화학적 환원법에 이온성액체를 분산제로 사용하여 은 입자를 제조하였다. 이온성액체를 구성하는 양이온의 종류에 따라 제조된 은 입자는 다양한 구조를 가지는 것으로 관찰되었다. 이온성액체의 음이온에 상관없이 양이온의 알킬기의 길이가 길어질수록 은 입자가 작고 균일하게 형성되었다. 이는 이온성액체의 양이온이 길이에 따라 합성 중에 이온성액체들 간에 형성되는 구조체의 안정성에 차이를 보이기 때문이다. 조사된 7가지 이온성액체 중 [Omim][$PF_6$]가 은 입자 합성에 가장 효과적이었다.
A blue phosphorescent $Ir(dfpypy)_3$ (dfpypy:fluorinated pyridine-pyridine ligand) complex with meridional configuration has been synthesized by newly developed effective method and its solid state structure and photoluminescence are characterized. For this complex, mer-$Ir(dfpypy)_3$, the glass-transition and decomposition temperatures appear at $160^{\circ}C$ and $384^{\circ}C$ respectively in TGA and DSC experiments, which indicates that this complex has high thermal stability. In a crystalline structure, an average Ir-C bond length of mer-$Ir(dfpypy)_3$ is slightly longer than that of fac-$Ir(dfpypy)_3$, which assumed to be due to the weak trans-influence. The absorption and emission spectra are observed more red-shifted in mer-$Ir(dfpypy)_3$ than fac-$Ir(dfpypy)_3$. In addition, the former is readily oxidized than the latter in electrochemical behavior.
활하중 4903Pa를 적용하여 최소깊이로 최적 설계한, 실물크기 U형 보에 대하여 전단경간과 내민보 길이를 다르게 하여 4번의 전단실험을 수행하였다. 토핑 콘크리트를 타설한 경간 10.5m 실물크기 U형 합성보는 보의 폭/깊이 비가 2이상이다. 이프리캐스트 프리스트레스트 보의 단부 전단거동을 평가하는 과정에서 다음과 같은 결론을 얻을 수 있었다. 1) 이 합성 U형 보는 최종파괴에 이를 때까지 일체 거동하였으며, 강도설계 규준에 합당한 휨과 전단거동을 보여주었다. 2) 본 연구결과의 범위 안에서, 본 연구에서 고려한 보깊이가 얕은 U형 보의 전체정착길이는 집중하중 위치에 대한 ACI 정착길이 요구식이 정착부착파괴의 가부를 결정하는 기준이 되었다 3) 단부쪽에 발생한 전단균열은 모두 정착파괴로 연결되는 것이 아니며, 선행된 슬립이 존재할 때 정착부착파괴로 유도될 수 있다. 4) 보 중앙축 부근의 일반휨철근은 보의 연성파괴를 유도하는 역할을 위하여 효과적으로 활용될 수 있다.
철근콘크리트 부재는 연성파괴를 유도하기 위해서 휨인장 파괴가 선행 하도록 구조설계한다. 또한 보에서 파괴가 진행하도록 하여 기둥에는 피해가 적게 발생하도록 한다. 하지만 소성붕괴메카니즘에 의하여 소성힌지는 보의 양단부에 발생한 이후 최종적으로 최하층 기둥의 하부에도 발생한다. 철근콘크리트 구조물의 최하층 기둥은 축력이 크게 작용하고 전단경간이 비교적 작기 때문에 휨항복을 했다고 하더라도 최종적으로는 전단파괴하거나 부차파괴하여 설계보다 취성적으로 파괴 할 가능성이 있다. 이 논문에서는 휨항복 후 전단파괴하는 10개의 실험체를 통해 소성힌지 영역의 변형율과 길이 확장에 주는 요소에 대해 파악하였다. 실험결과 세 변수 중에서 축력이 가장 크게 영향을 미쳤는데 축력이 클수록 축방향 변형률과 연성비가 뚜렷하게 줄어드는 현상을 확인할 수 있었으며 소성힌지 길이는 약간 늘어났다. 실험을 통해서 산출한 소성힌지 길이는 약 0.7~1.4d였으며 이는 기존 연구자들이 제안했던 평가식과 차이를 보여주었다.
