Reaction of aniline and iodine in$CHCl_3,\;CH_2Cl_2 : CHCl_3$(1 : 1), and $CH_2Cl_2$ has been studied kinetically by using conductivity method, Pseudo first-order rate constants ($k_{obs}$) and second-order rate constants ($k_{obs}$/[aniline]) are dependent on the aniline concentration. Second-order rate constants obtained were increased with increasing aniline concentration. We analysed these results on the basis of formation of charge transfer complex as reaction intermediate. From the construction of react ion scheme and derivation of rate equation, we calculated equilibrium constants and activation parameters for the formation and transformation of charge transfer complex. The equilibrium constants were decreased by an increase in the dielectric constant of the solvent and the value is 1.7-3.7$M^{-1}$. The rate of transformation are markedly affected by the solvent polarity. ${\Delta}H^{\neq}$ is about 14.2kJ/mol, and ${\Delta}S^{\neq}$ is large negative value of -243J/mol K.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.24
no.12
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pp.955-961
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2011
We investigated the physical properties of stoichiometric and non-stoichiometric oxide doped complex perovskite, $Ba(Zn_{1/3}Ta_{2/3})O_3$ ceramics and their impacts on the microwave dielectric performances using various characterization techniques such as X-ray diffraction, scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, and network analyzer. According to the measurement of lattice constant changes, anomalous lattice volume contraction of $ZrO_2$ doped $Ba(Zn_{1/3}Ta_{2/3})O_3$ sample only showed the dielectric quality factor enhancements, which was due to the lattice volume contraction as well as the 1:2 B-site cation ordering. In addition, NiO doping was useful to the stabilization of temperature coefficient of resonance frequency.
This study investigated the crystal growth, crystalline structure and the basic optical properties of $PbSnSe/BaF_2$ epilayers. The PbSnSe epilayer was grown on $BaF_2$(111) insulating substrates using a hot wall epitaxy (HWE) technique. It was found from the analysis of X-ray diffraction patterns that $PbSnSe/BaF_2$ epilayer was grown single crystal with a rock-salt structure oriented along [111] the growth direction. Using Rutherford back scattering, the atomic ratios of the PbSnSe was found to be proper stoichiometric. The best values for the full width at half maximum (FWHM) of the DCXRD was 162 arcsec for PbSnSe epilayer. The epilayer-thickness dependence of the FWHM of the DCXRD shows that the quality of the $PbSnSe/BaF_2$ is as expected. The dielectric function ${\varepsilon}(E)$ of a semiconductor is closely related to its electronic energy band structure and such relation can be drawn from features around the critical points(CPs) in the optical spectra. The real and imaginary parts(${\varepsilon}1$ and ${\varepsilon}2$) of the dielectric function ${\varepsilon}$ of PbSe were measured, and the observed spectra reveal distinct structures at energies of the E1, E2 and E3 CPs. These data are analyzed using a theoretical model known as the model dielectric function (MDF). The optical constants related to dielectric function such as the complex refractive index ($n^*=n+ik$), absorption coefficient (${\alpha}$) and normal-incidence reflectivity (R) are also presented for $PbSnSe/BaF_2$.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.14
no.11
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pp.6000-6007
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2013
Cr(VI)-heterocyclic complex[Cr(VI)-isoquinoline] was synthesized by the reaction between of heterocyclic compound(isoquinoline) and chromium trioxide, and characterized by IR and ICP analysis. The oxidation of benzyl alcohol using Cr(VI)-isoquinoline in various solvents showed that the reactivity increased with the increase of the dielectric constant(${\varepsilon}$), in the order : cyclohexene$CH_3$, m-Br, m-$NO_2$). Electron- donating substituents accelerated the reaction, whereas electron acceptor groups retarded the reaction. The Hammett reaction constant(${\rho}$) was -0.69(308K). The observed experimental data have been ratiolized. The hydride ion transfer causes the prior formation of a chromate ester in the rate-determining step.
Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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2002.11a
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pp.329-334
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2002
This study evaporates TiO$_2$ layer thickness differently with RF sputtering method on Si Wafer(n-100). Thin film is made with the structure of Si+TiO$_2$ and Si+TiO$_2$+Al by evaporating TiN which is used as Antireflection of superintegrated semiconductor integrated circuit with Photo Catalyst. The research is performed to increase the characteristics of photon energy according to TiO$_2$ thickness and the reliability and reproducibility of TiO$_2$ thin film. Reversal of electric Permittivity values is induced by dipole polarization shown in the dielectric of thin film. Complex electric constant ($\varepsilon$$_1$, $\varepsilon$$_2$) has larger peak values as it's thickness is thinner and then it is larger according to the increase of frequency. Electric Permittivity by photon energy has large value in imaginary number and is reduced exponentially by the increase of carrier density according to that of photon energy.
