• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제5권4호
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• pp.158-160
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• 2004

BiSrCaCuO thick films were fabricated by plasma enhanced chemical vapor deposition, and the crystallinity and the superconducting properties were investigated. The superconductivity was achieved at 20 K with an onset temperature of around 90 K in the film prepared at 72$0^{\circ}C$. From X ray diffraction analysis, the main superconducting phase in the films was the low Tc phase at 700∼75$0^{\circ}C$ and the high Tc phase at 750 ∼ 80$0^{\circ}C$.

• 한국막학회:학술대회논문집
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• 한국막학회 1994년도 춘계 총회 및 학술발표회
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• pp.28-28
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• 1994

세라믹 분림가은 세라믹 고유의 열적, 기계적 특성으로 인해 유기질막이 사용되어질 수 없는 작업환경에서도 사용가능하다는 장점이 있다. 기존의 세라믹 분리막 제조방법으로는 졸겔법등이 있는데, 최근들어 새롭게 주목받고 있는 것이 화학기상중착법 (chemical vapor deposition)에 의한 제조이다. CVD 법은 막의 두께를 비교적 정확하게 조절할 수 있고, 균일한 두께의 막을 제조할 수 있다는 장점이 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.391-392
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• 2012

Graphene is a perfectly two-dimensional (2D) atomic crystal which consists of sp2 bonded carbon atoms like a honeycomb lattice. With its unique structure, graphene provides outstanding electrical, mechanical, and optical properties, thus enabling wide variety of applications including a strong potential to extend the technology beyond the conventional Si based electronic materials. Currently, the widespread application for electrostatically switchable devices is limited by its characteristic of zero-energy gap and complex process in its synthesis. Several groups have investigated nanoribbon, strained, or nanomeshed graphenes to induce a band gap. Among various techniques to synthesize graphene, chemical vapor deposition (CVD) is suited to make relatively large scale growth of graphene layers. Direct growth of graphene on hexagonal boron nitride (h-BN) using CVD has gained much attention as the atomically smooth surface, relatively small lattice mismatch (~1.7％) of h-BN provides good quality graphene with high mobility. In addition, induced band gap of graphene on h-BN has been demonstrated to a meaningful value about ~0.5 eV.[1] In this paper, we report the synthesis of grpahene / h-BN bilayer in a chemical vapor deposition (CVD) process by controlling the gas flux ratio and deposition rate with temperature. The h-BN (99.99％) substrate, pure Ar as carrier gas, and $CH_4$ are used to grow graphene. The number of graphene layer grown on the h-BN tends to be proportional to growth time and $CH_4$ gas flow rate. Epitaxially grown graphene on h-BN are characterized by scanning electron microscopy, atomic force microscopy, and Raman spectroscopy.

• 한국윤활학회:학술대회논문집
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• 한국윤활학회 1997년도 제25회 춘계학술대회
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• pp.69-73
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• 1997

Microwave Plasma assisted CVD (Chemical Vapor Deposition) and DC Plasma CVD were used to prepare thin and thick diamond film, respectively. Diamond coated silicon nitride and fiee standing diamond thick film were eroded by silicon carbide particles. The velocity of the solid particle was about 220m/sec. Phase transformation and the other crack formation were investigated by using Raman spectroscopy and microscopy.

• 한국광학회지
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• 제32권3호
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• pp.114-119
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• 2021

산업용으로 이용하는 대면적 그래핀 시트는 주로 Cu foil 위에서 화학증기증착법(chemical vapor deposition, CVD)을 이용하여 성장된다. 그러나 모든 면적에서 균일하게 성장되는 것은 아니므로, 품질이 불만족스러운 그래핀 필름을 제외시키는 과정이 필수적으로 요구된다. 비침습적인 반사형 광학적인 방법을 사용하면, 그래핀의 성장프로세스 도중이나 성장 후에 빠르고 편리하게 분류할 수 있다. 본 논문에서는 국소적인 그래핀 필름의 파장별 반사 대비율(reflectance contrast)이 그래핀의 품질과 밀접한 관련이 있어 품질이 불만족스러운 그래핀 필름을 제외시키는 데에 효과적인 데이터로 이용될 수 있음을 밝혔다. 파장별 반사 대비율을 계산하기 위해서, 화학적 퍼텐셜(chemical potential)과 전자간 널뛰기(hopping) 에너지, 그리고 온도 등의 요소가 성장된 그래핀의 광학적 반사 대비율에 어떠한 영향을 미치는지 조사하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제32권4호
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• pp.419-428
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• 1995

Polycrystalline silicon carbide (SiC) thick films were depostied by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) using CH3SiCl3 (MTS) and H2 gaseous mixture onto isotropic graphite substrate. Effects of deposition variables on the SiC film were investigated. Deposition rate had been found to be surface-reaction controlled below reactor temperature of 120$0^{\circ}C$ and mass-transport controlled over 125$0^{\circ}C$. Apparent activation energy value decreased below 120$0^{\circ}C$ and deposition rate decreased above 125$0^{\circ}C$ by depletion effect of the reactant gas in the direction of flow in a horizontal hot wall reactor. Microstructure of the as-deposited SiC films was strongly influenced by deposition temperature and position. Microstructural change occurred greater in the mass transport controlled region than surface reaction controlled region. The as-deposited SiC layers in this experiment showed stoichiometric composition and there were no polytype except for $\beta$-SiC. The preferred orientation plane of the polycrystalline SiC layers was (220) plane at a high reactant gas concentration in the mass transfer controlled region. As depletion effect of reactant concentration was increased, SiC films preferentially grow as (111) plane.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제3권3호
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• pp.14-17
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• 2002

