KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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v.4C
no.3
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pp.111-116
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2004
The Ni/SiC Schottky diode was fabricated with the $\alpha$-SiC thin film grown by the ICP-CVD method on a (111) Si wafer. $\alpha$-SiC film has been grown on a carbonized Si layer in which the Si surface was chemically converted to a very thin SiC layer achieved using an ICP-CVD method at $700^{\circ}C$. To reduce defects between the Si and $\alpha$-SiC, the surface of the Si wafer was slightly carbonized. The film characteristics of $\alpha$-SiC were investigated by employing TEM (Transmission Electron Microscopy) and FT-IR (Fourier Transform Infrared Spectroscopy). Sputterd Ni thin film was used as the anode metal. The boundary status of the Ni/SiC contact was investigated by AES (Auger Electron Spectroscopy) as a function of the annealing temperature. It is shown that the ohmic contact could be acquired beyond a 100$0^{\circ}C$ annealing temperature. The forward voltage drop at 100A/cm was I.0V. The breakdown voltage of the Ni/$\alpha$-SiC Schottky diode was 545 V, which is five times larger than the ideal breakdown voltage of the silicon device. As well, the dependence of barrier height on temperature was observed. The barrier height from C- V characteristics was higher than those from I-V.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.5
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pp.409-417
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2003
We have studied electrical properties and luminous efficiency of organic light-emitting diodes(OLEDs) with different buffer layer and cathodes in a temperature range of 10 K and 300 K. Four different device structures were made. The OLEDs are based on the molecular compounds, N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD) as a hole transport, tris(8-hydroxyquinolinato) aluminum(III) (Alq$_3$) as an electron transport and omissive layer, and poly(3,4-ethylenedioxythiophene) :poly (styrenesulfonate) (PEDOT:PSS ) as a buffer layer. And LiAl was used as a cathode. Among the devices, the ITO/PEDOT:PSS/TPD/Alq$_3$/LiAl structure has a low energy-barrier height for charge injection and show a good luminous efficiency. We have got a highly efficient and low-voltage operating device using the conductive PEDOT:PSS and low work-function LiAl. From current-voltage characteristics with temperature variation, conduction mechanisms are explained SCLC (space charge limited current) and tunneling one. We have also studied energy barrier height and luminous efficiency at various temperature.
Lee Sae-Won;Kim Woo-Jean;Park Jeong-Ae;Choi Yoon-Kyung;Kwon Yoo-Wook;Kim Kyu-Won
Archives of Pharmacal Research
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v.29
no.4
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pp.265-275
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2006
In the developing brain, capillaries are differentiated and matured into the blood-brain barrier (BBB), which is composed of cerebral endothelial cells, astrocyte end-feet, and pericytes. Since the BBB regulates the homeostasis of central nervous system (CNS), the maintenance of the BBB is important for CNS function. The disruption of the BBB may result in many brain disorders including brain tumors. However, the molecular mechanism of BBB formation and maintenance is poorly understood. Here, we summarize recent advances in the role of oxygen tension and growth factors on BBB development and maintenance, and in BBB dysfunction related with brain tumors.
Corrosion properties of dissimilar friction stir welded 6061 aluminum and HT590 steel were investigated to understand effects of galvanic corrosion. As cathode when coupled, HT590 was cathodically protected. However, the passivation of AA6061 made the aluminum alloy cathode temporarily, which leaded to corrosion of HT590. From the EIS analysis showing Warburg diffusion plot in Nyquist plots, it can be inferred that the stable passivation layer was formed on AA6061. However, the weld as well as HT590 did not show Warburg diffusion plot in Nyquist plots, suggesting that there was no barrier for corrosion or even if it exists, the barrier had no function for preventing and/or retarding charge transport through the passivation layer. The open circuit potential measurements showed that the potential of the weld was similar to that of HT590, which lied in the pitting region for AA6061, making the aluminum alloy part of the weld keep corrosion state. That resulted in the cracked oxide film on AA6061 of the weld, which could not play a role of corrosion barrier.
Park, Hyunju;Lee, Byung-Yoon;Tahk, Min-Jea;Yoo, Dong-Wan
International Journal of Aeronautical and Space Sciences
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v.17
no.2
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pp.204-213
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2016
A differential game theory based approach is used to develop an automated maneuver generation algorithm for Within Visual Range (WVR) air-to-air combat of unmanned combat aerial vehicles (UCAVs). The algorithm follows hierarchical decisionmaking structure and performs scoring function matrix calculation based on differential game theory to find the optimal maneuvers against dynamic and challenging combat situation. The score, implying how much air superiority the UCAV has, is computed from the predicted relative geometry, relative distance and velocity of two aircrafts. Security strategy is applied at the decision-making step. Additionally, a barrier function is implemented to keep the airplanes above the altitude lower bound. To shorten the simulation time to make the algorithm more real-time, a moving horizon method is implemented. An F-16 pseudo 6-DOF model is used for realistic simulation. The combat maneuver generation algorithm is verified through three dimensional simulations.
