Ternary Cu/ZnO/$Al_2O_3$ catalysts were prepared by a co-precipitation method. The precursor structures were monitored during the aging. The first precipitate structure was amorphous georgeite, which transformed into the unknown crystalline structure. The transition crystalline structure was assigned to the crystalline georgeite, which was suggested with elemental analysis, IR and XRD. The final structure of precursors was malachite. The Cu surface area of the resulting Cu/ZnO/$Al_2O_3$ was maximized to be 30.6 $m^2$/g at the aging time of 36 h. The further aging rapidly decreased Cu surface areas of Cu/ZnO/$Al_2O_3$. ZnO characteristic peaks in oxide samples almost disappeared after 24 h aging, indicating that ZnO was dispersed in around bulk CuO. TOF of the prepared catalysts of the Cu surface area ranges from 13.0 to 30.6 $m^2/g_{cat}$ was to be 2.67 ${\pm}$ 0.27 mmol/$m^2$.h in methanol synthesis at the condition of $250^{\circ}C$, 50 atm and 12,000 mL/$g_{cat}$. h irrespective of the XRD and TPR patterns of CuO and ZnO structure in CuO/ZnO/$Al_2O_3$. The pH of the precipitate solution during the aging time can be maintained at 7 by $CO_2$ bubbling into the precipitate solution. Then, the decrease of Cu surface area by a long aging time can be prevented and minimize the aging time to get the highest Cu surface area.
Semiconductor nanowires (NWs) are future building block for nano-scale devices. Especially, Ge NWs are fascinated material due to the high electrical conductivity with high carrier mobility. It is strong candidate material for post-CMOS technology. However, thermal stability of Ge NWs are poor than conventional semiconductor material such as Si. Especially, when it reduced size as small as nano-scale it will be melted around CMOS process temperature due to the melting point depression. Recently, Graphene have been intensively interested since it has high carrier mobility with single atomic thickness. In addition, it is chemically very stable due to the $sp^2$ hybridization. Graphene films shows good protecting layer for oxidation resistance and corrosion resistance of metal surface using its chemical properties. Recently, we successfully demonstrated CVD growth of monolayer graphene using Ge catalyst. Using our growth method, we synthesized Ge/graphene core/shell (Ge@G) NW and conducted it for highly thermal stability required devices. We confirm the existence of graphene shell and morphology of NWs using SEM, TEM and Raman spectra. SEM and TEM images clearly show very thin graphene shell. We annealed NWs in vacuum at high temperature. Our results indicated that surface melting phenomena of Ge NWs due to the high surface energy from curvature of NWs start around $550^{\circ}C$ which is $270^{\circ}C$ lower than bulk melting point. When we increases annealing temperature, tip of Ge NWs start to make sphere shape in order to reduce its surface energy. On the contrary, Ge@G NWs prevent surface melting of Ge NWs and no Ge spheres generated. Furthermore, we fabricated filed emission devices using pure Ge NWs and Ge@G NWs. Compare with pure Ge NWs, graphene protected Ge NWs show enhancement of reliability. This growth approach serves a thermal stability enhancement of semiconductor NWs.
Mechanical properties, including Young's modulus, residual stress and rupture strength, of a thermally evaporated gold film have been measured form a blister test. In a theoretical study, the priniple of minimum potential energy and that of virtual work have been applied to the pressurized circular membrane problem, and load-deflection relations have been derived for typical membrane deflection mode of spheroidal shape. In an experimental study, circular gold membranes of 4800 A-thickness and 3.5mm diameter were fabricated by the silicon electropolishing technique. Mecahnical properties of the thin gold films were deduced from the load-deflection curves obtained by the blister test, Young's moduli, obtianed from blister test, have been in the range of 45-70 GPa, while those of bulk gold have been in the range of 78-80 GPa. Residual stresses in the evaporated gold films have been measured as 28-110MPa in tension, The rupture strength of the gold film has turned out to be almost equal to that of dental gold alloy (310-380MPa). It has been demonstrated that the present specimen fabrication method and blister test apparatus have been effective for simultaneous measurement of Young's modulus, residual stress and repture strength of thin solid films. Especially, the electropolishing technique employed here has provided a simple and practical way to fabricate thin membranes in a circular or an arbitrary shape, which could not be obtained by the conventional anisotropic silicon mecromachining technique.
