The complex $cis-[Co(13-aneN_4)(N_3)_2]Cl\cdot H_2O$ (1) (13-ane$N_4$ = 1,4,7,10-tetraazacyclotridecane) has been synthesized and structurally characterized by X-ray crystalloaraphy. It crystallizes in the orthorhombic system Pbca, a = 7.8282(4) ${\AA}$, b = 14.3197(7) ${\AA}$, c = 29.9021(15) ${\AA}$, V = 3351.9(3) ${\AA}^3$, Z = 8. The cobalt(III) ion in 1 is coordinated to four nitrogen atoms from the macrocycle and two azide ligands of cis position in a distorted octahedral environment, which forms the 1D polymer through hydrogen bonding contacts involving the cation, chloride anion and solvent water molecules.
New vanadium(V) complex, $(NH_4)_2[VO_2NTA]$, has been synthesized and its structure has been determined by solution and solid-state NMR spectroscopies as well as X-ray crystallography. The unit cell of the monoclinic crystals contains four complexes with $a=6.923(1){\AA}$, $b=8.824(2){\AA}$, $c=19.218(11){\AA}$ and ${\beta}=91.60(3)^{\circ}$ in the space group of $P2_1/n$. The $[VO_2NTA]^{2-}$ anion has distorted octahedral geometry with cis-$VO_2$ moiety. It is confirmed that the octahedral geometry is retained in both of solution and solid-state complexes.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.318-318
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2010
전기로를 이용하여 셀렌화한 $CuInSe_2$ (CIS)박막에 대해 연구한 결과를 발표하고자 한다. 화석연료의 과도한 사용으로 지구온난화의 환경문제가 대두되면서 영구적이고 무상의 태양에너지 이용에 대한 필요성이 점차 높아지고 있다. 빛에너지를 전기에너지로 변화시키기 위한 태양전지는 재료에 따라 다양하게 개발되고 있으며 그 중 가장 주목을 받고 있는 것 중의 하나가 $CuInSe_2$을 흡수층으로 하는 CIS 박막 태양전지이다. CIS 박막은 태양전지의 흡수층으로 사용되는데 직접천이형 밴드구조를 가지고 있고, 약 $10^5\;cm^{-1}$의 높은 광흡수계수를 가지고 있어 태양전지의 흡수층으로 적합한 물질로 각광받고 있다. 에너지 밴드갭이 1eV로 실리콘과 유사한 밴드갬을 가지고 있으나 이는 Ga, Al을 In 대신 치환함으로 조절할 할 수 있다. 무엇보다도 유리와 같은 저가의 기판위에 스퍼터와 같은 장치로 대면적 CIS 태양전지를 만들수 있다는 것이 산업적인면에서의 장점으로 알려져 있다. 본 연구에서는 $50mm{\times}50mm$ 넓이의 sodalime 유리판을 기판으로 하여 CIS 박막을 제조하고 연구하였다. 스퍼터를 이용하여 유리기판 위에 Mo (Molybdenum) 을 증착하고 그 위에 Cu-In막을 증착하였다. Cu-In/Mo/유리기판 시료는 전기로에 도입되어 셀렌화 처리 하였다. 전기로는 $10^{-1}$ Torr 정도의 진공을 수분간 유지하여 반응할 수 있는 공기(산소)를 제거하였다. 진공 혹은 5N의 고순도 질소를 흘려주며 열을 가하여 셀렌화를 하였다. 전기로에는 1g의 셀레늄(Se)이 Cu-In/Mo/유리기판 시료와 함께 도입되었다. Se이 Cu-In 막과 높은 반응성을 갖도록 Se과 Cu-In 시료는 그라파이드 상자에 함께 넣었고, 그라파이트 상자는 전기로에 넣어 셀렌화하였다. 셀렌화 온도는 $400^{\circ}C{\sim}500^{\circ}C$까지 변화시켜 가며 CIS 박막을 제조하였으며 그 물성도 조사하였다. 물성 조사는 사진, 현미경, SEM, EDX, XRD, Hall effects를 이용하였다. 셀렌화 온도가 $450^{\circ}C$ 이상에서는 CIS 박막의 흡착성이 낮아 CIS 박막이 Mo 표면에서 떨어짐을 알 수 있었다. 셀렌화 후 박막에 함유된 Se은 48%~49% 정도있었다. 제조된 CIS 박막시료를 SEM으로 확인한 결과 생성된 CIS/Mo 사이에 계면층이 생겼있음 알 수 있었다. 이러한 계면층은 $MoSe^2$층으로 사료되고, 셀렌화 온도가 높으면 계면층의 두께도 증가되는 경향을 보였다. 셀렌화 온도가 높아질수록 많은 양의 산소가 CIS 박막에 들어가는 것도 알 수 있었다. 학술회의에서 보다 깊은 조사결과를 발표하고자 한다.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2003.07a
