• 한국응용과학기술학회지
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• 제38권6호
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• pp.1383-1392
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• 2021

호장근, 적하수오, 대황, 알로에 등과 같은 생약재의 주요 약리 활성 성분인 emodin은 항산화, 항균, 항염, 항암, 간보호 등에 효능이 있는 것으로 보고되었다. 본 연구에서는 emodin의 피부 질환 및 기능성 소재로서의 활용 가능성을 알아보기 위해 염증 개선과 피부장벽기능 개선 관련 활성을 확인하였다. human keratinocyte인 HaCaT 세포에 대하여 항염효과를 관찰하기 위해 cytokine억제능은 ELISA kit로, 단백질 발현은 western blot으로 확인하였다. TNF-α (10 ng/mL)/IFN-γ (10 ng/mL)로 활성화된 HaCaT 세포에서 emodin을 농도별(5, 10, 20, 40) µM로 처리한 결과 TNF-α, IL-1β 및 IL-6의 생성량은 emodin의 농도가 증가함에 따라 감소됨을 확인하였다. 염증관련 단백질인 iNOS, COX-2 발현량에 대한 실험결과에서도 emodin 20 µM 농도에서 control 대비 iNOS는 48%, COX-2는 29%가 저해됨을 확인하였다. 피부장벽기능 개선의 지표로써 filaggrin, involucrin, loricirn의 mRNA 발현 정도와 filaggrin, involucrin, loricirn의 생성량을 확인한 결과 에모딘 농도에 의존적으로 증가하는 우수한 결과가 얻어졌다. 특히 20 µM 농도에서 대조군 대비 2배의 생성량 증가를 보인 filaggrin은 천연보습인자인 NMF의 형성에 관계되는 단백질로 각질층의 보습에 중요한 역할을 하는 것으로 알려져 있다. 결론적으로 emodin의 피부 질환 및 기능성 소재로서의 활용 가능성 중 염증 개선 및 피부장벽기능 개선 소재로 활용될 수 있음을 확인하였으며 향후 추가적인 연구가 수행되면 그 활용 범위가 더 넓어질 수 있을 것으로 사료된다.

• 한국진공학회지
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• 제16권3호
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• pp.197-204
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• 2007

p-형 실리콘 기판 위에 수 ${\AA}$ 두께의 어븀 금속을 증착하고, 후열처리 과정을 통하여 어븀-실리사이드/p-형 실리콘 접합을 형성하였다. 초고진공 자외선 광전자 분광 실험을 통하여 증착한 어븀의 두께에 따라 어븀-실리사이드의 일함수가 4.1 eV까지 급하게 감소하는 것을 관찰하였으며, X-ray 회절 실험에 의하여 형성된 어븀 실리사이드가 주로 $Er_5Si_3$상으로 구성되어 있음을 밝혔다. 또한, 어븀-실리사이드/p-형 실리콘 접합에 알루미늄 전극을 부착하여 쇼트키 다이오드를 제작하고, 전류전압 곡선을 측정하여 쇼트키 장벽의 높이를 산출하였다. 산출된 쇼트키 장벽의 높이는 $0.44{\sim}0.78eV$이었으며 어븀 두께 변화에 따른 상관 관계를 찾기 어려웠다. 그리고 이상적인 쇼트키 접합을 가정하고 이미 측정한 일함수로부터 산출한 쇼트키 장벽의 높이는 전류-전압 곡선으로부터 산출한 값에 크게 벗어났으며, 이는 어븀-실리사이드가 주로 $Er_5Si_3$ 상으로 구성되어 있고, $Er_5Si_3/p-$형 실리콘 계면에 존재하는 고밀도의 계면 상태에 기인한 것으로 사료된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.399-399
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• 2013