Cyclodextrin의 고순도 분획, 정제를 위한 CD adsorbent의 제조에 척합한 matnx를 선별하기 위하여 capric acid를 ligand로 각종 이온교환수지를 비교 검토한 결과 DEAE Cellulose가 가장 적합함을 알았다. DEAE Cellulose와 capric acid간의 결합 안정성은 온도, ionic strength의 변화에 영향을 받았으며, ethanol 농도의 변화에는 안정하였다. CD adsorbent의 흡착량, 탈착량, 그리고 ${\alpha}$-, ${\beta}$- 및 ${\gamma}$-CD 의 용출양상을 규명하였다. 탄소쇄가 다른 각종 포화, 불포화 fatty acid를 ligand로 하여 specific adsorbent를 제조하였으며, ${\alpha}$-, ${\beta}$- 및 ${\gamma}$-CD의 회수율과 분리능을 비교 검토 하였다. 그 결과 steanc a acid는 ${\alpha}$-CD 그리고 linoleic acid는 ${\beta}$-CD에 대하여 높은 회수율과 선택성을 보였으며, 선택성은 fatty acid의 탄소쇄 길이와 이중결합 유무에 의하여 영향을 받았다. Stearic acid와 linoleic acid CD adsorbents를 이용하여 CD 혼합물로부터${\alpha}$-, ${\beta}$- 및 ${\gamma}$-CD의 분획양상을 검토하였다.
SnNb2O6 nanoplates were prepared by a solvothermal synthesis with water and ethanol mixed solvent. For improvement of their properties, as-prepared SnNb2O6 nanoplates also were calcined. The prepared powder was characterized by X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscope (FESEM), Transmission electron microscope (TEM), UV-vis spectroscopy, Raman spectrometer, Brunauer-Emmett-Teller (BET). The calcined nanoplates have a smaller surface area than the as-prepared nanoplates have. Nevertheless, in the case of the optical absorption properties, the calcined nanoplates could absorb more photon energy, due to their smaller band gaps. The Raman analysis revealed that the Nb-O bond length in the calcined nanoplates was longer than that in the as-prepared nanoplate. The higher optical absorption capability of the calcined nanoplates was attributed to the local structure variation within them. Furthermore the high crystallinity of the calcined nanoplates is effective in improving the generation of charge carriers. So, It was found that the calcined nanoplates exhibited superior photocatalytic activity for the evolution of H2 from an aqueous methanol solution than the as-prepared nanoplates under UV and visible irradiation. Therefore, the enhanced photocatalytic activity of the calcined nanoplate powder for H2 evolution was mainly attributed to its high crystallinity and improved optical absorption property resulting from the variation of the crystal structure.
ZnO is of great interest for various technological applications ranging from optoelectronics to chemical sensors because of its superior emission, electronic, and chemical properties. In addition, vertically well-aligned ZnO nanorods on large areas with good optical and structural properties are of special interest for the fabrication of electronic and optical nanodevices. To date, several approaches have been proposed for the growth of one-dimensional (1D) ZnO nanostructunres. Several groups have been reported the MOCVD growth of ZnO nanorods with no metal catalysts at $400^{\circ}C$, and fabricated a well-aligned ZnO nanorod array on a PLD prepared ZnO film by using a catalyst-free method. It has been suggested that the synthesis of ZnO nanowires using a template-less/surfactant-free aqueous method. However, despite being a well-established and cost-effective method of thin film deposition, the use of magnetrons puttering to grow ZnO nanorods has not been reported yet. Additionally,magnetron sputtering has the dvantage of producing highly oriented ZnO film sat a relatively low process temperature. Currently, more effort has been concentrated on the synthesis of 1D ZnO nanostructures doped with various metal elements (Al, In, Ga, etc.) to obtain nanostructures with high quality,improved emission properties, and high conductance in functional oxide semiconductors. Among these dopants, Ga-doped ZnO has demonstrated substantial advantages over Al-doped ZnO, including greater resistant to oxidation. Since the covalent bond length of Ga-O ($1.92\;{\AA}$) is nearly equal to that of Zn-O ($1.97\;{\AA}$), high electron mobility and low electrical resistivity are also expected in the Ga-doped ZnO. In this article, we report the successful growth of Ga-doped ZnO nanorods on c-Sapphire substrate without metal catalysts by magnetrons puttering and our investigations of their structural, optical, and field emission properties.