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pp.166-167
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2003
아조벤젠 그룹의 trans-cis-trans photo isomerization 특성에 의한 광배향 (photoinduced orientation) 성질을 이용하여 아조벤젠이 함유된 폴리머박막에 표면 부조 격자 (surface relief grating)를 만드는 것은 널리 알려져 있다. 특히 최근 들어, 비선형 물질의 주기적인 배열 구조를 만들기 위해서 surface relief grating을 corona poling 하는 방법들이 연구되어 지고 있다. poling된 surface relief grating은 poling 방향으로의 azo분자의 극질서가 유도되기 때문에, $C_{{\infty}v}$점대칭을 가지는 비등방 회절 격자(anisotropic grating)가 되며 2차 비선형 특성 중의 하나인 선형 전기 광학 효과를 나타낼 수 있다. (중략)
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.48
no.5
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pp.25-33
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2011
This work proposes a skinny-type 10b 50MS/s 0.13um CMOS three-step pipeline ADC for CIS applications. Analog circuits for CIS applications commonly employ a high supply voltage to acquire a sufficiently acceptable dynamic range, while digital circuits use a low supply voltage to minimize power consumption. The proposed ADC converts analog signals in a wide-swing range to low voltage-based digital data using both of the two supply voltages. An op-amp sharing technique employed in residue amplifiers properly controls currents depending on the amplification mode of each pipeline stage, optimizes the performance of op-amps, and improves the power efficiency. In three FLASH ADCs, the number of input stages are reduced in half by the interpolation technique while each comparator consists of only a latch with low kick-back noise based on pull-down switches to separate the input nodes and output nodes. Reference circuits achieve a required settling time only with on-chip low-power drivers and digital correction logic has two kinds of level shifter depending on signal-voltage levels to be processed. The prototype ADC in a 0.13um CMOS to support 0.35um thick-gate-oxide transistors demonstrates the measured DNL and INL within 0.42LSB and 1.19LSB, respectively. The ADC shows a maximum SNDR of 55.4dB and a maximum SFDR of 68.7dB at 50MS/s, respectively. The ADC with an active die area of 0.53$mm^2$ consumes 15.6mW at 50MS/s with an analog voltage of 2.0V and two digital voltages of 2.8V ($=D_H$) and 1.2V ($=D_L$).
