, the transmittance was nearly same as the single ITO layer and the sheet resistance was about 62.3 Ω/.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.32
no.8
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pp.673-680
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2015
A roll-to-roll (R2R) continuous manufacturing system for a carbon-nanotube (CNT)-/silver-nanowire (AgNW)- based large-area transparent conductive film was introduced in this study. The systemic guidelines of the R2R slot-die coating process including roll eccentricity, wrap angle, pump accuracy, and blower influence were discussed. To simulate the coating phenomenon, we investigated the governing parameters of the coating process by incorporating the estimated relative thickness that was defined by combining the viscocapillary model and volume model. By using experimental and mathematical approaches, an excellent transparent conductive layer with a $40{\Omega}/{\Box}$ sheet resistance and 88 % transmittance was obtained; moreover, a dimensionless number identifies the correlation between the transparent conductive film and the anti-reflection film.
A GDS (Geomagnetic Depth Sounding) method, one of extremely low-frequency EM methods, has been carried out to examine deep geo-electrical structures of the Korean peninsula. In this study, five additive GDS sites acquired in south-eastern area of the Korea were integrated into twelve previous GDS results. In addition, 3-D MT modeling considering the surrounding seas of the Korean peninsula was performed to evaluate sea effect at each GDS site quantitatively. As a result, Observed real induction arrows was not explained by solely sea effect, two conductive structures that are able to explain differences between observed and calculated induction arrows, was suggested. The first conductive structure is the Imjingang Belt, which is thought as a extension of Quiling-Dabie-sulu continental collision belt. The effects of the Imjingang Belt clearly appear at YIN and ICHN sites. The second one is the HCL (Highly Conductive Layer), which is considered as a conductive anomaly by mantle upwelling generated in back-basin region. The effects of the HCL are also confirmed at KZU, KMT101, 107 sites, in the south-eastern of the Korean peninsula.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.36
no.6
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pp.603-608
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2023
Carbon black with high purity and excellent conductivity is used as a conductive filler in the semiconductive compound for EHV (Extra High Voltage) power cables of 345 kV or higher. When carbon black and CNT (carbon nanotube) are applied together as a conductive filler of a semiconductive compound, stable electrical properties of the semiconductive compound can be maintained even though the amount of conductive filler is significantly reduced. In EHV power cables, since the semi-conductive layer is close to the conductor, stable electrical characteristics are required even under high-temperature conditions caused by heat generated from the conductor. In this study, the theoretical principle that a semiconductive compound applied with carbon black and CNT can maintain excellent electrical properties even under high-temperature conditions was studied. Basically, the conductive fillers dispersed in the matrix form an electrical network. The base polymer and the matrix of the composite, expands by heat under high temperature conditions. Because of this, the electrical network connected by the conductive fillers is weakened. In particular, since the conductive filler has high thermal conductivity, the semiconductive compound causes more thermal expansion. Therefore, the effect of CNT as a conductive filler on the thermal conductivity, thermal expansion coefficient, and volume resistivity of the semiconductive compound was studied. From this result, thermal expansion and composition of the electrical network under high temperature conditions are explained.
In this study, we inserted a Zn buffer layer into a AZO/p-type a-si:H layer interface in order to lower the contact resistance of the interface. For the Zn layer, the deposition was conducted at 5 nm, 7 nm and 10 nm using the rf-magnetron sputtering method. The results were compared to that of the AZO film to discuss the possibility of the Zn layer being used as a transparent conductive oxide thin film for application in the silicon heterojunction solar cell. We used the rf-magnetron sputtering method to fabricate Al 2 wt.% of Al-doped ZnO (AZO) film as a transparent conductive oxide (TCO). We analyzed the electro-optical properties of the ZnO as well as the interface properties of the AZO/p-type a-Si:H layer. After inserting a buffer layer into the AZO/p-type a-Si:H layers to enhance the interface properties, we measured the contact resistance of the layers using a CTLM (circular transmission line model) pattern, the depth profile of the layers using AES (auger electron spectroscopy), and the changes in the properties of the AZO thin film through heat treatment. We investigated the effects of the interface properties of the AZO/p-type a-Si:H layer on the characteristics of silicon heterojunction solar cells and the way to improve the interface properties. When depositing AZO thin film on a-Si layer, oxygen atoms are diffused from the AZO thin film towards the a-Si layer. Thus, the characteristics of the solar cells deteriorate due to the created oxide film. While a diffusion of Zn occurs toward the a-Si in the case of AZO used as TCO, the diffusion of In occurs toward a-Si in the case of ITO used as TCO.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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