본 논문은 개인용 컴퓨터(PC)에 적합한 EMC 필터의 제작에 대해서 다룬다. PC는 CPU를 포함한 여러 소자들이 모여 있어 각 장치들간에 서로 많은 간섭이 일어날 수 있고, PC와 연결되는 여러 외투 장치들에 영향을 받아 불요 전자파가 많이 발생될 수 있다. 따라서 본 연구에서는 PC를 측정대상기기(EUT)로 하여 임피던스에 적합한 노이즈 저감 필터를 제작하였다. 관통형(Feed-through) 컨덴서와 높은 투자율을 가진 페라이트 비드로 구성된 필터를 제작한 필터와 함께 적용하여 PC용 EMC 필터를 제작하였다. 실험을 통해서 제작한 필터가 10 MHz ∼ 1.5 GHz에서 삽입손실이 40 dB 이상 감쇠되며, CISPR Pub. 22 규격과 IEC 61000-4-4의 level 4까지 만족함을 알 수 있었다.
With a rapid progress in electronic industry we enjoy various conveniences of life. As many kinds of information equipments are supplied even to most of individuals as to be called an information society, we are exchanging much information with one another surprisingly. Consequently the occupation density of microwave frequency band is highly increased, and electromagnetic environment is getting more seriously bad. It often gives fatal blow to even human life and thus becomes serious social problems. Electromagnetic wave absorbers for anechoic chamber are needed to broaden the effective frequency bandwidth, reduce the thickness, and decrease the weight. There are various absorbers proposed for the above conditions, but they could not decisively solve it the alone requirements. The Electromagnetic wave absorber made by a conventional ferrite tile has, for example, broadened the useful frequency bandwidth by the way of forming air layer(practically use urethane foam, etc.) on the ferrite tile. Therefore, an air layer is formed between a reflection plate and a sintered Ni-Zn ferrite tile of 7 mm in thickness, which has reflectivity less than -20 dB from 30 MHz to 400 MHz in bandwidth. Accordingly, in this paper, a broadened electromagnetic wave absorber are designed, which has the reflection characteristics less than -20 dB from 30 MHz to 6,000 MHz in the bandwidth. Then we achieved the goal by design the inserting square Ferrite Cylinders with the thickness less than 17.5 mm on existing grid type Ferrite absorber. The purpose of this research is on the development of very wide-band electromagnetic absorber for a universal anechoic chamber for measuring radiated electromagnetic wave or immunity of electronic equipments, GTEM-cell, wall material for preventing TV ghost, etc.
전자산업과 전파통신기술이 발달함에 따라 인류는 풍요로운 생활을 영위하고 있지만, 전파의 사용증대로 인해 EMI와 같은 많은 사회적 문제와 불요 전자파가 발생하고 있다. 따라서, CISPR, FCC, ANSI 등의 기구는 EMC 대책을 위해 전파환경의 규정을 제안하고 있다 EMI/EMC 측정을 위한 전파무향실(anechoic chamber)에 대한 국제 규정을 만족하기 위해서는, 30 MHz ∼ 1,000 MHz까지의 범위에서 20 dB이상의 전파흡수능을 가져야 한다. 하지만, 1998년 11월, CISPR11은 EMI 측정의 주파수 범위를 1 GHz ∼ 18 GHz로 확장하였다[1]. 본 논문에서는 상기의 요구를 만족하는 새로운 형태의 전파흡수체(Electromagnetic Wave Absorber)를 제안하고 등가재료 정수법(Equivalent Material Constants Methods)을 사용하여 광대역 설계를 수행하였다. 그 외에 실험은 30 MHz ∼ 2 GHz까지의 주파수 범위에서 행해졌으며, 제안한 설계 이론의 타당성을 확인하였다.