Jeong, Chaehwan;Park, Chanyoung;Kim, Jinhyeok;Lee, Suk Ho
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2010.06a
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pp.79-79
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2010
다른 물질에 비해 많은 우수한 특성을 가지고 있는 CuInSe2(CIS)박막 태양전지는 많은 연구자들에 의해 개발되어 오고 있다. CIS의 대표적인 장점으로는 직접천이형 밴드갭, 높은 흡수계수, 열 안정화상태 및 p형으로의 전도성물질의 가능성 등 다양하다. 또한 간단한 구조를 이용하여 유리같은 싼 기판을 이용하기 때문에 저가형 태양전지로서 많은 각광을 받고 있다. CIGS태양전지는 CIS의 In 사이트에 Ga을 도핑함으로서 만들어지는데 밴드갭은 약 1.4eV이다. CIS박막을 만드는 많은 방법이 존재하나 구성원소로부터 최적화된 조성을 찾을수 있는 방법이 가장 중요한 요소 중의 하나로 인식되고 있으며, 이런점에서 증발법 및 스퍼터링법 등 같은 진공방식이 비진공방식에 비해 훨씬 간편하게 조성비를 맞출수 있다. 그 중에 스퍼터링법은 대면적 박막태양전지로의 가능성으로 비출어 볼때 산업화를 위한 좋은 후보군이 될 수 있다. Selenization을 하기전에 Cu-In-Se의 전구체 조합은 여러개의 타겟으로부터 동시 스퍼터링법이나 다층 전구체법을 사용하여 준비되는데 어떤 방법이 되던지 Se의 부가적인 공급은 불가피하다. 지금까지 많은 관련 연구의 대부분인 구조적, 조성비적 그리고 광학적인 특성평가에 집중되어 오고 있는데, 전기적특성평가의 경우는 면저항, 비저항 같은 간단한 결과 위주로 보고되어 오고 있다. 또한 캐리어농도와 이동도에 대한 보고가 있음에도 불구하고 이해되기에는 충분치 못한 면이 많다.본 발표에서는 태양전지 제조 전단계로서 소다라임유리기판(SLG)위에 Mo의 유무에 따라 CIS박막의 전기적인 특성 변화에 대한 내용을 담고 있다. 소다라임유리($2cm{\times}2cm$)를 기판으로 사용하여 아세톤-에탄올 용액에 초음파세척을 수행하고, Mo 후면전극을 DC 스퍼터링방식을 이용하여 증착을 한다. SLG와 Mo이 코팅된 SLG를 각각 RF 스퍼터 챔버에 이송한 후 수증기 제거를 위해 약 10분간 예열을 한다. 샘플에 대한 전기적특성은 Hall효과 측정장치에 의해 측정이 되며 전기전도도, 캐리어농도, 이동도 및 전도형에 대한 정보가 각각의 변수에 따라 조사된돠. 부가적으로 구조적, 조성비적인 특성을 SEM,XRD 및 EDX를 통해 조사를 하여 전기적 특성에 따른 관계성을 검토한다. SLG와 Mo가 코팅된 SLG위의 CIS박막은 전기적으로 약간 다른 특성을 보일 것으로 예측되며, 이러한 기대를 바탕으로 조성비가 이상적인 화학양론에 근접할 때 p형으로서 제시될 수 있다는 것을 보여줄 것이다.
To understand the molecular structure and pathogenesis mechanism of Korean garlic viruses, we have isolated cDNA clones for garlic viruses. The partial nucleotide sequences of 24 cDNA clones were determined and those of five clones containing poly(A) tail were compared with sequences of other plant viruses. One of these clones, V9, has a primary structure similar to the carlavirus group, suggesting that the clone V9 derived from a part of garlic latent virus (GLV). Northern blot analysis with the clone V9 as a probe demonstrated that GLV genome is 8.5 knt long and has a poly(A) tail. The clone V9 encodes coat protein (CP) of 33 kDa and nucleic acid binding protein of 10 kDa in different reading frame. The hexanucleotide motif, 5'-ACCUAA, which is conserved in the 3' noncoding region arid was proposed to be a cis-acting element involved in the production of negative strand genomic RNA was noticed. Complementary sequence to the hexanucleotide motif, 5'-TTAGGT, is also found in the positive strand of V9 RNA. The putative CP gene was cloned into the pRSET-A expression vector and expressed in E. coli BL21. The expressed recombinant V9CP protein was purified by $Ni^{2+}$ NTA affinity chromatography. The anti-V9CP antibody recognizes 34 kDa polypeptide which could be CP of GLV in infected garlic leaf extract. Immunoblot and Northern blot analysis of various cultivars shows wide occurrence of GLV in Korean garlic plants.