Metal silicides는 Si 기반의microelectronic devices의 interconnect와 contact 물질 등에 사용하기 위하여 그 형성 mechanism과 전기적 특성에 대한 연구가 많이 이루어지고 있다. 이 중 Rare-earth(RE) silicides는 저온에서 silicides를 형성하고, n-type Si과 낮은 Schottky Barrier contact (~0.3 eV)을 이룬다. 또한 낮은 resistivity와 Si과의 작은 lattice mismatch, 그리고 epitaxial growth의 가능성, 높은 thermal stability 등의 장점을 갖고 있다. RE silicides 중 ytterbium silicide는 가장 낮은 electric work function을 갖고 있어 n-channel schottky barrier MOSFETs의 source/drain으로 주목받고 있다. 또한 Silicon 기반의 CMOSFETs의 성능 향상 한계로 인하여 germanium 기반의 소자에 대한 연구가 이루어져 왔다. Ge 기반 FETs 제작을 위해서는 낮은 source/drain series/contact resistances의 contact을 형성해야 한다. 본 연구에서는 저접촉 저항 contact material로서 ytterbium germanide의 가능성에 대해 고찰하고자 하였다. HRTEM과 EDS를 이용하여 ytterbium germanide의 미세구조 분석과 면저항 및 Schottky Barrier Heights 등의 전기적 특성 분석을 진행하였다. Low doped n-type Ge (100) wafer를 1%의 hydrofluoric (HF) acid solution에 세정하여 native oxide layer를 제거하고, 고진공에서 RF sputtering 법을 이용하여 ytterbium 30 nm를 먼저 증착하고, 그 위에 ytterbium의 oxidation을 방지하기 위한 capping layer로 100 nm 두께의 TiN을 증착하였다. 증착 후, rapid thermal anneal (RTA)을 이용하여 N2 분위기에서 $300{\sim}700^{\circ}C$에서 각각 1분간 열처리하여 ytterbium germanides를 형성하였다. Ytterbium germanide의 미세구조 분석은 transmission electron microscopy (JEM-2100F)을 이용하였다. 면 저항 측정을 위해 sulfuric acid와 hydrogen peroxide solution (H2SO4:H2O2=6:1)에서 strip을 진행하여 TiN과 unreacted Yb을 제거하였고, 4-point probe를 통하여 측정하였다. Yb germanides의 면저항은 열처리 온도 증가에 따라 감소하다 증가하는 경향을 보이고, $400{\sim}500^{\circ}C$에서 가장 작은 면저항을 나타내었다. HRTEM 분석 결과, deposition 과정에서 Yb과 Si의 intermixing이 일어나 amorphous layer가 존재하였고, 열처리 온도가 증가하면서 diffusion이 더 활발히 일어나 amorphous layer의 두께가 증가하였다. $350^{\circ}C$ 열처리 샘플에서 germanide/Ge interface에서 epitaxial 구조의 crystalline Yb germanide가 형성되었고, EDS 측정 및 diffraction pattern을 통하여 안정상인 YbGe2-X phase임을 확인하였다. 이러한 epitaxial growth는 면저항의 감소를 가져왔으며, 열처리 온도가 증가하면서 epitaxial layer가 증가하다가 고온에서 polycrystalline 구조의 Yb germanide가 형성되어 면저항의 증가를 가져왔다. Schottky Barrier Heights 측정 결과 또한 면저항 경향과 동일하게 열처리 증가에 따라 감소하다가 고온에서 다시 증가하였다.

• 한국식품과학회지
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• 제43권4호
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• pp.458-463
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• 2011

In vivo에서 10주간의 UV 조사에 의해 유발되는 피부 손상 및 2주간의 아세톤 도포에 의해 유발되는 급성 피부장벽손상에 대한 콜라겐 펩타이드의 보호 효능을 관찰한 결과, 주름 증가, 비정상적 각질 세포 증식에 의한 피부 두께 증가, 염증성 사이토카인의 증가 등이 콜라겐 펩타이드의 경구 섭취에 의해 개선됨을 확인하여, 콜라겐 펩타이드가 피부 손상을 방어하고, 피부 장벽회복기능이 정상적으로 작용할 수 있도록 도움을 주는 것을 알 수 있었다. 콜라겐 펩타이드의 피부 장벽 회복 기전을 살펴보기 위하여 사람 각질세포를 이용하여 평가한 결과, 콜라겐 펩타이드는 SPT 발현을 농도 의존적으로 증가시킴을 확인하였으며, 이를 통하여 콜라겐 펩타이드가 광노화 및 급성 피부장벽 손상에 의해 유발되는 피부 진피 및 표피 층의 손상을 회복 혹은 보호하는 효능이 있음을 알 수 있었다. 이상의 결과로부터 콜라겐 펩타이드가 광노화 보호 또는 피부장벽 개선 효능을 갖는 새로운 미용 식품 소재로써 이용 가능성이 높음을 확인할 수 있다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제16권3호
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• pp.19-24
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• 2009

3차원 패키지용 고종횡비 TSV(through-Si via)를 이용한 배선 공정에서 via 충진을 위한 대표적인 방법중의 하나가 via 내부에 $SiO_2$ 절연막을 형성한 다음 Sputtering법으로 접착/확산방지막 및 씨앗층을 형성하고 전해도금법으로 Cu를 충진하는 방법이다. 본 연구에서는 Cu 박막과 $SiO_2$ 절연막 사이에 reactive sputtering법으로 증착한 $TaN_x$ 박막의 조성에 따른 접착특성 및 확산방지막특성을 연구하였다. $TaN_x$ 박막의 질소함량에 따른 Cu 박막과 $SiO_2$ 절연막사이의 접착력을 $180^{\circ}$ peel test와 topple test를 이용하여 정량적으로 측정하였다. $TaN_x$ 박막 내 질소함량이 증가함에 따라 접착력은 더욱 증가하였는데, 이는 질소함량이 증가함에 따라 $TaN_x$ 박막과 $SiO_2$ 절연막사이의 계면에서 계면반응물의 생성이 증가하였기 때문으로 해석된다. 고온에서 열처리를 통하여 Cu에 대한 확산방지막으로서의 특성을 조사한 결과, $TaN_x$ 박막은 Ta 박막에 비하여 우수한 Cu에 대한 확산방지 특성을 보였으며 N/Ta성분비 1.4까지는 $TaN_x$ 박막내 질소함량의 증가에 따라 확산방지특성도 향상되었다.

