본 논문에서는 가스안전에 적합한 무선 ZigBee통신모듈과 스마트 홈 가스안전기기 및 관리시스템 개발하여 가스안전관리의 효율을 향상시키는 시스템과 시나리오를 제안하였다. 제안한 시스템은 마이컴가스미터, 자동식소화기, 감지기 및 월패드로 구성된다. 마이컴미터는 가스압력, 가스유량, 지진을 모니터링한다. 자동식소화기는 가연성 가스의 누출상태, $100^{\circ}C$(차단)와 $139^{\circ}C$(화재)의 온도를 측정하며, 감지기는 연기와 일산화탄소(CO)를 검지한다. 제안한 시스템에서 가스사용중 이상상태발생시 마이컴가스미터는 경보와 함께 내부밸브를 차단시키고, 자동식소화기는 중간가스밸브를 차단하거나 소화약재를 분사시킨다. 감지기는 연기와 CO를 감지할 경우 각각 신호를 발생시켜 후속조치를 취하게 한다. 가스안전기기와 센서들은 자동적으로 조치를 취하고 그 정보를 월패드로 전달한다. 월패드는 실시간 상황정보를 서버에게 전달하고 사용자는 웹이나 모바일 앱을 통하여 서버에 접속하여 가스의 상황정보를 확인하거나 관리할 수 있다. 본 연구에서는 스마트기반 가스안전 및 위험관리의 시나리오를 고안하고 현장적용시험을 통하여 그 효율성을 증명하였다.
본 논문에서는 무선 ZigBee 통신모듈과 지능형 가스안전기기를 이용하여 u-홈 가스안전관리시스템을 개발하여 가스안전관리의 효율을 향상시킬 수 있는 시스템을 제안하고자 한다. 제안한 시스템은 마이컴가스미터, 자동식소화기, 감지기 및 월패드로 구성된다. 마이컴미터는 가스압력, 가스유량, 지진을 모니터링하고, 자동식소화기는 가연성 가스의 누출상태와 $100^{\circ}C$ 와 $130^{\circ}C$의 온도를 측정한다. 그리고 감지기는 연기와 일산화탄소(CO)를 검지한다. 제안한 시스템은 가스사용중 이상상태발생시 마이컴가스미터는 경보와 함께 내부밸브를 차단시키고, 자동식소화기는 중간가스밸브를 차단하거나 소화약재를 분사시킨다. 감지기는 연기와 CO를 감지할 경우 각각 신호를 발생시킨다. 가스안전기기와 센서들은 지능적 조치를 취하고 그 정보를 월패드로 전달한다. 월패드는 상황정보를 실시간으로 서버에게 전달하고 사용자는 웹기반으로 서버에 접속하여 가스의 상황정보를 확인하거나 관리할 수 있다. 본 논문은 가스안전 및 위험관리의 시나리오를 고안하고 실험을 통하여 그 효용성을 증명하였다.
본 연구에서는, 접촉연소식 가스 탐지 소자를 대상으로 감도특성 및 전기적 특성을 분석하였으며, 24시간 동안 공기중에 노출시킨 후 온도($20^{\circ}c$, $40^{\circ}c$)와 상대습도(65%, 85%)에서 작동시켜 분석하였다. 또한 동일한 주거환경에서 210일 동안 50 cm/sec 유속을 유지하며 가스탐지소자의 동작을 실험하였다. 가스 탐지센서에 공급 전원은 기본회로에 직류 전압별(2.1V, 2.2V, 2.3V)로 인가하였다. 따라서, 상대습도와 온도에 의한 이소부탄과 메탄 특성그래프를 각각 분석한 결과 전반적으로 선형적인 증가를 보임을 확인할 수 있다.
태양열 SiC 입자 유동층 흡열기(내경 50 mm, 높이 150 mm)에서 수력학적 특성 및 기체 열흡수 특성이 연구되었다. 측정 구간 내에서, 기체 속도가 증가할수록 유동층 내 고체체류량은 일정하였으나, 유사한 기체속도 구간(Ug = 0.03-0.05 m/s)에서 미세한 SiC 입자(SiC II; dp=52 ㎛, ρs=2992 kg/㎥)는 굵은 SiC 입자(SiC I; dp=123 ㎛, ρs=3015 kg/㎥) 대비 유동층 내 압력요동의 상대 표준편차는 낮았으며, 프리보드 내 고체체류량은 상대적으로 높은 값을 나타내었다. 미세한 SiC II 입자는 굵은 SiC I 입자 대비 일사량의 변화에 관계없이 상대적으로 높은 일사량 당 흡열기 입출구 온도차를 보였고, 이는 상대적으로 균일한 유동층 내 입자 거동에 의한 층 표면 수용 열의 효율적인 열확산 효과에 더하여, 프리보드 영역에서 비산된 입자에 의한 추가적인 태양열 흡수 및 기체로의 열전달 효과에 기인한다. 본 시스템에서 기체속도 및 유동화 수가 증가할수록 열 흡수 속도 및 열효율은 증가하였다. SiC II 입자는 최대 17.8 W의 열 흡수 속도와 14.8%의 열효율을 보였고, 이는 SiC I 입자 대비 약 33% 높은 값을 나타내었다.