Oh, Chang Eon;Kim, Bok Jo;Yoon, Doo Cheon;Doh, Myung Ki;Heo, Nam Ho
Journal of the Korean Chemical Society
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v.39
no.9
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pp.715-721
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1995
Reaction between trans-$[Co(py)_4/Ci_2]^+(py=pyridine)$ and L-proline and diimine (=2,2'-bipyridine, 1,10-phenanthroline) gives two products, $[Co(L-pro)_2/(bipy)]^+$ and $[Co(L-pro)_2(phen)]^+$ complexes, respectively. On column chromatography, $[Co(L-pro)_2(bipy)]^+$ was obtained only as $Lambda$-trans(N) and $[Co(L-pro)_2(phen)]^+$ was obtained both as ${\Delta}$-trans(N) and $Lambda$-cis(O)cis(N) due to the stereoselectivity of L-prolinato which was stereospecific. Crystal data are as follows: $Lambda$-trans(N)-$[Co(L-pro)_2(bipy)]CIO_4{\cdot}2H_2O$ (1): monoclinic, space group $P2_1(#4)$, a=9.807(3), b=10.421(1), c=12.778(2) ${\AA}$, ${\beta}=109.90(2)^{\circ}$, V=1227.8(5) ${\AA}^3$, Z=2; 1571 data with I > 3.0${\sigma}$(I) were refined to R=0.060, $R_W = 0.067$; ${\Delta}$-trans(N)-$[Co(L-pro)_2(phen)]Cl{\cdot}_3H_2O$(2): monoclinic, space group $P2_1(#4)$, a=9.838(2), b=12.892(2), c=10.747(2)${\AA}$, ${\beta}=113.79(2)^{\circ}$, V=1247.2(4) ${\AA}^3$, Z=2; 2433 data with I > 3.0${\sigma}$(I) were refined to R=0.043, $R_W = 0.050$.
The neutral monomeric compounds $[Mo(NO)_2Cl_2(phen)]$ and $[W(NO)_2Cl_2(phen)]$ (phen= 1,10-phenanthroline) have been prepared by reactions of polymeric compounds $[{Mo(NO)_2Cl_2}n],\;[{W(NO)_2Cl_2}n]$ with chelate ligands. Additions of one equivalent of silver(I) perchlorate to these cis-dinitrosyl compounds in acetone solution produce $[Mo(NO)_2(phen)(S)Cl][ClO_4]\;and\;[W(NO)_2(phen)(S)Cl][ClO_4]$ (S = acetone). The homo- and hetero-dinuclear complexes, $[Cl(phen)(NO)_2M(pyz)M'(NO)_2(phen)Cl][ClO_4]_2$ (M = Mo, W) and $[Cl(phen)(NO)_2M(pyz)M'(NO)_2(phen)Cl][C1O_4]_2$ (M = Mo, M' = W) have been prepared by these monocationic complexes with pyrazine ligand respectively. These complexes characterized by elemental analysis, $1^H-\;and\;^{13}C-NMR$, infrared, and UV-visible spectroscopy are reported. The spectral data indicate that homo- and hetero-dinuclear complexes were symmetrical structures of $C_{2v}$.
Jang, Yun-Jung;Amal, M. Ikhlasul;Alfaruqy, M. Hilmy;Kim, Kyoo Ho
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2010.06a
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pp.86.1-86.1
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2010
Cu2ZnSnSe4는 CIS 태양전지의 In 대체 물질계로 주목을 받고 있는 저가형 태양전지 재료로 장차 차세대 태양전지 재료로 응용이 기대되고 있다. 그러나 에너지 밴드갭이 0.9~1.1eV로 다소 낮아 태양전지 광흡수층 재료로 사용하기 위해서는 wide band gab화 처리가 필요하다. 본 연구에서는 CZTSe에 S를 첨가하여 에너지 밴드갭을 확장하고자 하며, S의 첨가가 CZTSe 박막의 특성에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 실험의 편의성을 도모하고자 펄스레이저 법을 사용하여 증착하였다. 박막 조성 제어에는 Cu, Zn, Sn, Se, S 분말을 볼밀로 분쇄, 혼합하여 균질 혼합상 프리커서를 제조하고 이를 Cold Isostatic Press(CIP) 성형하여 Source target을 사용하였다. Pulsed YAG-Laser를 사용하여 soda lime glass상에 증착하고 조성, 구조, 조직을 관찰하고 에너지 밴드갭, 광흡수계수, 면저항, 전하밀도 등 특성을 조사하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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