• 제목/요약/키워드: bonding technology

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네트워크 본딩 기술을 기반한 IEEE 1588의 고장 허용 기술 연구 (Fault Tolerance for IEEE 1588 Based on Network Bonding)

  • 무스타파 알타하;이종명
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
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    • 제11권4호
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    • pp.331-339
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    • 2018
  • IEEE 1588은 측정 및 제어 시스템에서 사용되는 네트워크의 정확한 시각 동기 표준(PTP, Precision Time Protocol)이다. Best Master Clock (BMC) 알고리즘은 PTP에서 최적의 마스터-슬레이브 계층을 선택하기 위해 사용한다. 슬레이브가 마스터와의 링크 장애 또는 현재의 시각 동기 에러가 발생하였을 때, BMC는 자동으로 다른 마스터 신호를 수신할 수 있도록 한다. 이때의 슬레이브 클럭은 마스터 신호의 장애 보상 시간 값에 따라 달라진다. 그러나 BMC 알고리즘에서는 마스터 클럭의 장애 발생에 따른 빠른 고장 복구 방안은 전혀 고려하지 않았다. 이에 본 논문에서는 네트워크 본딩 (Bonding) 기술을 적용하여 마스터 클럭의 장애에 따른 빠른 복구 방안을 제시하였다. 본 연구는 리눅스 시스템의 PTP livery 데몬(Ptpd)과 IEEE 1588의 특정 프로파일을 사용하였으며, 본딩 모드를 통해서 제어하도록 하였다. 네트워크 본딩 기술은 둘 이상의 네트워크 인터페이스 신호를 하나의 네트워크 인터페이스에 전송하기 위해 신호를 결합하는 과정에 대한 것으로, 네트워크의 이중화와 성능 향상을 제공한다. 본딩 기술은 만약 하나의 링크에서 장애가 발생하면, 본딩되어 있는 다른 링크를 통해서 즉각적으로 신호 전달이 가능하기에 네트워크의 이중화 또는 부하 분산 등에 사용한다. IEEE 1588만 적용한 것과 대비하여 IEEE 1588 기술과 네트워크 본딩 기술을 결합한 네트워크 복구 기술의 뛰어난 성능을 본 논문을 통하여 증명하였다.

압연 클래드된 Ti/Mild steel/Ti 재의 계면확산층과 접합력에 미치는 후열처리온도의 영향 (Effect of Post Heat Treatment Temperature on Interface Diffusion Layer and Bonding Force in Roll Cladded Ti/Mild steel/Ti Material)

  • 이상목;김수민;위세나;배동현;이근안;이종섭;김용배;배동수
    • 대한금속재료학회지
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    • 제50권4호
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    • pp.316-323
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    • 2012
  • The aim of this study is to investigate the effect of post heat treatment on bonding properties of roll cladded Ti/MS/Ti materials. First grade Ti sheets and SPCC mild steel sheets were prepared and then Ti/MS/Ti clad materials were fabricated by a cold rolling and post heat treatment process. Microstructure and point analysis of the Ti/MS interfaces were performed using the SEM and EDX Analyser. Diffusion bonding was observed at the interfaces of Ti/MS. The thickness of the diffusion layer increased with post heat treatment temperature and the diffusion layer was verified as having $({\epsilon}+{\zeta})+({\zeta}+{\beta}-Ti)$ intermetallic compounds at $700^{\circ}C$ and an $({\zeta}+{\beta}-Ti)$ intermetallic compound at $800^{\circ}C$, respectively. The micro Knoop hardness of mild steel decreased with post heat treatment temperature; however, those of Ti decreased at a range of $500{\sim}600^{\circ}C$ and showed a uniform value until $800^{\circ}C$ and then increased rapidly up to $900^{\circ}C$. The micro Knoop hardness value of the diffusion layer increased up to $700^{\circ}C$ and then saturated with post heat treatment. A T-type peel test was used to estimate the bonding forces of Ti/Mild steel interfaces. The bonding forces decreased up to $800^{\circ}C$ and then increased slightly with post heat treatment. The optimized temperature ranges for post heat treatment were $500{\sim}600^{\circ}C$ to obtain the proper formability for an additional plastic deformation process.

