Korean oil and honey Yukwa has been paid attention as formal cake for traditional national seasons' holiday and religious service. Quality of Yukwa, however, has been maintained arbitrarily by each Yukwa manufacturer. Since even same Yukwa had severe differences in size, weight, and pattern, it has given the negative effect to the consumer. Yukwa industries need to setup the quantitative quality specifications instead of qualitative ones to maintain the uniformity of Yukwa quality. Efficient and economical inspection and process control system should be developed. In developing quality standards of Yukwa, features which can measure quality quantitatively in real time should be properly chosen. Existing quality features such as acidity, oxidization, hardness, viscosity, and texture were measured by the chemical or physical base destructive methods. Many research and developments have been performed in investigating and analyzing chemical transition states of those quality features as environment or storage condition changes. Most methods, however, require either off-line or complex treatment or time consuming process of analysis in evaluating quality features. Consumer, however, selects products mostly based on the external features such as shape, size, and color. Therefore, critical visual quality features should be chosen and the efficient real time measurement system must be developed. In this paper, computer image acquisition and processing system were developed and software modules were developed to extract the quantitative data of those features in real-time. Computer image processing system will promote in maintaining uniform quality of Yukwa and establishing quality standards of Yukwa.
중앙 탄소 원자를 가진 계에서의 1,2-와 1,3-그리고 1,5-수소 시그마 결합 자리 옮김반응에 관하여 전이상태와 활성화 에너지 장벽을 결정하기 위하여 MINDO/3 방법을 이용하였다. 전이상태의 안정성을 설명하는 데에는 궤도의 대칭성 외에 입체효과와 방향성 그리고 궤도간의 상호작용 또한 기여됨을 알았다. 헤테로 원자를 가진 계의 경우, 고립 전자쌍의 궤도가 수소의 자리 옮김반응에 관여하므로 전이상태에서 요구되는 궤도의 비틀림을 줄이게 되며, 그에 따라 활성화 에너지 장벽이 낮게 나타났다. 더욱 정확한 ab initio 계산에 의하여 얻어진 결과와 비교했을 때, 본 연구에서의 MINDO/3방법으로 얻은 상대적인 에너지 장벽의 크기 순서는 일치하는 경향성을 보였다.
흑연과 산화알루미늄(Alucer) 표면에 흡착된 벤젠이나 p-크실렌분자가 submonolayer 영역에서 어떤 흡착상태를 이루고 있는가를 이론적으로 살펴보기 위하여, 이들 흡착질 분자를 2차원 기체와 조화진동자의 두가지 모형으로 가정하고 통계열역학적으로 흡착엔트로피를 계산하여 실험치와 비교하였다. 그 결과 벤젠은 흑연표면에서 조화진동 운동을 하며, 산화알루미늄 표면에서는 비편재된 상태에 있다는 것을 알게 되었다. 흡착제 표면에서 흡착된 분자가 조화진동 운동을 한다고 가정할 경우 조절가능한 파라미터로 도입된 분자진동수는 $10^{11}\;sec^{-1}$로서 대단히 합리적인 값을 얻었다. p-크실렌분자가 흑연이나 산화알루미늄 표면에 흡착될 때는 단분자층이 이루어지기 훨씬 전에 비정상적인 값들이 나타난다.
음극 환원상태에 있는 철과 양극산화로 부동상태에 있는 철의 표면에 대하여 반사율과 광학적(ellipsometry) 측정을 하였다. 환원상태와 부동상태에 있는 표면들 사이의 광학적 파라미터들 (${\Delta},\;{\psi}$ 및 반사율)의 차이를 측정하여 그로부터 부동상태에서 금속 표면을 덮고 있는 표면막의 두께와 광학적 상수들을 정할 수가 있었다. 포화 칼로멜전극에 대하여 -400mV에서 부동화된 표면의 산화막은 약 11${\AA}$의 두께와 ${\tilde{n}}$ = 2.8 - 0.8 i 의 광학상수를 갖고 있는 것으로 나타났다. 이로부터 부동상태의 표면막은 적지 않은 전자 전기전도성을 가지고 있음을 알 수 있다.
[$(tacn)_4Fe_4O_2(OH)_4]_2{\cdot}8Br{\cdot}9H_2O$ (tacn = 1,4,7-triazacyclononane), a tetranuclear iron(III) complex was synthesized by the hydrolysis of (tacn)FeCl3 and crystallizes in the orthorhombic space group, Pca2(1), with cell parameters, a = 37.574(3) $\AA$, b = 16.9245(12) $\AA$, c = 14.2830(11) $\AA$, V = 9082.9(12) ${\AA}^3$. [$(tacn)_4Fe_4O_2(OH)_4]^{4+}$ cations approach S4 point symmetry containing an adamantane skeleton. Four Fe(III) atoms have distorted octahedral environments with two hydroxo and an oxo bridges. Two [$(tacn)_4Fe_4O_2(OH)_4]^{4+}$ clusters having different Fe…Fe distances are connected to each other by the networked hydrogen bonds. The electrochemical behavior reveals irreversible three cathodic and two anodic peaks. Magnetic properties are characterized by antiferromagnetic (AF) interactions between Fe(III) ion spins. However, the low-lying states are still magnetic and exhibit a blocking behavior and a magnetic hysteresis at low temperatures.
