• 대한지리학회지
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• 제33권3호
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• pp.355-364
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• 1998

하천 합류점의 하노형상을 파악하고 하도형상에 영향을 미치는 요소를 조사하기 위해 소형 수로실험을 실시했다. 합류하는 두 수류리 모삔트가 동일하면 할류후 하도는 합류각도를 이분하는 방향으로 늘어서기 때문에 초기하도의 배열에 따라 하도의 측방이동이 일어난다. 그 결과 합류후 하도의 형상은 합류의 평면형태 즉 대칭형, 점이형. 비대칭형에 따라 달라진다. 합류에 기인하는 가장 특징적인 하도혈상으로 하상 세굴부를 들 수 있다. 급경사의 양벽으로 둘러싸인 합류점의 세굴부는 기본적으로 합류각도에 의해 지배된다. 하천합류는 전통적으로 협화적이라고 표현되어 왔지만 불협화적 합류도 빈번하게 발생한다. 합류의 불협화에는 합류하천의 유량비뿐만 아니라 유사농도비도 관여한다. 따라서 불협화를 일으키는 최대요소로는 두 비를 고려한 수면폭당 단위유량비를 들 수 있다.

• Archives of Pharmacal Research
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• 제19권4호
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• pp.264-268
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• 1996

Panax-ginseng saponin has been known to exert various pharmacological effects on cellular metabolism. This study was performed to determine the effect of ginseng saponin on gap junction channel-mediated intercellular communication, using an established in vitro system of reconstituted gap junction channels. Gap junction channels are a specialized plasma membrane fraction, which are permeable to relatively large water-soluble molecules. The sucrose permeable property of reconstituted gap junction channels was completely inhibited with 0.1 % (w/v) of ginseng saponin. We also compared the effect of ginseng saponin with that of Triton X-100, a nonionic detergent, on the same system. Triton X-100 showed significantly different effect on sucrose-permeability of gap junction channel from that was affected by ginseng saponin. The structures of liposomes containing gap junction channels was significantly destroyed by Triton X-100.

• 한국해양공학회:학술대회논문집
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• 한국해양공학회 2006년 창립20주년기념 정기학술대회 및 국제워크샵
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• pp.407-410
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• 2006

This study describes a simulation of two-dimensional bubble forming and motion by the Lattice Boltzmann Method with the phase field equation. The free energy model is used to treat the interfacial force and deformation of binary fluids system, drawn into a T-junction the micro channel. A numerical simulation of a binary flow in a cross-junction channel is carried out by using the parallel computation method. The aim in this investigation is to examine the applicability of LBM to numerical analysis of binary fluid separation and motion in the micro channel.

• 한국수자원학회논문집
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• 제37권9호
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• pp.781-787
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• 2004

합류수로에서의 하상변동에 대하여 90$^{\circ}$ 합류부가 있는 수로를 이용하여 유량비 및 교각 위치를 변화시키면서 하상변동을 조사하였다. 유량비가 증가함에 따라 침식 깊이 및 침식 폭이 증가하는 경향이 나타났다. 유량비가 1：0.5에서 전체수로폭의 63%까지 침식되는 것으로 나타났으며, 최대 세굴심은 지류의 영향으로 인하여 가속유로에서는 합류점으로부터 수로 폭의 0.5배 되는 지점에서 직선 수로에서의 세굴심보다 2.5배 이상 큰 것으로 나타났다. 이것은 가속유로에서 나타난 최대 세굴심이 기존의 세굴공식에 의한 결과보다 2배 정도 크게 나타났다. 따라서, 합류부에 교각을 설치 할 경우 위치선정에 상당한 주의가 필요하다고 판단된다.

• 생명과학회지
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• 제14권5호
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• pp.882-890
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• 2004

간극결합(gap junction)은 이웃하는 두 세포사이에 형성된 막 구조물로 이를 통하여 각종 이온들과 여러 가지 분자들이 통과한다. 일반적으로 알려진 세포의 이온채널(예를 들어 $Na^{+}$ 이온채널과$K^+$이온채널)과 구별하여 두 세포사이에 형성된 간극결합을 세포간 채널(intercellular channel)이라고도 부른다. 간극결합채널(gap junction channel)은 단순히 수동적으로 열려있는 통로가 아니라 여러 가지 자극 즉 pH, 칼슘이온(calcium ion), 전압(voltage), 그리고 화학적인 변형(주로 인산화, phosphorylation)에 의해서 개폐(gating, opening and closing)가 조절되는 이온채널이다. 그 가운데서도 전압에 의한 간극결합채널 개폐 변화가 가장 많이 연구되었다. 세포안과 바깥에 형성된 전압차이(membrane potential, $V_m$) 보다는 주로 두 세포 사이에 형성된 전압차이(transjunctional voltage, $V_j$)에 의해서 간극결합채널은 민감하게 반응한다. 본 총설에서는 간극결합채널의 일반적인 특성을 정리해보고 전압-의존적인(voltage-dependent) 채널개폐에 관한 기전을 논의하고자 한다.