In recent years, silicon carbide has emerged as an important material for MEMS application. In order to fabricate an SiC film based MEMS structure by using chemical etching method, high operating temperature is required due to high chemical stability Therefore, dry etching using plasma is the best solution. SiC film was deposited by thermal CVD at the temperature of 100$0^{\circ}C$ and pressure of 10 torr. SiC was dry etched with a reactive ion etching (RIE) system, using SF$_{6}$/O$_2$ and CF$_4$/O$_2$ gas mixture. Etch rate has been investigated as a function of oxygen concentration in the gas mixture, rf power, working pressure and gas flow rate. Etch rate was measured by surface profiler and FE-SEM. SF$_{6}$/O$_2$ gas mixture showed higher etch rate than CF$_4$/O$_2$ gas mixture. Maximum etch rate appeared at RF Power of 450W. $O_2$ dilute mixtures resulted in an increasing of etch rate up to 40%, and the superior anisotropic cross section was observe
1wt% Pt/MoO$_3$ gas sensors for detecting H$_2$ gas were fabricated by the pressed pellet method and surface structures of Pt/MoO$_2$ were investigated by TEM and XRD. It was observed that as the calcination temperature is increased, the overlayers of MoO$_3$ on Pt are produced, but the Cl content in PtCl$\_$x/ are decreased. H$_2$ gas sensing properties in N$_2$ ambient and in air ambient were investigated, respectively, and Pt/MoO$_3$ had high sensitivity at low working temp ; 7.8% at 50$^{\circ}C$, 97.7% at 100$^{\circ}C$, 97.1% at 150$^{\circ}C$ when the specimens are treated at 400$^{\circ}C$, and 99.6% at 150$^{\circ}C$ when they are treated at 200$^{\circ}C$. It shows the development of a low-power type sensor is possible by using Pt/MoO$_3$.
In this work BN thin films were deposited on Si substrate by R. F. sputtering method at $200^{\circ}C$ and in Ar + $N_2$ mixed gas atmosphere. In order to investigate the effect of ion bombardment on substrate for c-BN bonding, substrate bias voltage was applied. The optimum substrate bias voltage for c-BN bonding was determined by FTIR analysis on specimens which were deposited with various bias voltages. Then BN thin film was deposited with this optimum condition and its phase, morphology, chemical composition, and refractive index were compared with those of BN film which was deposited without bias voltage. FTIR results showed that BN films deposited with substrate bias voltage were composed of mixed phases of c-BN and h-BN, while those deposited without bias voltage were h-BN only. When pure Ar gas was used for sputtering gas, BN films were delaminated easily from substrate in air, while when 10% $N_2$ gas was added to the sputtering gas, although c-BN specific infrared peak was reduced, delamination did not occur. GXRD and TEM results showed that BN films were amorphous phases regardless of substrate bias voltage, and AES results showed that the chemical compositions of B/N were about 1.7~1.8. The refractive index of BN film deposited with bias voltage was higher than that without bias voltage. The reason is believed to be the existence of c-BN bonding in BN film and the higher density of film that deposited with the substrate bias voltage.
A flat type microgas sensor was fabricated on the p-type silicon wafer with low stress S $i_3$$N_4$, whose thickness is 2${\mu}{\textrm}{m}$ using MEMS technology and its characteristics were investigated. W $O_3$thin film as a sensing material for detection of N $O_2$gas was deposited using a tungsten target by sputtering method, followed by thermal oxidation at several temperatures (40$0^{\circ}C$~$600^{\circ}C$) for one hour. N $O_2$gas sensitivities were investigated for the W $O_3$thin films with different annealing temperatures. The highest sensitivity when operating at 20$0^{\circ}C$ was obtained for the samples annealed at $600^{\circ}C$. As the results of XRD analysis, the annealed samples had polycrystalline phase mixed with triclinic and orthorhombic structures. The sample exhibit higher sensitivity when the system has less triclinic structure. The sensitivities, $R_{gas}$$R_{air}$ operating at 20$0^{\circ}C$ to 5 ppm N $O_2$of the sample annealed at $600^{\circ}C$ were approximately 90. 90.
Impinging angle, impinging distance, length eve. diameter and injection pressure of a triplet injector were tested to evaluate the spray characteristics injected by liquid/gas combinations. Two different kinds of unlike triplet sprays were produced by changing the gas and liquid feed lines. One was the G-L-G(Gas-Liquid-Gas) type, and the other was L-G-L(Liquid-Gas-Liquid) type. Spray angles were wider with the G-L-G type than with L-G-L type. Mass distributions in spray were obtained with a, mechanical patternator. Mass distributions were not circular but elliptical distributions. When the range of mechanical patternator to injector decreased, mass distributions were more concentrated in the center region.
The effect of Air/$C_3H_8$ gas addition on the compound layer growth of steels nitrocarburised in $NH_3+Air+C_3H_8$ mixed gas atmospheres was investigated. It is considered that amount of residual $NH_3$ was varied according to alternation of Air/$C_3H_8$ mixing ratio and volume content. The compound layer formed from nitrocarburising was composed of ${\varepsilon}-Fe_{2-3}$(C, N) and ${\gamma}^{\prime}-Fe_4$(C, N). According as Air/$C_3H_8$ mixing ratio increased, the superficial content of ${\gamma}^{\prime}-Fe_4$(C, N) within the compound layer was increased, at the same time the growth rate of compound layer and porous layer was increased. In the case of alloy steel at the fixed gas composition, the growth rate of compound layer and porous layer was worse than carbon steel and compound layer phase composition structure primarily consisted of E phase. As the carbon content of materials was increasing in the given gas atmospheres, the growth rate of compound layer and porous layer was increased and the superficial content of ${\varepsilon}-Fe_{2-3}$(C, N) within the compound layer was increased.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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