Flange and web local buckling in beam plastic hinge regions of steel moment frames can prevent beam-column connections from achieving adequate plastic rotations under earthquake-induced forces. Reducing the flange-web slenderness ratios (FSR/WSR) of beams is the most effective way in mitigating local member buckling as stipulated in the latest seismic design specifications. However, existing steel moment frame buildings with beams that lack the adequate slenderness ratios set forth for new buildings are vulnerable to local member buckling and thereby system-wise instability prior to reaching the required plastic rotation capacities specified for new buildings. This paper presents results from a research study investigating the cyclic behavior of steel I-beams modified by a welded haunch at the bottom flange and reinforced with glass fiber reinforced polymers at the plastic hinge region. Cantilever I-sections with a triangular haunch at the bottom flange and flange slenderness ratios higher then those stipulated in current design specifications were analyzed under reversed cyclic loading. Beam sections with different depth/width and flange/web slenderness ratios (FSR/WSR) were considered. The effect of GFRP thickness, width, and length on stabilizing plastic local buckling was investigated. The FEA results revealed that the contribution of GFRP strips to mitigation of local buckling increases with increasing depth/width ratio and decreasing FSR and WSR. Provided that the interfacial shear strength of the steel/GFRP bond surface is at least 15 MPa, GFRP reinforcement can enable deep beams with FSR of 8-9 and WSR below 55 to maintain plastic rotations in the order of 0.02 radians without experiencing any local buckling.
The aim of this work was to prepare tenoxicam-ethanolamine salt with improved physicochemical properties for transdermal application. Tenoxicam-ethanolamine salt was prepared in methylene chloride and its physicochemical properties were investigated by DSC and FT-lR. The broad peak of tenoxicam around 3600-3200 $cm^-1$ was shifted to lower wavenumber and more broadened. The characteristic endothermic melting peak of tenoxicam appeared at $223^{\circ}C$. The melting peak of tenoxicam-ethanolamine salt was shifted to $159^{\circ}C$. In contrast to relatively small difference in the partition coefficients of tenoxicam and the tenoxicam-ethanolamine salt, large difference in aqueous solubility was observed. $Crovol^{\circledR}$ PK4O (PEG-12 palm kernel glycerides) provided the highest skin flux for both compounds. The order of the enhancing effect of the various vehicles tested was similar for tenoxicam and tenoxicam-ethanolamine salt, which indicated that their enhancing mechanism for tenoxicam and tenoxicam-ethanolamine salt is similar. Tenoxicam-ethanolamine salt had a higher skin flux than tenoxicam by 1.2- to 31.7-fold, depending on the vehicles used. It is suggested that the vehicles with medium HLB value, 1 double bond, and lower ethylene oxide chain length have a better ability to modify the permeability of the stratum corneum and to promote the effective penetration of tenoxicam and tenoxicam-ethanolamine salt.
Jung, Dong Yun;Jang, Hyun Gyu;Kim, Minki;Jun, Chi-Hoon;Park, Junbo;Lee, Hyun-Soo;Park, Jong Moon;Ko, Sang Choon
ETRI Journal
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제39권6호
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pp.866-873
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2017
We propose a multilayered-substrate-based power semiconductor discrete device package for a low switching loss and high heat dissipation. To verify the proposed package, cost-effective, low-temperature co-fired ceramic, multilayered substrates are used. A bare die is attached to an embedded cavity of the multilayered substrate. Because the height of the pad on the top plane of the die and the signal line on the substrate are the same, the length of the bond wires can be shortened. A large number of thermal vias with a high thermal conductivity are embedded in the multilayered substrate to increase the heat dissipation rate of the package. The packaged silicon carbide Schottky barrier diode satisfies the reliability testing of a high-temperature storage life and temperature humidity bias. At $175^{\circ}C$, the forward current is 7 A at a forward voltage of 1.13 V, and the reverse leakage current is below 100 lA up to a reverse voltage of 980 V. The measured maximum reverse current ($I_{RM}$), reverse recovery time ($T_{rr}$), and reverse recovery charge ($Q_{rr}$) are 2.4 A, 16.6 ns, and 19.92 nC, respectively, at a reverse voltage of 300 V and di/dt equal to $300A/{\mu}s$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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