• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
• /
• pp.178-178
• /
• 2003

II-Ⅵ족 반도체 중에서 넓은 밴드갭을 가지는 ZnO에 Mn 이온을 doping할 경우 Tc가 상온보다 높을 것이라는 이론적 계산이 2000년 Science에 발표되었다. 이후 ZnO에 전이금속 이온을 doping하여 상온에서도 강자성을 나타내는 자성 반도체 (DMS)를 만들기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. Co-doped ZnO 박막은 PLD로 증착하였을 경우 Tc가 상온보다 높으나 재현성이 낮은 것으로 알려져 있었다. 그러나 최근 sol-gel 방법을 이용하여 Co-doped ZnO 박막을 제조하면 강자기 특성의 재현성을 높일 수 있다는 결과가 보고되었다. 이에 본 연구에서는 sol-gel 방법을 사용하여 여러 조성의 Co-doped ZnO 박막을 합성한 후 이들의 자성 특성을 검토하였다. 이러한 결과를 바탕으로 Co-doped ZnO 박막에서 강자성 발현의 근원을 규명하고자 (ⅰ) 조성에 따른 Co-doped ZnO의 Raman peak과 EXAFS peak의 변화를 측정하여 구조적 특성과 ZnO 내에서의 Co 이온의 상태를 분석하였으며, (ⅱ) Hall 효과 실험으로 carrier density를 측정함으로써 Fermi 준위에서의 파수 벡터의 크기를 산출하고자 하였다.

• 한국재료학회지
• /
• 제16권6호
• /
• pp.377-381
• /
• 2006

Skutterudite $CoSb_3$ doped with nickel was prepared by encapsulated induction melting, and its doping effects on thermoelectric properties were investigated. Single phase ${\delta}-CoSb_3$ was successfully obtained by encapsulated induction melting and subsequent heat treatment at 773 K for 24 h. Nickel atoms acted as electron donors by substituting cobalt atoms. Thermoelectric properties were remarkably improved by appropriate heat treatment and doping, and they were closely related to phase transitions and dopant activation. The maximum ZT(dimensionless figure of merit) was achieved as 0.2 at 600 K for the $Co_{0.93}Ni_{0.07}Sb_3$ specimen.

• 한국재료학회지
• /
• 제9권11호
• /
• pp.1117-1122
• /
• 1999

5~10nm 두께의 얇은 산화막 위에 $\alpha$-실리콘과 Co/Ti 이중막을 순차적으로 증착하고 급속열처리하여 코발트 폴리사이드 전극을 만든 후, SADS법으로 다결정 Si을 도핑하여 MOS 커패시터를 제작하였다. 이때 drive-in 열처리조건에 따른 커패시터의 C-V 특성과 누설전류를 측정하여, $\textrm{CoSi}_{2}$의 열적안정성과 도판트 (B 및 As)의 재분포가 Co-폴리사이드 게이트의 전기적 특성에 미치는 영향을 연구하였다.$ 700^{\circ}C$에서 60~80초간 열처리시, 다결정 Si층의 도핑으로 우수한 C-V 특성과 낮은 누설전류를 나타냈으나, 그 이상 장시간 또는 $900^{\circ}C$의 고온에서는 $\textrm{CoSi}_{2}$의 분해에 따른 Co의 확산으로 전기적 특성이 저하되었다. SADS법으로 Co-폴리사이드 게이트 전극을 형성할 때, 도판트가 다결정 Si층으로 충분히 확산되는 것뿐만 아니라, $\textrm{CoSi}_{2}$의 분해를 억제하는 것이 매우 중요하다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.217-220
• /
• 1999

We investigated the effects of doping elements on the Bi-Sr-Ca-Cu-0 ceramics. The doping elements can be classified into groups depending on their supeconducting characteristics in the Bi -Sr-Ca-Cu -O structure. The first group of doping elements(Co, Fe, Ni and Zn) substitute into the copper site and can reduce the critical temperatures of the 2223 and 2212 phases. The second group of doping elements(Y and La) substitute into the Ca site and cause the disappearance of the 2223 phase and increase the critical temperatures in the 2212 phase.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제37권6호
• /
• pp.612-616
• /
• 2000

The effect of Co dopant on the (La, Sr)MnO3 cathode was investigated. La2Zr2O7 and SrZrO3 were formed as the reaction products between YSZ and LSMC. The reactivity of LSMC with YSZ increased with increasing Co content. However, the cathodic polarization resistance decreased with increasing Co doping. Therefore, doping Co at Mn site in the (La, Sr)MnO3 cathode was effective on controlling the polarization resistance of the cathode. The polarization property of LSMC-YSZ composite(60 wt%: 40 wt%) cathode was better than that of LSMC single cathode.