• 대한화장품학회지
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• 제42권2호
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• pp.119-126
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• 2016

피부는 스모그, 담배연기 및 UV와 같은 외부환경으로부터 신체를 보호하는 가장 큰 기관이며, 보호 기작으로서 각질세포와 그 사이를 메우고 있는 세라마이드, 콜레스테롤, 지방산 등의 세포간지질이 라멜라 액정 구조로 피부 장벽을 이루고 있다. 본 연구에서는 세포간지질 중 세라마이드 생합성과 관련되어 있는 세린-팔미토일 전이효소(serine-palmitoyltransferase, SPT) 발현을 western blot으로 확인한 결과, 제주산양산삼 추출물이 농도의존적으로 SPT 단백질 발현을 증가시킴을 확인하였다. 또한 제주산양산삼 추출물을 5% 함유한 제형을 2주간 피부에 도포 후 TEWL을 측정하였을 때, 제주산양산삼 추출물을 함유한 에멀젼 도포부위의 TEWL이 대조군에 비해 유의적으로 감소하는 것을 확인하였다. 이 연구결과는 제주산양산삼 추출물이 SPT의 발현 증가를 통해 세포간 지질의 핵심성분인 세라마이드의 생합성을 증가시켰음을 보여준다. 따라서 제주산양산삼 추출물은 피부장벽기능을 개선시켜 TEWL 감소 효과를 나타내며, 이를 통해 화장품 분야에서 피부장벽 강화 및 보습소재로서 사용될 수 있다고 사료된다.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제1권2호
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• pp.233-236
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• 2006

A 3-D numerical simulation of a buried-channel CCD (Charge Coupled Device) with a deep depletion has been performed to investigate its electrical and physical behaviors. Results are presented for a deep depletion CCD (EEV CCD12; JET-X CCD) fabricated on a high-resistivity $(1.5k\Omega-cm)\;65{\mu}m$ thick epi-layer, on a $550{\mu}m$ thick p+ substrate, which is optimized for X-ray detection. Accurate predictions of the Potential minimum and barrier height of a CCD Pixel as a function of mobile electrons are found to give good charge transfer. The depletion depth approximation as a function of gate and substrate bias voltage provided average errors of less than 6%, compared with the results estimated from X-ray detection efficiency measurements. The result obtained from the transient simulation of signal charge movement is also presented based on 3-Dimensional analysis.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제17권5호
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• pp.270-274
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• 2016

This article investigates the use of the Gaussian-channel doping profile for the control of the short-channel effects in the double-gate MOSFET whereby a two-dimensional (2D) quantum simulation was used. The simulations were completed through a self-consistent solving of the 2D Poisson equation and the Schrodinger equation within the non-equilibrium Green’s function (NEGF) formalism. The impacts of the p-type-channel Gaussian-doping profile parameters such as the peak doping concentration and the straggle parameter were studied in terms of the drain current, on-current, off-current, sub-threshold swing (SS), and drain-induced barrier lowering (DIBL). The simulation results show that the short-channel effects were improved in correspondence with incremental changes of the straggle parameter and the peak doping concentration.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.115-117
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• 2009

Interface dipole energies between interfacial layers with different thicknesses coated on indium tin oxides (ITOs) and 4,4'-bis[N-(1-naphtyl)-N-phenyl-amino]biphenyl are determined. After $O_2$ plasma treatment on thick-metal (>4 nm) coated ITO, the work function and interface dipole energy increased. In thin-metal (< 2 nm) coated ITO, no change in the interface dipole energy was found though the work function increased. Thus, the $O_2$ plasma treated thin (< 2 nm) interfacial layer reduced the hole injection barrier.

• Journal of Electrical Engineering and information Science
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• 제2권6호
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• pp.106-110
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• 1997

The binding energies of the ground state of both the heavy-hole and light-hole excitons in a GaAs(In\ulcornerGa\ulcornerAs) quantum well sandwiched between two semi-infinite Al\ulcornerGa\ulcornerAs(InP) layers are calculated as a function of well width in the presence of an arbitray magnetic field. A variational approach is followed using very simple trial wave function. The applied magnetic field is assumed to be parallel to the axis of growth and the binding energies are calculated for a finite value of the height of the potential barrier. The exciton binding energies for a given value of the magnetic field are found to be increased than their values in a zero magnetic field due to the compression of their wave functions within the well with the applied magnetic field.