에어로졸 증착법에 의해서 상온에서 5~10 ㎛ 두께의 PZN-PZT(0 %, 20 %, 40 %) 복합체의 막을 실리콘/사파이어 기판 위에서 제조하였다. PZN의 농도는 0 %, 20 % 및 40 %까지 첨가하였다. 실리콘기판 및 사파이어 기판 위에서 증착된 막은 전기로에서 700℃ 및 900℃에서 각각 어닐링처리 하였으며 900℃에서 어닐링한 경우의 잔류분극 및 유전 상수 등의 전기적 특성이 700℃에서의 특성보다 우수하였다. 특히 900℃에서 어닐링한 2PZN-8PZT 막의 경우 1200℃에서 소결한 같은 조성의 벌크재에서 얻은 값과 상호 비교하였다. 열처리 온도가 높아짐에 따라 유전상수가 증가하는 경향을 보이는데 이는 후열처리에 따른 막의 결정성의 향상과 입자 성장으로 기인한다.
The surface of natural graphite was modified by the use of hydrogen peroxide and evaluated as an anode material for lithium ion capacitors (LICs). The surface treatment was carried out under various ultrasonic conditions of 200, 300, and 400W, which were applied to a mixture of natural graphite and hydrogen peroxide solution for 1 h. While the bulk structure was maintained, the hexagonal symmetry and physical properties of natural graphite, such as BET surface area, tap density, and particle size, were affected by the surface treatment. FT-IR and XPS measurements confirmed the signature of C=O on the surface of graphite samples after treatment. Both the pristine and surface-treated graphites showed a similar reversible capacity of $370mAhg^{-1}$, and the coulombic efficiency of surface-treated graphite decreased with higher ultrasonic energies (89.1%, 89.0%, and 88.0% for 200, 300, and 400 W) comparing with pristine graphite (89.4%). The capacity retention of LICs was greatly improved with the treated natural graphite. The graphite treated under the ultrasonic energy of 300 W and pristine natural graphite showed capacity retention of 77.5% and 42.9%, implying that the surface treatment was an effective method for the improvement of natural graphite as an anode material for LICs.
오늘날 정보 기술의 발전으로 병원은 의료분야에서 모바일 컴퓨팅 기술을 접목하여 의료 정보의 방대한 데이터를 관리를 위해서 시간과 공간의 제약을 받지 않는 병원정보시스템을 활발하게 연구하고 있다. 그럼에도 불구하고 대부분의 병원에서는 여전히 수작업으로 근무 편성표를 작성하는데 많은 노력과 시간을 소요하고 있다. 이에 본 논문은 간호사의 교대 근무를 편성하는 최적화 모델을 연구하고 이를 적용한 간호사 니즈형 근무 편성 자동화 시스템을 구축하였다. 실제 S병원에 근무하는 간호사를 대상으로 간호사의 정보 데이터와 요구조건 및 제약조건들을 구성하였다. 이를 적용하여 최적화된 스케줄링 처리 방법을 제안하였고 웹 서버를 중심으로 실시간 상호 교환 및 공유가 가능하기 위해서 수간호사가 사용하는 웹 기반 플랫폼과 일반 간호사가 사용하는 모바일 앱 플랫폼을 구축하였다. 따라서 개발된 간호사 니즈형 근무 편성 자동화 시스템을 통해서 수간호사는 매월 간호사의 근무 편성을 위한 업무 편리성을 증가시켜 주며, 간호사는 개인 일정관리를 통해서 좀 더 정확하게 업무를 처리할 수 있도록 도움을 줄 것이다. 또한 간호사간의 근무 일정의 공유하여 업무의 효율성이 증가할 것으로 기대한다.
In this paper, we investigated the effect of Co content on the microstructural and electrical properties of $Ni_{0.79}Mn_{2.21-x}Co_xO_4$ (x=0 to 0.25) specimens. Solid-state reaction was used to prepare the bulk specimens. XRD (X-ray diffraction) patterns showed that all compositions had a cubic spinel phase. As a result of the microstructural properties, FE-SEM(field-emission scanning electron microscopy) analysis showed a dense structure, and the mean grain size increased from $5.24{\mu}m$ to $7.33{\mu}m$ with an increase of Co content from x=0 to 0.25. All specimens exhibited the typical NTC thermistor characteristics as the electrical resistance exponentially decreased with increasing temperature. The resistivity and the B-value of $Ni_{0.79}Mn_{1.96}Co_{0.25}O_4$ were $2959{\Omega}{\cdot}cm$ and 3719, respectively.