Erythropoietin (EPO) is a glycoprotein hormone secreted from primarily cells of the peritubular capillary endothelium of the kidney, and is responsible for the regulation of red blood cell production. We constructed and expressed dimeric cDNAs in Chinease hamster ovary (CHO) cells encoding a fusion protein consisting of 2 complete human EPO domains linked by a 2-amino acid linker (Ile-Asp). We described the activity of dimeric hyperglycosylated EPO (dHGEPO) mutants containing additional oligosaccharide chains and characterized the function of glycosylation. No dimeric proteins with mutation at the $105^{th}$ amino acid were found in the cell medium. Growth and differentiation of the human EPO-dependent leukemiae cell line (F36E) were used to measure cytokine dependency and in vitro bioactivity of dHGEPO proteins. MIT assay at 24 h increased due to the survival of F36E cells. The dHGEPO protein migrated as a broad band with an average molecular mass of 75 kDa. The mutant, dHGEPO, was slightly higher than the wild-type (WT) dimeri-EPO band. Enzymatic N-deglycosylation resulted in the formation of a narrow band with a molecular mass twice of that of of monomeric EPO digested with an N-glycosylation enzyme. Hematocrit values were remarkably increased in all treatment groups. Pharmacokinetic analysis was also affected when 2.5 IU of dHGEPO were intravenously injected into the tails of the mice. The biological activity and half-life of dHGEPO mutants were enhanced as compared to the corresponding items associated the WT dimeric EPO. These results suggest that recombinant dHGEPO may be attractive biological and therapeutic targets.
본 논문은 밀리미터파를 사용하는 광대역 무선 접속용 마이크로 셀룰라 시스템에 적용할 수 있는 새로운 광링크 구조를 제시하고 분석한다. 제안된 링크 구조는 EOM(electro optic modulator)의 비선형성에 의해 발생하는 고조파 성분을 광믹성(photonic mixing)에 이용해 링크로 입격되는 전기 신호를 주파수 천이시켜 BS(base station)에서의 전기적 믹싱을 불필요하게 하며 또한 CS(central station)로부터 공급된 밀리미터파 광 캐리어를 사용하므로써 BS에 능동 광원(optical source)이 없도록 하여 BS의 구조를 간단히 한다. 제시된 링크 구조에 대한 하향링크(downlink) CNR(carrier to noise ratio), IM3/C(third order intermoulation to carrier ratio) 및 상향링크(uplink) SFDR(spurious free dynamic range)에 대한 분석 및 상용소자의 파라메타값을 이용한 시뮬레이션을 통하여 제시된 링크 구조가 현재의 마이크로 셀룰라 시스템 요구조건을 만족시킬 수 있음을 보인다.
본 논문은 개인용 컴퓨터(PC)에 적합한 EMC 필터의 제작에 대해서 다룬다. PC는 CPU를 포함한 여러 소자들이 모여 있어 각 장치 간에 서로 많은 간섭이 일어날 수 있고, PC와 연결되는 여러 외부 장치들에 영향을 받아 불요 전자파가 많이 발생필 수 있다. 따라서 본 연구에서는 PC를 측정대상기기(EUT)로 하여 임피던스에 적합한 노이즈 저감 필터를 제작하였다. 관통형(Feed-through) 컨덴서와 높은 투자율을 가진 페라이트 비드로 구성된 필터를 제작한 필터와 함께 적용하여 PC용 EMC 필터를 제작하였다. 실험을 통해서 제작한 필터가 10 MHz~1.5 GHz에서 삽입손실이 40 dB 이상 감쇠되며, CISPR Pub. 22 규격과 IEC 61000-4-4의 level 4까지 만족함을 알 수 있었다.