The effect of the vibration mode coupling induced by the vibration-rotation interaction on total energy was investigated for the states with zero total angular momentum(J=0) in a quasilinear symmetric triatomic molecule of $AB_2$ type using a model potential function with a slight potential barrier to linearity. It is found that the coupling energy becomes larger for the levels of bend and asymmetric stretch modes and smaller for symmetric stretch mode as the excitation of the vibrational modes occurs. The results for the real molecule of $CH_2^+$, which is quasilinear, generally agree with the results for the model potential function in that common mode selective dependence of coupling energy is exhibited in both cases. The differences between the results for the model and real potential function in H-C-H system are analyzed and explained in terms of heavy mixing of the symmetric stretch and bend mode in excited vibrational states of the real molecule of $CH_2^+$. It is shown that the vibrational mode coupling in the potential energy function is primarily responsible for the broken nodal structure and chaotic behavior in highly excited levels of $CH_2^+$ for J= 0.
The estuary in Nakdong River has changes by the construction of harbors, land reclamation and artificial waterway changes. These resultslead to changes of extinction and creation of deltaic barrier island. The deltaic barrier island changes in the Nakdong River estuary affect the function of the barrier islands and cause environmental changes. Therefore, it is important to monitor the changes in the area of the Nakdong estuary. In this study, long-term changes of the area and suspended sediment of deltaic barrier island in the Nakdong River estuary were analyzed using Landsat TM/ETM+ images. As a result, end point rate (EPR) values of shoreline in Jinwoodo and Sinjado are about 5m/yr and about 50 m/yr, respectively. The EPR values of north-south and east-west direction in Doyodeung are 20 m/yr and -20 ~ 10 m/yr. The suspended sediment concentration (SSC) has a maximum value of $25g/m^3$ in the vicinity of Jinwoodo and Sinjado, while it has a maximum concentration of $40g/m^3$ in the vicinity of Shinjido and Doyodeung. In other words, the area and the SSC change are small in Jinwoodo, and the area change and the SSC variation are large in Sinjado and Doyodeung. As a result of analysis of correlation between area change and SSC variation using all data, the Pearson coefficient value (r) is 0.36 and it is 0.32 in winter data. In other words, it is considered that the SSC variation affectsthe deltatic barrier island area change. However, verification using advanced altimetry data is necessary in the future. These studies can be used for coastal monitoring and environmental monitoring.
Kim, Jeong-Yong;Park, Gyu-Dae;Song, Ye-Seul;Lee, Hui-Jin;Vu, Minh Canh;Kim, Seong-Ryong
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.303.1-303.1
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2016
Polymer-like amorphous carbon films were deposited on polyethylene naphthalate (PEN) substrate by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and their water vapor transmission rates (WVTR) were tested. propane was used as precursors. To make a polymer-like amorphous carbon film the deposition rate, surface roughness, light transmittance, and WVTR of the films were characterized as a function of the precursor feed ratio and plasma power. The water vapor transmission rates of bare PEN film and single layer PAC on PEN substrate were 6.95 g/m2/day and 0.3 g/m2/day, respectively. The superior property the water vapor permeability of thin layers of PAC was attributed to uniform coverage and good adhesion between PAC film and PEN substrate.
The electron tunnel effect in polvimide LB films sandwiched between metal electrodes has been investigated in the present work by a study of both the elastic and inelastic tunneling components. By the results of elastic tunneling experiments in Au/Pl/Au tunneling junction, we can judge the height and thickness of tunnel barrier. The inelastic current in Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy(IETS) is due to the interaction of the tunneling electron with the vibrational modes of the molecular species in the barrier. Measurements are done on Au/PI/Pb tunneling junctions. The spectra obtained are the second derivatives of the current-voltage characteristics of these junctions : specifically, d$^{2}$1/dV$^{2}$ as a function of voltage V. Because the energies measured by IETS can be directly compared to those measured by infrared and Raman spectroscopy, IR-RAS spectroscopy also measured for reference.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1995.05a
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pp.47-49
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1995
We report the spectroscopic properties of column-III nitrifies of GaN, GaInN, and AlGaN. The column-III nitride semiconductors are promising materials to realize the current-injection-type blue-and ultraviolet (UV)-light-emitting devices with high performance. To acheive the lasing with low threshold, the devices are must constructed to double heterostructure by succesive epitaxial growth technique, and we must confine the carriers in the potential barrier and optical confinement in wave guide between barrier and active layers has different refractive index. The refractive index of column-III nitride semiconductors, however, are rarely reported. The measured refractive index was 2.9, and the observed characteristic peak near the enrgy gap was analysed using a dielectric function and may due to excitonic contribution.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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