• 한국산업융합학회 논문집
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• 제10권4호
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• pp.275-283
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• 2007

This study aims at the calculation of a variation of flow characteristics of main channel for tributary inflow in river junction. So this study was analyzed the variation of flow depth and velocity in main channel for a change of inflow degree. For this purpose, FLDWAV model are carried out for variations of $30^{\circ}$, $60^{\circ}$ and $90^{\circ}$ tributary inflow at junction. Results show that velocity ratio(V1/V3) increases and flow depth ratio(H1/H3) decreases for discharge ratio(Q1/Q3) of upstream and downstream when degree increases in junction. And FLDWAV model was applied at a real river junctions. Selected area is a junction of Gumho river and Sin stream. Results show that pattern is similar to a virtual channel.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.342-343
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• 2012

We studied the Drain-Induced-Barrier-Lowering (DIBL) effect by different drain engineering. One other drain engineering is symmetric source-drain n-channel MOSFETs (SSD NMOSs), the other drain engineering is asymmetric source-drain n-channel MOSFETs (ASD NMOSs). Devices were fabricated using state of art 40 nm dynamic-random-access-memory (DRAM) technology. These devices have different modes which are deep drain junction mode in SSD NMOSs and shallow drain junction mode in ASD NMOSs. The shallow drain junction mode means that drain is only Lightly-Doped-Drain (LDD). The deep drain junction mode means that drain have same process with source. The threshold voltage gap between low drain voltage ($V_D$=0.05V) and high drain voltage ($V_D$=3V) is 0.088V in shallow drain junction mode and 0.615V in deep drain junction mode at $0.16{\mu}m$ of gate length. The DIBL coefficients are 26.5 mV/V in shallow drain junction mode and 205.7 mV/V in deep drain junction mode. These experimental results present that DIBL effect is higher in deep drain junction mode than shallow drain junction mode. These results are caused that ASD NMOSs have low drain doping level and low lateral electric field.

• 한국수자원학회논문집
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• 제37권10호
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• pp.881-888
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• 2004

본 연구에서는 지류와 본류의 합류부의 접근각도, 상류부 유량 및 본류와 지류의 유량비 변화에 따른 수리 모형실험을 통한 합류부의 수리학적 특성을 파악하였다. 합류부의 수리학적 특성은 합류점 부근의 유속과 관련된 최대유속의 크기 및 발생위치를 분석하였다. 합류점 부근의 최대유속은 접근각도가 증가함에 따라 점차 증가하며, 이는 유량 및 유량비가 증가하는 경우에도 동일한 경향을 나타낸다. 합류점 부근의 최대유속의 발생지점은 접근각도가 증가함에 따라 거리가 증대되는 것으로 나타났다. 또한, 유량이 증가하는 경우에도 거의 동일한 양상을 보여준다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제28권3호
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• pp.280-289
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• 1996

The pressure drop of twelve fuel bundle string in the CANDU-6 fuel channel is equal to the sum of the eleven junction pressure losses, the bundle string entrance and exit pressure losses, the skin friction pressure loss, and other appendage pressure losses, where the junction loss is dependent on the bundle end faces and angular alignments of the junctions. The results of the single junction pressure drop tests in a short rig show that the most probable pressure drop of the eleven junctions was analytically equal to the eleven times of average pressure drop of all the possible single junction pressure drops, and also that the largest and smallest junction pressure drops across the eleven junctions probably occurred only with BA and BB type junctions, respectively, where A and B denote the bundle end sides with an end-plates on which a company monogram is stamped and unstamped, respectively.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권12호
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• pp.53-58
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• 1998

다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 이용한 회로의 성능 향상을 위하여 새로운 구조의 4-terminal buried channel poly-Si TFT(BCTFT)를 설계하고 제작하였다. BCTFT는 moderate 도핑이 된 buried channel을 이용하므로 기존의 다결정 실리콘 TFT보다 ON-전류와 전계 효과 이동도가 n-형과 p-형 소자 각각 5배와 10배 향상되었다. BCTFT는 moderate 도핑된 buried 채널과 counter 도핑된 body 사이의 junction 공핍에 의하여 캐리어의 이동이 억제 되므로 OFF-전류가 증가하지 않았다.