• 한국자동차공학회논문집
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• 제25권1호
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• pp.60-65
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• 2017

We designed and fabricated the engine oil monitoring sensor to measure engine oil deterioration through increased vehicle mileage. Since the condition of the engine oil can be affected by the state of the vehicle and its operating conditions, it should be directly measured and determined in every vehicle. The fabricated sensor has an aluminum parallel capacitor structure that measures capacitance related with the dielectric constant, which is one of the indices of oil deterioration. The size of the capacitor is small enough that it could be easily adapted on the oil level gauge without introducing any change in the design. The fabricated device is installed in the diesel engine to measure the change in capacitance accurately as the vehicle moved from 0 km (new engine oil state) to 11,364 km. The results showed the maximum value at around 5,000 km, and the values plateaued as mileage increased, corresponding with the measurement result of the TAN (Total Acid Number). Based on the results, the condition of the oil must be monitored regularly though oil change is recommended once the vehicle has traveled the distance of around 10,000 km.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제21권1호
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• pp.104-110
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• 2007

본 논문은 권선내부에 온도계가 설치된 지상변압기를 제작하여 부하운전에 따른 배전용 변압기의 온도상승 특성과 절연유의 유전특성 변화를 관찰하였다. 관찰결과 배전용변압기의 경우 과열점은 세 권선 중 두개의 권선이 접하고 권선의 약 2/3 높이에 위치하고 있으며, 과열점과 절연유 상부 간에 약 $17[^{\circ}C]$의 일정한 온도차를 확인할 수 있었다. 또한 절연유의 정전용량특성은 온도와 선형적인 관계로 감소하는 특성을 보이며, 그 기울기는 열화율과 무관하게 -0.0106의 일정한 값을 관찰할 수 있었다. 이 결과는 수명손실의 정확한 계산과 열화진단을 위한 기구로 활용할 수 있을 것이다.

• 한국자기학회지
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• 제26권6호
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• pp.201-205
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• 2016

본 연구에서는 터널링 자기저항(TMR) 소자의 임피던스 스펙트럼을 측정하였으며, 절연체 장벽에 의한 터널링 저항($R_T$)과 터널링 전기 용량을 갖는 축전기($C_T$)가 병렬로 연결된 등가회로를 활용하여 TMR 소자의 완화 특성을 분석하였다. 두 자성체의 자화가 반평행 및 평행 상태일 때 모두 완화 주파수는 교류 전압에 따라 증가하는 경향을 보였다. 스펙트럼 측정 결과로부터 도출한 $R_T$는 TMR소자의 전형적인 바이어스 전압 의존성을 보였으나, $C_T$는 기하학적인 전기 용량에 비하여 약 4,500배 이상 증가하였다. 이러한 $C_T$의 거대한 증가는 TMR 소자의 고속 동작을 제한하는 요소로 작용하므로, 고속 동작을 요구하는 TMR 소자는 초고용량 $C_T$의 특성을 설계에 반영하여야 한다.

• 공업화학
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• 제30권1호
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• pp.23-28
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• 2019

탄소 실의 표면에 코팅 된 3차원 다공성 그래핀으로 구성된 슈퍼커패시터 케이블 소자를 보고하고자 한다. 그래핀의 3D 다공성 구조는 그래핀옥사이드로 코팅된 탄소 실을 사용하여 마이크로웨이브 활성화 방법에 의해 제작하였다. 마이크로파 조사의 사용은 환원제 없이 그래핀옥사이드를 환원된 그래핀옥사이드로 전환시키고 그래핀 시트를 박리 및 다공성 그래핀 시트로 활성화시켰다. 두 개의 와이어 전극을 고분자 겔 전해질과 결합하여 성공적으로 케이블 구조 형태의 슈퍼커패시터 소자를 제작하였다. 슈퍼커패시터 케이블은 매우 유연하기 때문에 다양한 형태의 장치로 변형될 수 있고 섬유 품목으로 통합될 수 있다. 주사 속도 10 mV/s에서 38.1 mF/cm의 높은 정전용량이 얻어졌다. 이용량은 500 mV/s에서 원래 값의 88%를 유지하였다. 장수명특성은 구부러진 형태에서도 10,000회 동안 충전/방전 과정을 반복함으로써 96.5%의 높은 정전용량 유지율을 증명하였다.

• 공업화학
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• 제32권4호
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• pp.403-408
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• 2021

본 논문에서는 얇고 유연한 평면 슈퍼 커패시터(PSC)를 스크린 인쇄된 탄소 전극에 폴리아닐린(PANI)을 코팅하여 제작하였습니다. 스크린 프린팅 방법을 사용하여 유연한 폴리에틸렌 테레프탈레이트에 탄소 잉크를 코팅한 후 희석 중합 법을 사용하여 탄소 표면에 PANI 박막을 코팅하였습니다. 서로 맞물린 구조의 얇은 유연한 PANI 전극을 폴리머겔 전해질로 조립하여 평면 모양의 슈퍼 커패시터(PSC) 장치를 만들었습니다. 상기 제조된 PANI/PSC는 매우 얇고 유연 하였으며, 10 mV/s에서 409 µF/cm²의 높은 면적 정전용량을 나타내었습니다. 이 값은 500 mV/s에서 원래 값의 46%로 유지되었습니다. 유연한 PANI/PSC는 180°의 구부러진 상태와 100번째의 반복적인 피로도 테스트에서도 82%의 높은 정전 용량 유지를 보여주었습니다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제50권4호
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• pp.219-236
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• 2022

