Alloy 600 (Ni 75 wt%, Cr 15 wt%, Fe 10 wt%) as a heat exchanger tube of the steam generator (SG) in nuclear power plants (NPP) has been degraded by various corrosion mechanism during the long-term operation. Especially lead (Pb) is known to be one of the most deleterious species in the secondary system causing outer diameter stress corrosion cracking (ODSCC). Oxide formation and breakdown is requisite for SCC initiation and propagation. Therefore it is expected that a property change of the oxide formed on SG tubing materials by lead addition into a solution is closely related to PbSCC. In the present work, the SCC susceptibility was assessed by using a slow strain rate test (SSRT) in caustic solutions with and without lead for Alloy 600 and Alloy 690 (Ni 60 wt%, Cr 30 wt%, Fe 10 wt%) used as an alternative of Alloy 600 because of outstanding superiority to SCC. The results were discussed in view of the oxide property formed on Alloy 600 and Alloy 690. The oxides formed on Alloy 600 and Alloy 690 in aqueous solutions with and without lead were examined by using a transmission electron microscopy (TEM), equipped with an energy dispersive x-ray spectroscopy (EDXS).
The interactions between corrosion pits on stainless steel under loading conditions are studied by using a cellular automata model coupled with finite element method at a mesoscopic scale. The cellular automata model focuses on a metal/film/electrolyte system, including anodic dissolution, passivation, diffusion of hydrogen ions and salt film hydrolysis. The Chopard block algorithm is used to improve the diffusion simulation efficiency. The finite element method is used to calculate the stress concentration on the pit surface during pit growth, and the effect of local stress and strain on anodic current is obtained by using the Gutman model, which is used as the boundary conditions of the cellular automata model. The transient current characteristics of the interactions between corrosion pits under different simulation factors including the breakdown of the passive film at the pit mouth and the diffusion of hydrogen ions are analyzed. The analysis of the pit stability product shows that the simulation results are close to the experimental conclusions.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.22
no.5
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pp.64-72
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2008
In the three phase four wire system, voltage unbalance caused by the unbalanced load operation, gives rise to current unbalance and de-rates by the increase of machine's loss and eventually enlarges power capacity and besides has a bad effect on power quality. Power capacitor has been used for the power factor correction of inductive load and the voltage stability of power system. And it uses instead of power side for magnetic excitation of induction motor. If voltage unbalance keeps up, it affects on voltage stress at the power capacitor and finally can be caused breakdown. In this paper, we analysed that voltage and current of power capacitor increases by the voltage unbalance factor and its stress is growing more and more.
Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers
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v.21
no.9
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pp.71-77
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2022
In times of war or emergencies, weapon systems, such as radars, must receive stable power. This can be achieved using improved onboard portable power systems made of steel containers. However, a breakdown can occur in the event of random vibration during transportation via a vehicle or train. Electrical-power shortages or restrictions pose a significant threat to security. In this study, Composite Wheeled Vehicle(CWV) data and rail cargo data with Acceleration Spectral Density(ASD), specified in MIL-STD-810H METHOD 514.8, were interpreted as input data of the three-axis random vibration method using ANSYS 19.2. Modal analysis was performed up to 500 Hz, and deformations in modes 1 to 117 were calculated to utilize all ASD data. The maximum equivalent stress in the three-axis direction was obtained using a random vibration analysis. Similarly, the margin of safety was calculated using the derived equivalent stress and material properties. Overall, the analysis verified that the portable container designed for the power supply system satisfied the required vibration demands.
Stress에 잘 견딜 수 있는 metal-oxide-semiconductor field effect transistor(MOSFET)의 매우 얇고(10mm 이하) 고신뢰성을 갖는 게이트 절연막을 개발하기 위해서 급속열처리법을 이용하여 제조한 재산화질화산화막의 특성에 관하여 연구하였다. AES 분석에 의하여 8nm 두께의 초기산화막을 질화시킬 때 산화막의 계면이 우선적으로 질화가 일어났으며, 질화된 막을 재산화시킬 때 표면과 계면의 [N]가 감소하였다. 또한 재산화시킬 경우 두께가 약간 증가함을 보였으며, 질화가 강하게 될수록 두께 증가는 크지 않았다. 전기적 특성으로써 I-V 특성과 고주파(1MHz) C-V 특성, 정전류 stress 후의 고주파 C-V 특성 변화 들을 조사한 결과 $950^{\circ}C$ 60초 동안 질화시킨 재산화질화산화막($ONO_L막$) 은 정전류 stress에 대하여 flat band 전압 변화에 계면 상태 밀도(interface state density)변화가 적고, 절연파괴전압(breakdown voltage)특성 등이 우수하게 나타났다.
