• 제목/요약/키워드: bose metal

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Taurine protects the antioxidant defense system in the erythrocytes of cadmium treated mice

  • Sinha, Mahua;Manna, Prasenjit;Sil, Parames C.
    • BMB Reports
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    • 제41권9호
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    • pp.657-663
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    • 2008
  • The present study was undertaken to investigate the protective role of taurine (2-aminoethanesulfonic acid) against cadmium (Cd) induced oxidative stress in murine erythrocytes. Cadmium chloride ($CdCl_2$) was chosen as the source of Cd. Experimental animals were treated with either $CdCl_2$ alone or taurine, followed by Cd exposure. Cd intoxication reduced hemoglobin content and the intracellular Ferric Reducing/Antioxidant Power of erythrocytes, along with the activities of antioxidant enzymes, glutathione content, and total thiols. Conversely, intracellular Cd content, lipid peroxidation, protein carbonylation, and glutathione disulphides were significantly enhanced in these cells. Treatment with taurine before Cd intoxication prevented the toxin-induced oxidative impairments in the erythrocytes of the experimental animals. Overall, the results suggest that Cd could cause oxidative damage in murine erythrocytes and that taurine may play a protective role in reducing the toxic effects of this particular metal.

In0.49Ga0.51P/GaAs 이종접합 구조의 표면 광전압 특성 (Surface Photovoltage Characterization of In0.49Ga0.51P/GaAs Heterostructures)

  • 김정화;김인수;배인호
    • 한국진공학회지
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    • 제19권5호
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    • pp.353-359
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    • 2010
  • Metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) 법으로 성장된 $In_{0.49}Ga_{0.51}P$/GaAs 이종접합 구조의 특성을 표면 광전압(surface photovoltage; SPV) 분광법으로 조사하였다. SPV 측정은 입사광의 세기, 변조 주파수, 온도의 함수로 수행하였다. 상온에서 시료의 띠간격 에너지(band gap energy)는 GaAs와 $In_{0.49}Ga_{0.51}P$는 각각 1.400 및 1.893 eV이었다. 광세기를 증가시킴에 따라 SPV 크기는 증가하는 반면에, 변조 주파수를 증가시킴에 따라 SPV 크기는 감소하였다. 그리고 SPV 스펙트럼의 온도 의존성으로부터 GaAs와 $In_{0.49}Ga_{0.51}P$의 띠간격 에너지의 변화를 Varshni 및 Bose-Einstein 표현에 의해 분석하였다.

Ambidentate Ligand의 금속 착물 (제1보). Isonitrosobenzoylacetone Imine 유도체와 니켈(Ⅱ)의 착물 (Metal Complexes of Ambidentate Ligands (I). Nickel(II) Complexes of Isonitrosobenzoylacetone Imine Derivatives)

  • 이만호;오대섭;이광우
    • 대한화학회지
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    • 제22권1호
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    • pp.19-24
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    • 1978
  • Ambidentate 리간드인 isonitrosobenzoylacetone imine 및 그 N-알킬치환체들의 새로운 니켈(II)착물 Ni(IBA-NH)(IBA-NR)를 합성하였다. 여기서 IBA-NH 및 IBA-NR (R=H, methyl, ethyl, n-propyl, iso-propyl, n-butyl 또는 benzyl)은 각각 isonitrosobenzoylacetone imine 및 그 N-알킬치환체를 표시한다. 합성한 니켈(II)착물들의 적외선, 핵자기공명, 전자스펙트라 및 자기모멘트등을 측정한 결과 이들 착물에서 IBA-NH 리간드는 이소니트로소기의 산소를 통하여 니켈에 배위되어 6각형 고리를 이루고 있으며, 그리고 IBA-NR 리간드는 이소니트로소기의 질소를 통하여 니켈에 배위되어 5각형 고리를 이루고 있음을 확인하였다. 이들 리간드의 배위 구조는 Bose 등에 의해 알려진 isonitrosoacetylacetone imine 및 N-알킬유도체들의 구조와 유사하다.

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Ambidentate 리간드의 금속착물 (제 3보). Isonitrosobenzoylacetone Imine 유도체와 팔라듐(Ⅱ)의 착물 (Metal Complexes of Ambidentate Ligands (Ⅲ). Palladium (Ⅱ) Complexes of Isonitrosobenzoylacetone Imine Derivatives)

  • 오대섭;이만호;김수한;박정학;이해운
    • 대한화학회지
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    • 제26권1호
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    • pp.31-35
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    • 1982
  • Amberdentate 리간드인 isonitrosobenzoylacetone imine 및 N-알킬 치환제들의 새로운 팔라듐(Ⅱ) 착물 Pd(IBA-NH)(IBA-NH') 및 Pd(IBA-NR)2를 합성하였다. 여기서 IBA-NH 및 IBA-NR (R: methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl, benzyl)은 각각 isonitrosobenzoylacetone imine 및 그 N-알킬 치환제를 표시한다. 합성한 팔라듐(II) 착물들의 적외선, 핵자기 공명, 전자 스펙트라 등을 측정한 결과 이들 착물 중에서 Pd(IBA-NH)(IBA-NH')는 IBA-NH는 이소니트로소기의 산소를 통하여 팔라듐에 배위되어 6각형 고리를 이루며 IBA-NH'는 이소니트로소기의 질소를 통하여 배위되어 5각형 고리를 이루고 있음을 확인하였다. 그리고 Pd$(IBA-NR)_2$는 양쪽의 IBA-NR이 같이 이소니트로소기의 질소를 통하여 배위되어 5각형 고리를 이루고 있음을 확인하였다. 이들 리간드의 배위구조는 $Bose^5$등에 의하여 알려진 isonitrosoacetylacetone imine 및 그 N-알킬 유도체들의 구조와 유사하다.

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Leveling-Off of the Resistance at Low Temperatures in Granular In/InO$_x$ Thin Films

  • Kim, Ki-Joon;Lee, Hu-Jong
    • 한국초전도학회:학술대회논문집
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    • 한국초전도학회 1999년도 High Temperature Superconductivity Vol.IX
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    • pp.261-261
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    • 1999
  • We observed leveling-off of the resistance in granular In/InO$_x$ thin films in the zero-temperature limit. The temperature T$_b$ at which the leveling-off appears gets larger as the sheet resistance R$_n$ increases. This is consistent with the concept that the leveling-off of the resistance is due to the dissipation of the bosonic phase and that the dissipation is enhanced as the resistance increases. The magnetic field dependence of the saturated resistance R$_b$ at low temperatures fits the modified square-root cusp-like form R$_b$/R$_n$=α exp[-b(B/B$_c$-1)$^{-1/2}$] for the magnetic field in the range B$_c$$_f$ where B$_c$ is the onset magnetic field of the resistance leveling-off. α and b are constants of order 1. For B>B$_f$ tansport properties are described by the theory of the fermi insulator. From the results, we attribute the leveling-off to the dissipative quantum tunneling of vortices, which supports the models predicting the vortex-motion-induced insulating phase related with the concept like"dirty boson" [1]l and "hose metal" [2].

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