The NF-${\kappa}B$ system of transcription factors plays a crucial role in inflammatory diseases, making it an important drug target. We combined quantitative structure activity relationships for predicting the activity of new compounds and quantitative dynamic models for the NF-${\kappa}B$ network with intracellular concentration models. GFA-MLR QSAR analysis was employed to determine the optimal QSAR equation. To validate the predictability of the $IKK{\beta}$ QSAR model for an external set of inhibitors, a set of ordinary differential equations and mass action kinetics were used for modeling the NF-${\kappa}B$ dynamic system. The reaction parameters were obtained from previously reported research. In the IKKb QSAR model, good cross-validated $q^2$ (0.782) and conventional $r^2$ (0.808) values demonstrated the correlation between the descriptors and each of their activities and reliably predicted the $IKK{\beta}$ activities. Using a developed simulation model of the NF-${\kappa}B$ signaling pathway, we demonstrated differences in $I{\kappa}B$ mRNA expression between normal and different inhibitory states. When the inhibition efficiency increased, inhibitor 1 (PS-1145) led to long-term oscillations. The combined computational modeling and NF-${\kappa}B$ dynamic simulations can be used to understand the inhibition mechanisms and thereby result in the design of mechanism-based inhibitors.
녹색 화학은 오염 물질의 배출을 피하면서도 동시에 공정 효율을 향상시키고자 하는 목적 하에 화학 공정의 설계, 운영에 대해 연구하는 새로운 과학 분야이다. 1991년에 처음으로 싹트기 시작한 녹색 화학은 오염물질을 청소하는데 집중했던 기존의 미국 환경 보호청의 정책에서 선회한 행보를 보였다. 이러한 녹색 화학의 형성 과정에 대해 연구한 선행 연구자들은 녹색 화학의 정치, 경제적인 동기에 대해서는 집중하지 않았다. 이 논문은 정부의 환경 정책, 산업계의 참여, 그리고 새로 출현한 녹색 화학자들의 학술 활동 사이의 관계를 보였으며, 이를 통해 녹색 화학의 형성 과정이 보여주는 함의를 알아내고자 하였다. 학계, 산업, 정부는 지속 가능한 발전이라는 폭넓은 정책 목표 아래에서, 녹색 화학을 형성했다. 녹색 화학자는 합성연구의 전통 안에서 합성효율을 높이는 반응 경로를 연구함으로써 오염물질 배출을 회피할 수 있는 지식을 만들어 내었고, 화학 산업계는 생산 효율성 증가를 통해 경제적인 이득을 얻고자 이것을 적극적으로 도입하였다. 이러한 새로운 형태의 동맹은 오염 회피, 자발적 규제 등의 방향을 선호하였던 미국 정부의 새로운 환경 정책의 흐름 안에서 지원받고, 유지될 수 있었다.
Flat-panel displays have been growing as an essential everyday product in the current information/communication ages in the unprecedented speed. The forward-coming applications require light-weightness, higher speed, higher resolution, and lower power consumption, along with the relevant cost. Such specifications demand for a new concept-based materials and applications, unlike Si-based technologies, such as amorphous Si and polycrystalline Si thin film transistors. Since the introduction of the first concept on the oxide-based thin film transistors by Hosono et al., amorphous oxide thin film transistors have been gaining academic/industrial interest, owing to the facile synthesis and reproducible processing despite of a couple of shortcomings. The current work places its main emphasis on the binary oxides composed of ZnO and SnO2. RF sputtering was applied to the fabrication of amorphous oxide thin film devices, in the form of bottom-gated structures involving highly-doped Si wafers as gate materials and thermal oxide (SiO2) as gate dielectrics. The physical/chemical features were characterized using atomic force microscopy for surface morphology, spectroscopic ellipsometry for optical parameters, X-ray diffraction for crystallinity, and X-ray photoelectron spectroscopy for identification of chemical states. The combined characterizations on Zn-Sn-O thin films are discussed in comparison with the device performance based on thin film transistors involving Zn-Sn-O thin films as channel materials, with the aim to optimizing high-performance thin film transistors.
In this study, chemical bath deposited (CBD) indium sulfide buffer layers were investigated as a possible substitution for the cadmium sulfide buffer layer in CIGS thin film solar cells. The performance of the $In_2S_3$/CIGS solar cell dramatically improved when the films were annealed at $300^{\circ}C$ in inert gas after the buffer layer was grown on the CIGS film. The thickness of the indium sulfide buffer layer was 80 nm, but decreased to 60 nm after annealing. From the X-ray photoelectron spectroscopy it was found that the chemical composition of the layer changed to indium oxide and indium sulfide from the as-deposited indium hydroxide and sulfate states. Furthermore, the overall atomic concentration of the oxygen in the buffer layer decreased because deoxidation occurred during annealing. In addition, an In-thin layer was inserted between the indium sulfide buffer and CIGS in order to modify the $In_2S_3$/CIGS interface. The $In_2S_3$/CIGS solar cell with the In interlayer showed improved photovoltaic properties in the $J_{sc}$ and FF values. Furthermore, the $In_2S_3$/CIGS solar cells showed higher quantum efficiency in the short wavelength region. However, the quantum efficiency in the long wavelength region was still poor due to the thick buffer layer.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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