International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
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v.8
no.1
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pp.46-51
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2007
Environmental contamination creates shortages of potable water. In such situations, the leakage of water due to breakage or aging of rubber valve seats is a serious problem. Rubber is apt to break when it is placed between two materials that contact each other. One way to avoid water leakage due to rubber damage and breakdown is to replace the rubber with metal, which is currently taking place in water distribution systems. In tribology, a severe form of wear is characterized by local macroscopic material transfer or removal, or by problems with sliding protrusions when two solid surfaces experience relative sliding under load. One of the major problems when metal slides is the occurrence of galling. Experimentally, various conditions influence incipient galling, such as hardness, surface roughness, temperature, load, velocity, and the external environment. This study sought to verify the galling tendencies of metal according to its hardness, surface roughness, load, and sliding velocity, and determine the quantitative effect of each factor on the galling tendencies.
The synthetic short-circuit making test to adequately stress the circuit breaker has been specified as the mandatory test duty in the IEC 62271-100. The purpose of this test is to give the maximum pre-arcing energy during making operation. And this requires the making operation with symmetrical short-circuit current that is established when the breakdown between contact gap occurs near the crest of the applied voltage. Also, if the interrupting chamber of circuit breakers is designed as the type of common enclosure or the operation is made by the gang operated mechanism that three-phase contacts are operated by one common mechanism, three-phase synthetic making test is basically required. Therefore, several testing laboratories have developed and proposed their own test circuits to properly evaluate the breaker performance. With these technical backgrounds, we have developed the new alternative three-phase making circuit.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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1999.05a
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pp.411-414
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1999
70 ${\AA}$-thick oxides nitridied at various conditions were reoxidized at pemperatures of 900$^{\circ}C$ in dry-O$_2$ ambients for 5~40 mininutes. The gate oxide interface porperties as well as the oxide substrate interface properties of MOS(Metal Oxide Semiconductor) capacitors with various nitridation conditions, reoxidation conditions and pure oxidation condition were investigated. We stuided I$\sub$g/-V$\sub$g/ characteristics, $\Delta$V$\sub$g/ shift under constant current stress from electrical characteristics point of view and breakdown voltage from leakage current point of view of MOS capacitors with SiO$_2$, NO, RNO dielectrics. Overall, our experimental results show that reoxidized nitrided oxides show inproved charge trapping porperites, I$\sub$g/-V$\sub$g/ characteristics and gate $\Delta$V$\sub$g/ shift. It has also been shown that reoxidized nitridied oxide's leakage currented voltage is better than pure oxide's or nitrided oxide's from leakage current(1${\mu}$A) point of view.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.50-53
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2001
In this study, gate leakage current mechanism has been analyzed for GaAs MESFET with different temperatures ranging from 27$^{\circ}C$ to 300$^{\circ}C$ . It is expected that the thermionic and field emission at the MS contact will dominate the current flow. Thermal cycle is applied to test the reliability of the device. From the results, it is proved that thermal stress gradually increases the gate leakage current at the same bias conditions and leads to the breakdown and failure mechanism which is critical in the field equipment. Finally the gate contact under the repeated thermal shock has been tested to check the quality of Schottky barrier and the current will be expressed in the analytical from to associate with the electrical characteristics of the device.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.27
no.5
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pp.729-736
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1990
Oxide (RTO), nitrided-oxide(NO), and reoxidized-nitrided-oxide(ONO) films were formed by sequential rapid thermal processing. The film composition was investigated by Auger electron spectroscopy(AES). The Si/SiO2 interface and SiO2 surface are nitrided more preferentially than SiO2 bulk. When the NO is reoxidized, [N](atomic concentration of N) in the NO film decreased` especially, the decrease of [N] at the surface is considerable. The weaker the nitridation condition is, the larger the increase of thickness is as the reoxidation proceeds. The elelctrical characteristics of RTO, NO, and ONO films were evaluated by 1-V, high frequency (1 MHz) C-V, and high frequency C-V after constant current stress. The ONO film-which has 8 nm thick initial oxide, nitrided in NH3 at 950\ulcorner for 60 s, reoxidized in O2 at 1100\ulcorner for 60 s-shows good electrical characteristics such as higher electrical breakdown voltage and less variation of flat band voltage under high electric field than RTO, and NO films.
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