Wang, Dong Xing;Shah, Asif;Zhou, Lei;Zhang, Xue Feng;Liu, Chun Jing;Huang, Hao;Dong, Xing Long
Applied Microscopy
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제45권4호
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pp.236-241
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2015
Carbon-coated Ni, Cu and Sn nanocapsules were investigated by means of X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM) and a four-point probe device. All of these nanocapsules were prepared by an arc-discharge method, in which the bulk metals were evaporated under methane ($CH_4$) atmosphere. Three pure metals (Ni, Cu, Sn) were typically diverse in formation of the carbon encapsulated nanoparticles and their different mechanisms were investigated. It was indicated that a thick carbon layers formed on the surface of Ni(C) nanocapsules, whereas a thin shell of carbon with 1~2 layers covered on Cu(C) nanocapsules, and the Sn(C) nanocapsules was, in fact, a longger multi-walled carbon nanotubes partially-filled with metal Sn. As one typical magnetic/dielectric nanocomposite particles, Ni(C) nanocapsules and its counterpart of oxide-coated Ni(O) nanocapsules were compared in the electrically conductive behaviors for further applications as the electromagnetic materials.
InGaZnO (IGZO) thin-film transistors (TFTs) are very promising due to their potential use in high performance display backplane [1]. However, the stability of IGZO TFTs under the various stresses has been issued for the practical IGZO applications [2]. Up to now, many researchers have studied to understand the sub-gap density of states (DOS) as the root cause of instability [3]. Nomura et al. reported that these deep defects are located in the surface layer of the IGZO channel [4]. Also, Kim et al. reported that the interfacial traps can be affected by different RF-power during RF magnetron sputtering process [5]. It is well known that these trap states can influence on the performances and stabilities of IGZO TFTs. Nevertheless, it has not been reported how these defect states are created during conventional RF magnetron sputtering. In general, during conventional RF magnetron sputtering process, negative oxygen ions (NOI) can be generated by electron attachment in oxygen atom near target surface and accelerated up to few hundreds eV by self-bias of RF magnetron sputter; the high energy bombardment of NOIs generates bulk defects in oxide thin films [6-10] and can change the defect states of IGZO thin film. In this study, we have confirmed that the NOIs accelerated by the self-bias were one of the dominant causes of instability in IGZO TFTs when the channel layer was deposited by conventional RF magnetron sputtering system. Finally, we will introduce our novel technology named as Magnetic Field Shielded Sputtering (MFSS) process [9-10] to eliminate the NOI bombardment effects and present how much to be improved the instability of IGZO TFTs by this new deposition method.
Established microleakage tests have their own disadvantages. In this study, 3D reconstruction method was tried to overcome these disadvantages. Four types of microleakage tests were used and relationships among them were estimated: penetrated dye volume: marginal adaptability: degree of dye penetration and relative penetrated length to cavity wall. Twenty-four Class V cavities were bulk filled with composite (Esthet X) following surface treatments: N group (no treatment): E group (etching only): T group (etching + Prime & Bond NT). 50% silver nitrate was used as a dye solution after thermocycling ($5^{\circ}C{\;}&{\;}55^{\circ}C$, 1.000 times). Teeth were serially ground with a thickness of 0.2 mm. Volume of dye penetration was estimated from a three-dimensionally reconstructed image with a software (3D-DOCTOR). Percentage of margin without gap was estimated from SEM and degree of dye penetration and the relative length of dye penetration to overall cavity wall were also estimated. ANOVA and Scheffe test for dye volume, Kruskal-Wallis and Mann-Whitney test for marginal quality, Spearman's rho test for checking of relationships among methods were used. The results were as follows: 1. Dye penetration could be seen from several directions, furthermore, its volumetric estimation was possible. 2. Reverse relationship was found between dye volume and marginal quality (r = -0.881/ p = 0.004). 3. Very low relationship was seen between dye volume and two-dimensional tests (degree of dye penetration and relative length). However, 2D evaluation methods showed high relationship (p = 0.002-0.054) each other. 4. Three times vertical section could be recommended as a 2D test.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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