낙엽송 블록접착집성재의 접착 및 휨 강도 성능 (Bending and Bonding Strength Performances of Larix Block-glued Glulam)

  • 이인환;홍순일
    • Journal of the Korean Wood Science and Technology
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    • 제44권3호
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    • pp.315-322
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    • 2016
  • 2개 이상의 보부재 집성재 요소들의 측면접착으로 제작된 "블록접착집성재"는 대단면 목조건축물의 건축부재로 활용 가능한 구조용재다. 블록접착집성재의 측면은 접착제의 종류와 도포량 및 압체압력을 각기 다른 조합으로 접착하여 박리시험과 전단블록시험으로 접착성능을 검토하였다. 실험결과 레조시놀접착제 $500g/m^2$을 도포하고 압체압력 1.5 MPa의 조건으로 제작된 블록접착집성재의 측면접착성능이 가장 양호하였다. 양호한 측면접착조건으로 제작된 블록접착집성재는 동일단면계수의 대조군 집성재와 휨 강도 성능을 비교 검토하였다. 블록접착집성재의 휨 탄성계수는 대조군 집성재와 유사하였으며, 파괴계수는 대조군집성재 보다 27% 향상되었다. 할렬은 대조군집성재 보다 블록접착집성재에서 다량 발생하였으며, 블록접착집성재의 측면접착층에서 계면파괴나 응집파괴는 관찰되지 않았다.

Cu-to-Cu 웨이퍼 적층을 위한 Cu CMP 특성 분석 (Development of Cu CMP process for Cu-to-Cu wafer stacking)

  • 송인협;이민재;김성동;김사라은경
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제20권4호
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    • pp.81-85
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    • 2013
  • 웨이퍼 적층 기술은 반도체 전 후 공정을 이용한 효과적인 방법으로 향후 3D 적층 시스템의 주도적인 발전방향이라고 할 수 있다. 웨이퍼 레벨 3D 적층 시스템을 제조하기 위해서는 TSV (Through Si Via), 웨이퍼 본딩, 그리고 웨이퍼 thinning의 단위공정 개발 및 웨이퍼 warpage, 열적 기계적 신뢰성, 전력전달, 등 시스템적인 요소에 대한 연구개발이 동시에 진행되어야 한다. 본 연구에서는 웨이퍼 본딩에 가장 중요한 역할을 하는 Cu CMP (chemical mechanical polishing) 공정에 대한 특성 분석을 진행하였다. 8인치 Si 웨이퍼에 다마신 공정으로 Cu 범프 웨이퍼를 제작하였고, Cu CMP 공정과 oxide CMP 공정을 이용하여 본딩 층 평탄화에 미치는 영향을 살펴보았다. CMP 공정 후 Cu dishing은 약 $180{\AA}$이었고, 웨이퍼 표면부터 Cu 범프 표면까지의 최종 높이는 약 $2000{\AA}$이었다.

Highly Reliable Solder ACFs FOB (Flex-on-Board) Interconnection Using Ultrasonic Bonding

  • Kim, Yoo-Sun;Zhang, Shuye;Paik, Kyung-Wook
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제22권1호
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    • pp.35-41
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    • 2015
  • In this study, in order to improve the reliability of ACF interconnections, solder ACF joints were investigated interms of solder joint morphology and solder wetting areas, and evaluated the electrical properties of Flex-on-Board (FOB) interconncections. Solder ACF joints with the ultrasonic bonding method showed excellent solder wetting by broken solder oxide layers on solder surfaces compared with solder joints with remaining solder oxide layer bonded by the conventional thermo-compression (TC) bonding method. When higher target temperature was used, Sn58Bi solder joints showed concave shape due to lower degree of cure of resin at solder MP by higher heating rate. ACFs with epoxy resins and SAC305 solders showed lower degree of resin cure at solder MP due to the slow curing rate resulting in concave shaped solder joints. In terms of solder wetting area, solder ACFs with $25-32{\mu}m$ diameters and 30-40 wt% showed highest wetted solder areas. Solder ACF joints with the concave shape and the highest wetting area showed lower contact resistances and higher reliability in PCT results than conventional ACF joints. These results indicate that solder morphologies and wetting areas of solder ACF joints can be controlled by adjustment of bonding conditions and material properties of solder and polymer resin to improve reliability of ACF joints.