The HDP (High Density Plasma) CVD process consists of a simultaneous sputter etch and chemical vapor deposition. As CMOS process continues to scale down to sub- quarter micron technology, HDP process has been widely used fur the gap-fill of small geometry metal spacing in inter-metal dielectric process. However, HBP CVD system has some potential problems including plasma-induced damage. Plasma-induced gate oxide damage has been an increasingly important issue for integrated circuit process technology. In this paper, thin gate oxide charge damage caused by HDP deposition of inter-metal dielectric was studied. Multiple step HDP deposition process was demonstrated in this work to prevent plasma-induced damage by introducing an in-situ top SiH$_4$ unbiased liner deposition before conventional deposition.

• Composites Research
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• 제24권4호
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• pp.23-28
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• 2011

최근 항공용 재료 산업 분야에서 널리 사용되고 있는 CFRP의 활용이 증가되고 있다. 하지만, CFRP와 같은 복합재료 부품의 결합 시에 단점이 있다. 복합재료를 이용한 다양한 구조를 제조하기 위해선 많은 홀 가공이 필요하다. 일반적으로 CFRP 홀 가공시 내구성이 매우 강한 polycrystalline crystalline diamond (PCD) 드릴을 사용한다. 하지만, 단가가 비싸고 가공 속도가 느리기 때문에 내구성은 PCD 드릴에 비해 약하나 드릴 형상 변화를 통해 가공 속도를 조절 할 수 있고, 비교적 가격이 저렴한 chemical vapor deposition (CVD) 다이아몬드 코팅 드릴의 사용량이 증가 되고 있다. 본 연구에서는. PCD 드릴과 CVD 다이아몬드 코팅 드릴의 홀 가공성을 비교 평가하였다. 먼저, 홀 가공 조건 식 (날당 이송량, 절삭 속도)을 이용하여 CFRP 홀 가공성을 평가했으며, CFRP 가공 시 드릴링 과정에서 발생하는 시편 내부의 열적 손상 정도를 비교했다. 열화상 카메라 촬영한 홀 가공 시 발생되는 온도를 이용한 경험식을 만들어 두 드릴의 발열 정도에 따른 홀 가공성을 비교 평가하였다. 또한, 홀 가공 시 발생하는 칩(chip) 배출 여부에 따른 홀 내부의 상태를 평가하여 CVD 다이아몬드 코팅 드릴과 PCD 드릴의 CFRP 홀 가공성을 비교했다. 전반적으로 PCD 드릴의 홀 가공성이 CVD 다이아몬드 드릴에 비해 우수한 성능을 나타냈지만, 홀 생성 속도는 CVD 다이아몬드 드릴이 PCD 드릴에 비해 빠른 결과를 나타냈다.

• 한국결정성장학회:학술대회논문집
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• 한국결정성장학회 1997년도 Proceedings of the 12th KACG Technical Meeting and the 4th Korea-Japan EMGS (Electronic Materials Growth Symposium)
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• pp.7-11
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• 1997

SiC/C functionally gradient material (FGMs) were formed on graphite substrates by hot-wall chemical vapor deposition (CVD) technique using the SiCl$_4$-C$_3$H8-H$_2$ chemistry. Thermochemical equilibrium calculations were carried out to investigate the deposition process. The effect of process variables on the deposition yield and the SiC/C ratio in deposited layers was studied in detail. Calculated results showed a reasonable agreement with the experiment in a qualitative sense. SiC/C FGMs with excellent mechanical and thermal properties could be successfully formed on graphite substrates by carefully controlling the compositions in the deposited layers.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.12-14
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• 2005

Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition(ICP-CVD)를 이용하여 공정온도 $150^{\circ}C$에서 Nanocrystalline silicon (nc-Si) 박막을 증착하였다. 실험에서 헬륨(He)가스, 수소($H_2$)가스 그리고 헬륨(He)과 수소($H_2$)의 혼합가스로 희석한 사일렌($SiH_4$)을 반응가스로 이용하였다. 이 혼합가스는 3sccm의 사일렌($SiH_4$)에 헬륨(He)과 수소($H_2$)의 주입율을 20sccm에서부터 60sccm까지 변화시켜 조건을 달리하여 사용했다. 증착한 Nc-Si 박막을 X-ray diffraction (XRD)으로 분석하여 각각의 조건에 대한 Nc-Si 박막의 속성을 연구하였다. 헬륨(He) 또는 수소($H_2$) 혼합가스의 주입율이 커지면서 <111>과 <222>의 최고점(peak)이 더 높아졌으며 결정화 되지 않고 비결정질로 남아 있는 성장층(incubation layer)이 얇아졌다. 이 결과는 nc-Si를 증착할 때 사용한 수소($H_2$) 플라즈마와 헬륨(He) 플라즈마의 효과로 설명할 수 있다. 실험을 통해 ICP-CVD로 증착한 nc-Si 박막을 박막 전계효과트랜지스터 (TFT)에서 우수한 특성의 전자수송층(active layer)으로 사용할 수 있는 것을 확인하였다.