Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.7
no.3
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pp.149-153
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2006
An attempting to produce a p-type diluted magnetic semiconductor (DMS) using $Ti_{1-x}Co_xO_{2-\delta}-based$ thin films was made by suitable control of the deposition parameters including deposition temperature, deposition pressure, and doping level using a pulsed laser deposition method. T$Ti_{0.97}Co_{0.03}O_{2-\delta}-based$ (TCO) films deposited at $500^{\circ}C$ at a pressure of $5\times10^{-6}$ Torr showed an anomalous Hall effect with p-type characteristics. On the other hand, films deposited at $700^{\circ}C$ at $5\times10^{-6}$ Torr showed n-type behaviors by a decreased solubility of cobalt. The charge carrier concentration in the p-type TCO films was approximately $7.9\times10^{22}/cm^3$ at 300 K and the anomalous Hall effect in the p-type TCO films was controlled by a side-jump scattering mechanism. The magnetoresistance (MR), measured at 5 K in p-type TCO films showed a positive behavior in an applied magnetic field and the MR ratio was approximately 3.5 %. The successful preparation of p-type DMS using the TCO films has the potential for use in magnetic tunneling junction devices.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.17
no.6
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pp.272-276
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2007
The various colored cubic zirconia single crystals for jewelry were grown by skull melting method of excellent productivity. The cubic zirconia is similar to the character of diamond, which has high refractive index, large dispersion and high hardness. It is possible that the development of new colored cubic zirconia by doping 3d-transition elements or 4f-rare earth elements. The colored cubic zirconia is representative of synthetic gemstone which was grown up by mixing one or over two materials among $Pr_6O_{11},\;TiO_2,\;MnO_2\;and\;Er_2O_3$ as coloring agent. Subsequent heat treatment improves the quality of color and uniformity. This study is aimed the color reappearance of cubic zirconia such as natural peridot, smoky-quartz and red-tourmaline.
The structural and electric properties of $Y_{1-x}$YbF$_{x}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-y}$(x=0.0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5 and 0.6) have been investigated by using XRD(X-ray diffraction), TMA(thennomechanical analysis), NMR(nuclear magnetic resonance) analysis and four probe method. $Y_{1-x}$YbF$_{x}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-y}$ samples were prepared by conventional solid-state reaction method using $Y_{2}$O$_{3}$, BaCO$_{3}$, CuO and YbF$_{3}$ power. TMA and high temperature XRD results shows that orthorhombic to tetragonal phase transition occurs in the unfluorinated 1-2-3 sample while the phase change is not observed in the fluorinated 1-2-3 samples. Superconducting transition temperature(T$_{c}$) increases with increasing YbF$_{3}$ content ; T$_{c}$, of the sample reaching maximum of 102K for x=0.3, and then decreases with further increasing YbF$_{3}$ content. The structural analysis and T$_{c}$ results shows that the fluorine doping stabilize the orthorhombic phase, together with the increase in T$_{c}$.}$ c/.TEX> c/.
Cerium-activated yttrium aluminate ($Y_3Al_5O_{12}:Ce^{3+}$) exhibiting a garnet structure has been widely utilized in the production of light emitting diodes (LEDs) as a yellow emitting phosphor. The commercialized yttrium aluminum garnet (YAG) phosphor is typically synthesized by a solid-state reaction, which produces irregular shape particles with a size of several tens of micrometers by using the top-down method. To control the shape and size of particles, which had been the primary disadvantage of top-down synthetic methods, we synthesized YAG:Ce nanoparticles with a diameter of 500 nm using a coprecipitation method under the atmospheric pressure without the use of template or special equipment. The precursor particles were formed by refluxing an aqueous solution of the nitrate salts of Y, Al, and Ce, urea, and polyvinylpyrrolidone (55 K) at $100^{\circ}C$ for 12 h. YAG:Ce nanoparticles were formed by the calcination of precursor particles at $1100^{\circ}C$ for 10 h under atmospheric conditions. The phase identification, microstructure, and photoluminescent properties of the products were evaluated by X-ray powder diffraction, scanning electron microscopy, absorption spectrum and photoluminescence analyses.
Porous ceramic membranes consisting of $Ce_{1-x}Y_xO_{2-{\delta}}$ were developed for hydrogen permeation tests. Various amounts (x = 0, 0.05, 0.1, 0.2) of yttrium were doped to ceria to study the effect of yttrium doping on ceria membranes on various properties, including hydrogen permeability. $Ce_{1-x}Y_xO_{2-{\delta}}$ powder was synthesized by the sol-gel method. These membranes were fabricated by pressing and sintering at $1300^{\circ}C$ for 6 h. As the amount of yttrium increased, the grain size of the membrane decreased. Hydrogen permeability was improved as the yttrium content increased. Selective permeability of hydrogen compared to CO is explained by electric conductivity. As the temperature rose, both the hydrogen perm-selectivity and electric conductivity on $Ce_{0.8}Y_{0.2}O_{1.9}$ improved.