Wood-based nanocomposite electrode materials were synthesized for application in supercapacitors by mixing nanostructured hematite (Fe₂O₃) with highly porous activated carbon (AC) produced from the wood-waste of Pinus roxburghii. The AC was characterized using various instrumental techniques and the results showed admirable electrochemical properties, such as high surface area and reasonable porosity. Firstly, AC was tested as an electrode material for supercapacitors and it showed a specific capacitance of 59.02 Fg^-1 at a current density of 1 Ag^-1, cycle life of 84.2% after 1,000 cycles (at a current density of 3 Ag^-1), and energy density of 5.1 Wh/kg at a power density of 135 Wkg^-1. However, when the AC was composited with different ratios of Fe₂O₃ (1:1, 2:1, and 1:2), there was an overall improvement in its electrochemical performance. Among the 3 ratios, 2:1 (AC:Fe₂O₃) had the best specific capacitance of 102.42 Fg^-1 at 1 Ag^-1, cycle life of 94.4% capacitance after 1,000 cycles (at a current density of 3 Ag^-1), and energy density of 8.34 Wh/kg at a power density of 395.15 Wkg^-1 in 6 M KOH electrolyte in a 3-electrode experimental setup with a high working voltage of 1.55 V. Furthermore, when Fe₂O₃ was doubled, 1:2 (AC:Fe₂O₃), the electrochemical capacitive performance of the electrode twisted and deteriorated due to either the accumulation of Fe₂O₃ particles within the composite or higher bulk resistance value of pure Fe₂O₃.

• 한국전자파학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.139-146
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• 1996

본 논문에서 MSA(Microstrip Antenna)의 변형인 QMSA(Quarter-wavelength Microstrip Antenna)에 용량을 장하한 미소 루프 구조와 용량을 장하시킨 부분에서 방사하는 개구 구조에 의한 합성 전계 안테나를 제안 하였다. 그리고 합성 전제 특성은 계산된 값과 실험 값이 양호하게 일치함을 보였다. 제안된 안테나는 그라운드판과 방사 소자의 폭이 같은 소형화된 안테나이다. 설계.제작된 안테나는 동작 주파수 1.5GHz에서 수직.수평 편파를 각각 수신할 수 있다. 그리므로 이 안테나는 무선 전화를 위한 소형화된 안테나로써 이용할 수 있고, 실내 통신을 위해 아주 유용하다. 또한, 전송 선로 모델의 안테나 등가 회로는 정확한 공진 주파수를 찾기 위해 설계되었고, 리턴로스 값을 계산했다. 계산된 값은 실험값과 양호하게 일치되었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제31권2호
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• pp.423-428
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• 2010

To reduce polarization of electrochemical capacitor based on carbon nanotube, titanium oxide nanoparticles were deposited by ultrasound. The pore distribution of $TiO_2$/CNT nanoparticle exhibited surface area of $341\;m^2g^{-1}$ when $TiO_2$ content was 4 wt %, which was better than that of pristine CNT with surface area of $188\;m^2g^{-1}$. The analyses indicated that titanium oxide (particle diameter < 20 nm) was deposited on the CNT surface. The electrochemical performance was evaluated by using cyclic voltammetry (CV), impedance measurement, and constant-current charge/discharge cycling techniques. The $TiO_2$/CNT composite electrode showed relatively better electrochemical behaviors than CNT electrode by increasing the specific capacitance from $22\;Fg^{-1}$ to $37\;Fg^{-1}$ in 1 M $H_2SO_4$ solution. A symmetric cell assembled with the composite electrodes showed the specific capacitance value of $11\;Fg^{-1}$ at a current loading of $0.5\;mAcm^{-2}$ during initial cycling.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제12권2호
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• pp.186-192
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• 2012

Half-rail stacked drivers are used to reduce power consumption of the drivers for synchronous buck converters. In this paper, the stacked driver is optimized by matching the average charging and discharging currents used by high-side and low-side drivers. By matching the two currents, the average intermediate bias voltage can remain constant without the aid of the voltage regulator as long as the voltage ripple stays within the window defined by the hysteresis of the regulator. Thus the optimized driver in this paper can minimize the power consumption in the regulator. The current matching requirement yields the value for the intermediate bias voltage, which deviates from the half-rail voltage. Furthermore the required capacitance is also reduced in this design due to decreased charging current, which results in significantly reduced die area. The detailed analysis and design of the stacked driver is verified through simulations done using 5V MOSFET parameters of a typical 0.35-${\mu}m$ CMOS process. The difference in power loss between the conventional half-rail driver and the proposed driver is less than 1%. But the conventional half-rail driver has excess charge stored in the capacitor, which will be dissipated in the regulator unless reused by an external circuit. Due to the reduction in the required capacitance, the estimated saving in chip area is approximately 18.5% compared to the half-rail driver.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 제5회 학술대회 논문집 일렉트렛트 및 응용기술연구회
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• pp.86-89
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• 2003

SBT thin film for semiconductor device that is made by RF magnetron sputtering method studied electrical properties under various temperature condition. Dielectric constant who differ annealing condition appears highest in $750[^{\circ}C]$ and it is 213. Also, C-V properties by annealing temperature of SBT thin film for semiconductor device is no change almost to $600[^{\circ}C]$ and shows non-linear butterfly shape more than $650[^{\circ}C]$ Maximum capacitance and difference of smallest capacitance show the biggest difference in $750[^{\circ}C]$ as degree that domain wall motion contributes in ferrelectric polarization value in C-V characteristic curve of ferroelectric that this shows typical ferroelectric properties. Therefore, SBT thin film for semiconductor device that is annealing in $750[^{\circ}C]$ expressed the most superior electrical and ferroelectric properties.