파이렉스 #7740 유리박막을 이용한 MEMS용 MLCA와 Si기판의 양극접합 특성 (Anodic bonding Characteristics of MLCA to Si-wafer Using Evaporated Pyrex #7740 Glass Thin-Films for MEMS Applications)

  • 정귀상;김재민;윤석진
    • 센서학회지
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    • 제12권6호
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    • pp.265-272
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    • 2003
  • 본 논문은 파이렉스 #7740 유리 박막을 이용한 MEMS용 MLCA (Multi Layer Ceramic Actuator)와 Si기판의 양극접합 특성에 관한 것이다. 최적의 RF 마그네트론 스피터링 조건 (Ar 100%, input power $1\;W/cm^2$)하에서 MLCA기판위에 파이렉스 #7740 유리의 특성을 갖는 박막을 증착하였다. $450^{\circ}C$에서 1시간 열처리한 다음, -760 mmHg, 600V 그리고 $400^{\circ}C$에서 1시간동안 양극접합했다. 그 다음에 Si 다이어프램을 제조한 후, MLCA/Si 접합계면과 MLCA 구동을 통한 Si 다이어프램 변위특성을 분석 및 평가하였다. 다이어프램 형상에 따라 정밀한 변위 세어가 가능했으며 0.05-0.08 %FS의 우수한 선형성을 나타내었다. 또한, 측정동안 접합계면 균열이나 계면분리가 일어나지 않았다. 따라서, MLCA/Si기판 양각접합기술은 고성능 압전 MEMS 소자 제작공정에 유용하게 사용가능할 것이다.

진공성형 공법을 이용한 풍력발전기 블레이드의 수리 (Application of the Infusion Method to the Repair of Damage in Wind Turbine Blades)

  • 이광주;장한슬;선석운
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제15권8호
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    • pp.4756-4762
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    • 2014
  • 운전 중에 손상된 풍력발전기 블레이드는 전통적으로 에폭시 수지를 사용하는 수적층 공법으로 수리가 되어 왔다. 수적층 공법의 접착 강도는 높지 않으며 에폭시 수지는 낮은 온도에서 경화특성이 좋지 않은 단점을 가지고 있다. 본 논문에서는 손상된 블레이드 수리를 위하여 폴리에스터 수지를 사용하는 진공성형 공법을 제안한다. 진공성형 공법은 수지를 균일하게 분포시키는 장점이 있으며, 폴리에스터 수지는 저온에서 에폭시보다 경화가 더 잘되는 특성을 가지고 있다. 상온에서 수리가 이루어 질 때, 제안한 방법을 사용할 경우 전통적인 방법에 비하여 평균 접착강도가 최대 77.7% 상향되었다. 섭씨 15도와 5도에서 제안한 방법을 사용하여 수리가 이루어 질 때, 동일한 온도에서 전통적인 방법으로 수리한 경우보다 평균 접착강도가 향상되었다. 전통적인 방법을 사용하여 수리가 불가능한 저온에서도, 본 논문에서 제안한 방법을 사용할 경우 수리가 가능하게 되었고 상온에서 전통적인 방법으로 수리가 된 경우보다 더 좋은 접착강도를 얻을 수 있게 되었다.

3차원 소자 적층을 위한 BOE 습식 식각에 따른 Cu-Cu 패턴 접합 특성 평가 (Effect of BOE Wet Etching on Interfacial Characteristics of Cu-Cu Pattern Direct Bonds for 3D-IC Integrations)

  • 박종명;김수형;김사라은경;박영배
    • Journal of Welding and Joining
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    • 제30권3호
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    • pp.26-31
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    • 2012
  • Three-dimensional integrated circuit (3D IC) technology has become increasingly important due to the demand for high system performance and functionality. We have evaluated the effect of Buffered oxide etch (BOE) on the interfacial bonding strength of Cu-Cu pattern direct bonding. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis of Cu surface revealed that Cu surface oxide layer was partially removed by BOE 2min. Two 8-inch Cu pattern wafers were bonded at $400^{\circ}C$ via the thermo-compression method. The interfacial adhesion energy of Cu-Cu bonding was quantitatively measured by the four-point bending method. After BOE 2min wet etching, the measured interfacial adhesion energies of pattern density for 0.06, 0.09, and 0.23 were $4.52J/m^2$, $5.06J/m^2$ and $3.42J/m^2$, respectively, which were lower than $5J/m^2$. Therefore, the effective removal of Cu surface oxide is critical to have reliable bonding quality of Cu pattern direct bonds.