Nanosized $SnO_2$ particles were synthesized by homogeneous precipitation method using tin chloride ($SnCl_4{\cdot}5H_{2}O$) and urea ($CO(NH_2)_2$). The powders were heated at $500^{\circ}C$ and $600^{\circ}C$ for 2h. The crystal structure, microstructure, thermal behavior, specific surface area were analyzed using XRD, FE-SEM, TGA and BET, respectively. The initial resistance and the $H_2$ sensing properties were measured as a function of ${Sb_2}{O_3}$ and Pd doping concentrations. The resistance was decreased with the addition of ${Sb_2}{O_3}$ and the sensitivity for $H_2$ gas was increased with the addition of Pd. Thus, the optimum $H_2$ gas sensing property was obtained in the 0.25.mol% ${Sb_2}{O_3}$ and 1.w% added $SnO_2$ powders.
Optical properties of $Ag_2CdSnSe_4$ and $Ag_2CdSnSe_4:Co^{+2}$ quaternary semiconductor single crystals grown by the chemical transport reaction method were investigated. The analysis of the X - ray powder diffraction measurements showed that these crystals have a wurtzite structure with lattice constants a = 4.357 $\AA$, c = 7.380 $\AA$, for $Ag_2CdSnSe_4$ and a = 4.885 $\AA$, c = 7.374 $\AA$, for $Ag_2CdSnSe_4:CO^{2+}$. The direct band gap at 298K, obtained from the optical absorption measurement, is found to be 1.21 eV for $Ag_2CdSnSe_4$ and 1.02 eV for $Ag_2CdSnSe_4:CO^{2+}$. The shrinkage of the band gap due to Co-doping is observed and is about 190 meV, We observed four absorption bands of $Co^{2+}$ ions in two near infrared regions of optical absorption spectra of $Ag_2CdSnSe_4$:$Co^{+2}$. These absorption bands were assigned as due to electronic transitions between the split energy levels of $Co^{2+}$ ions in $T_d$ crystal field under spin-orbit interactions.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.11
no.3
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pp.126-129
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2010
(1-X) $(Na_{0.5}K_{0.5})NbO_3-X$$K_4CuNb_8O_{23}$ (NKN-X KCN) ceramics were produced using the conventional solid state sintering method, and their sinterability and electric properties were investigated. The density, dielectric constant (${\varepsilon}_r$), piezoelectric constant $d_{33}$, electromechanical coupling factor $k_p$ and mechanical quality factor $Q_m$ value of the NKN ceramics depended upon the KCN content and the sintering temperature. In particular, the KCN addition to the NKN greatly improved the mechanical quality factor $Q_m$ value. The ceramic with X = 2.0 mol% sintered at $1,150^{\circ}C$ possesses the optimum properties (${\varepsilon}_r=241$, $d_{33}=78$, $k_p=0.34$ and $Q_m=1,121$). These results indicate that the ceramic is a promising candidate material for applications in lead free piezoelectric transformer and filter materials.
Electrolessly deposited Co (Re,P) was investigated as a possible capping layer for Cu wires. 50 nm Co (Re,P) films were deposited on Cu/Ti-coated silicon wafers which acted as a catalytic seed and an adhesion layer, respectively. To obtain the optimized bath composition, electroless deposition was studied through an electrochemical approach via a linear sweep voltammetry analysis. The results of using this method showed that the best deposition conditions were a $CoSO_4$ concentration of 0.082 mol/l, a solution pH of 9, a $KReO_4$ concentration of 0.0003 mol/l and sodium hypophosphite concentration of 0.1 mol/L at $80^{\circ}C$. The thermal stability of the Co (Re,P) layer as a barrier preventing Cu was evaluated using Auger electron spectroscopy and a Scanning calorimeter. The measurement results showed that Re impurities stabilized the h.c.p. phase up to $550^{\circ}C$ and that the Co (Re,P) film efficiently blocked Cu diffusion under an annealing temperature of $400^{\circ}C$ for 1hr. The good barrier properties that were observed can be explained by the nano-sized grains along with the blocking effect of the impurities at the fast diffusion path of the grain boundaries. The transformation temperature from the amorphous to crystal structure is increased by doping the Re.
Kang, Suk Hyun;Kang, Hyo Sang;Lee, Hee Ae;Shim, Kwang Bo
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.26
no.4
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pp.159-163
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2016
Up-conversion (UC) luminescence properties of polycrystalline $Er^{3+}/Yb^{3+}$ doped $NaGd(MoO_4)_2$ phosphors synthesized by a simple solid-state reaction method were investigated in detail. Used to 980 nm excitation (InfraRed area), $Er^{3+}/Yb^{3+}$ co-doped $NaGd(MoO_4)_2$ exhibited very weak red emissions near 650 and 670 nm, and very strong green UC emissions at 540 and 550 nm corresponding to the infra 4f transitions of $Er^{3+}(^4F_{9/2},\;^2H_{11/2},\;^4S_{3/2}){\rightarrow}Er^{3+}(^4I_{15/2})$. The optimum doping concentration of $Er^{3+}$, $Yb^{3+}$ for highest emission intensity was determined by XRD and PL analysis. The $Er^{3+}/Yb^{3+}$ (10.0/10.0 mol%) co-doped $NaGd(MoO_4)_2$ phosphor sample exhibited very strong shiny green emission. A possible UC mechanism for $Er^{3+}/Yb^{3+}$ co-doped $NaGd(MoO_4)_2$ depending on the pump power dependence was discussed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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