• 반도체디스플레이기술학회지
• /
• 제13권1호
• /
• pp.91-95
• /
• 2014

(F,Ga) co-doped ZnO thin film on glass substrate was fabricated via a simple non-alkoxide sol-gel spin-coating. Contrary to the F single doped ZnO thin film, the (F,Ga) co-doped thin film showed a significant reduce in electrical resistivity after a second post-heat-treatment in reducing environment. The resulting decrease in electrical resistivity with Ga co-doping is considered to be resulted from the increases both carrier density and mobility. The optical transmittance of the (F,Ga) co-doped thin film in the visible range showed higher transmittance with Ga co-doping compared with F single doped ZnO thin film.

• 한국분말재료학회지
• /
• 제27권2호
• /
• pp.146-153
• /
• 2020

The co-doping effect of aliovalent metal ions such as Mg²⁺, Ca²⁺, Sr²⁺, Ba²⁺, and Zn²⁺ on the photoluminescence of the Y₂O₃:Eu³⁺ red phosphor, prepared by spray pyrolysis, is analyzed. Mg²⁺ metal doping is found to be helpful for enhancing the luminescence of Y₂O₃:Eu³⁺. When comparing the luminescence intensity at the optimum doping level of each Mg²⁺ ion, the emission enhancement shows the order of Zn²⁺ ≈ Ba²⁺ > Ca²⁺ > Sr³⁺ > Mg²⁺. The highest emission occurs when doping approximately 1.3% Zn²⁺, which is approximately 127% of the luminescence intensity of pure Y₂O₃:Eu³⁺. The highest emission was about 127% of the luminescence intensity of pure Y₂O₃:Eu³⁺ when doping about 1.3% Zn²⁺. It is determined that the reason (Y, M)₂O₃:Eu³⁺ has improved luminescence compared to that of Y₂O₃:Eu³⁺ is because the crystallinity of the matrix is improved and the non-luminous defects are reduced, even though local lattice strain is formed by the doping of aliovalent metal. Further improvement of the luminescence is achieved while reducing the particle size by using Li₂CO₃ as a flux with organic additives.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.83-84
• /
• 2007

Sn-filled and Ni-doped $CoSb_3$ skutterudites were prepared by encapsulated induction melting, and their filling and doping effects on thermoelectric properties were investigated. Single phase ${\delta}-CoSb_3$ was successfully obtained by encapsulated induction melting and subsequent heat treatment at 823K for 5 days. Nickel atoms acted as electron donors by substituting cobalt atoms. Thermoelectric properties were remarkably improved by Sn filling and Ni doping.

• 공업화학
• /
• 제18권5호
• /
• pp.483-489
• /
• 2007

Polyaniline (PANI)/Polyimide (PI) 혼합막을 제조하여 PANI 함량과 doping처리가 막의 구조적 특성과 기체 분리 특성에 미치는 영향을 연구하였다. NMP를 용매로 하여 6FDA와 ODA를 반응시켜 얻어진 polyamic acid (PAA) 용액과 PANI 용액을 혼합하여 PANI/PI 혼합막을 얻었다. 얻어진 PANI/PI 막을 1M의 HCl 수용액에서 24시간 doping처리하여 doped PANI/PI 혼합막을 제조하였다. 제조한 막은 FT-IR과 XRD 및 TGA에 의하여 구조적 특성을 분석하였고, $30^{\circ}C$와 5 atm에서 압력변화법으로 $H_2$, $O_2$, $CO_2$, $N_2$ 및 $CH_4$에 대한 기체 투과 특성을 조사하였다. PANI/PI 혼합막은 PANI와 PI의 흡수특성을 잘 보여주었고 PANI보다 열적 안정성이 향상되었으며, PANI의 함량이 증가할수록 d-spacing은 감소하였다. PANI/PI 혼합막에서 기체의 투과도계수는 PANI의 함량이 증가함에 따라 감소하였으며 투과도 계수의 크기는 $H_2$ > $O_2$ > $CO_2$ > $N_2$ > $CH_4$의 순서였다. PANI/PI막을 doping처리하면 투과도계수는 감소하나 투과선택도는 향상되었다. 특히 doping한 PANI/PI (75/25)막에서 $H_2/CH_4$의 선택도는 991을 나타내었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
• /
• pp.930-932
• /
• 2007

In order to understand the doping control for the belt source evaporation, the Alq3 and NPB were codeposited on the Ta plate to re-sublimate. The very slow heating $(0.1^{\circ}C/s)$ of the Ta plate shows the separated rate signals of Alq3 and NPB sublimated from the Alq3-mixed NPB organic film on Ta plate. The ratio of the vapor rates of Alq3 and NPB was measured as same as that of each sublimation rates. Therefore, the doping control of the belt source evaporation is of the ratio of the vaporization rates of host and dopants.