The present paper investigates the propagation of Love-type wave in a composite structure comprised of imperfectly bonded piezoelectric layer with lower fiber-reinforced half-space with rectangular shaped irregularity at the common interface. Closed-form expression of phase velocity of Love-type wave propagating in the composite structure has been deduced analytically for electrically open and short conditions. Some special cases of the problem have also been studied. It has been found that the obtained results are in well-agreement to the Classical Love wave equation. Significant effects of various parameters viz. irregularity parameter, flexibility imperfectness parameter and viscoelastic imperfectness parameter associated with complex common interface, dielectric constant and piezoelectric coefficient on phase velocity of Love-type wave has been reported. Numerical computations and graphical illustrations have been carried out to demonstrate the deduced results for various cases. Moreover, comparative study has been performed to unravel the effects of the presence of reinforcement and piezoelectricity in the composite structure and also to analyze the existence of irregularity and imperfectness at the common interface of composite structure in context of the present problem which serves as a salient feature of the present study.
The electromagnetic (EM) wave absorption properties of the $Fe_{73}Si_{16}B_7Nb_3Cu_1$ nanocrystalline powder mixed with 5 to 20 vol% of Ni-Zn ferrites has been investigated in a frequency range from 100MHz to 10GHz. Amorphous ribbons prepared by a planar flow casting process were pulverized and milled after annealing at 425 for 1 hour. The powder was mixed with a ferrite powder at various volume ratios to tape-cast into a 1.0mm thick sheet. Results showed that the EM wave absorption sheet with Ni-Zn ferrite powder reduced complex permittivity due to low dielectric constant of ferrite compared with nanocrystalline powder, while that with 5 vol% of ferrite showed relatively higher imaginary part of permeability. The sheet mixed with 5 vol% ferrite powder showed the best electromagnetic wave absorption properties at high frequency ranges, which resulted from the increased imaginary part of permeability due to reduced eddy current.
Stable PZT coating sol was prepared using chelating agent, ethylacetoacetate(EAcAc) by sol-gel processing under ambient atmosphere. Through FT-IR spectrum analysis on solution of each reaction step, formation of metal complex was confirmed and prepared PZT sol was stable over several months. Through TG-DTA, XRD, FT-IR spetrum analysis of PZT gel powder, it was understood that the addition of EAcAc could reduce the transition temperature to ferroelectric phase, due to the increased homogeneity by matching the hydrolysis and condensation rates by chelation. Single perovskite phase was obtained by the heat-treatment at 54$0^{\circ}C$ for 30 min. The film was coated on ITO-coated glass substrate by dip coating method. After heat-treatment, PZT thin film had thickness in the range of 20~130 nm. The maximum dielectric constant of its thin film at room temperature and 1 kHz was 128.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.17
no.9
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pp.960-966
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2004
On the bases of the results from "Additive Coating of BaTiO$_3$ Powder using Sol Coating Method I", experimental condition was defined. Representative additives for BaTiO$_3$, that is to say, Mg, Ca and Mn were experimented. The sources of the metal ion were used by organometal complex. As added it, the stability of BaTiO$_3$ sol was evaluated. Mg and Ca were stable, however, The solubility limit of Mn-ATH was 0.05 mol ratio in Mn-ATH/sol. The solubility limit of Mg ion in BaTiO$_3$ was lower than 2 mol%. From the x Ray diffraction patterns, lattice parameters were different with temperature and additives, because the solubility of metal ion was varied in BaTiO$_3$. The dielectric constant of BaTiO$_3$ powders which coated with the 1.5 mol% Mg and calcined at 1200$^{\circ}C$ was increased with 20%.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.12
no.5
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pp.821-827
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2008
This paper presents the prediction model of attenuation characteristics of satellite communication signals operating in the range from 1 to 20GHz, associated with the effects of the Asian Dust. And this paper analyze the effects of the Asian Dust in theory that dust particles size and density, OPC, signal levels, exponentail distribution and the permittivity. The prediction model of the dust attenuation was got, combining the formula of the complex dielectric constant of Asian dust. Expressions for specific attenuation and attenuation are derived in terms of the height, visibility. Therefore it make an investigate to the prediction model of attenuation characteristics continuously.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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