신규 센서의 성능과 노후화된 센서의 성능 평가를 하는 것은 지진 감시 및 지진연구에 있어서 매우 중요하다고 할 수 있다. 특히 센서 주파수 응답은 지진자료의 보정을 위해서 필수적으로 사용되고 있다. 이 연구에서는 주파수 스펙트럼비를 이용한 지진 기록계의 보정 방법과 시간영역 대역통과필터(bandpass filter)와 힐버트(Hilbert) 변환을 이용한 지진계 주파수 응답을 계산하는 방법을 제시하고자 하였다. 실내 진동대 실험에서 가속도 센서(CMG-5T 1g, 2g 센서)를 설치하고 제안된 방법으로 센서 주파수 응답스펙트럼을 구하였을 때 좋은 결과를 얻을 수 있었다. 또한 2011년 도호쿠 대지진에 대하여 서울대학교 관측소(SNU)의 STS-2와 ES-T에서 얻어진 자료에 대하여 제안된 방법을 적용한 결과 STS-2 광대역 센서의 저주파수 대역에 대한 주파수 응답을 얻을 수 있었다. 대역통과필터와 힐버트 변환 방법을 이용할 경우, 주파수 스펙트럼비를 이용한 방법보다 신호대 잡음이 낮은 부분에서도 명확한 주파수 응답스펙트럼을 보여주었다.
$Li_4Ti_5O_{12}$는 우수한 안정성으로 고출력 배터리의 음극 물질로 주 목 받고 있다. 그러나 절연체로서 전도도의 개선이 필요한 상황으로 다양한 방법이 시도되고 있다. 본 연구에서는 Cr 도핑을 통해서 $Li_4Ti_5O_{12}$의 전도도 향상을 목표로 하였으며, X-선 흡수 실험 및 FEFF 8.4 코드를 이용한 제일원리 계산을 통해서 도핑에 의한 미세 구조 및 전자 구조의 변화를 분석하였다. Cr 도핑은 페르미 레벨을 Cr d 밴드의 중심에 위치시켜 전도성을향상시켰으며, Ti d 밴드의 전자밀도를 높여 XANES pre-edge및 White line의 변화를 야기했다.
$Eu^{3+}$-doped $MgMoO_4$ phosphor thin films were deposited on quartz substrates by radio frequency magnetron sputtering with changing various growth temperatures. The effects of growth temperature on the structure, transmittance, optical band gap, and luminescence of the phosphor thin films were characterized. All the phosphor thin films, irrespective of growth temperature, showed a monoclinic structure with a main (220) diffraction peak. The thin film deposited at a growth temperature of $400^{\circ}C$ indicated an average transmittance of 90% in the wavelength range of 500 ~ 1100 nm and band gap energy of 4.81 eV. The excitation spectra of the phosphor thin films consisted of a broad charge transfer band peaked at 284 nm in the range of 230 ~ 330 nm and two weak peaks located at 368 and 461 nm, respectively. The emission spectra under ultraviolet excitation at 284 nm exhibited a sharp emission peak at 614 nm and several weak bands. All the phosphor thin films showed high asymmetry ratio values, indicating that $Eu^{3+}$ ions incorporated into the host lattice occupied at the non-inversion symmetry sites. The results suggest that the growth temperature plays an important role in growing high-quality phosphor thin films.
Eu3+-doped SnO2 (SnO2:Eu3+) phosphor thin films were grown on quartz substrates by radio-frequency magnetron sputtering. The deposition temperature was varied from 100 to 400 ℃. The X-ray diffraction patterns showed that all the thin films had two mixed phases of SnO2 and Eu2Sn2O7. The 880 nmthick SnO2:Eu3+ thin film grown at 100 ℃ exhibited numerous pebble-shaped particles. The excitation spectra of SnO2:Eu3+ thin films consisted of a strong and broad peak at 312 nm in the vicinity from 250 to 350 nm owing to the O2--Eu3+ charge transfer band, irrespective of deposition temperature. Upon 312 nm excitation, the SnO2:Eu3+ thin films showed a main emission peak at 592 nm arising from the 5D0→7F1 transition and a weak 615 nm red band originating from the 5D0→7F2 transition of Eu3+. As the deposition temperature increased, the emission intensities of two bands increased rapidly, approached a maximum at 100 ℃, and then decreased slowly at 400 ℃. The thin film deposited at 200 ℃ exhibited a band gap energy of 3.81 eV and an average transmittance of 73.7% in the wavelength range of 500-1100 nm. These results indicate that the luminescent intensity of SnO2:Eu3+ thin films can be controlled by changing the deposition temperature.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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